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트랜지스터 (4628)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK9230-80EJ | - |  | 7545 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934069873118 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 32A | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PHB191NQ06LT, 118 | 3.0600 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | PHB191 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 3.7mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 95.6 NC @ 5 v | ± 15V | 7665 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||
| BUK765R2-40B, 118 | 1.9100 | | 254 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BUK765R2-40B, 118-1727 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 10V | 5.2MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 3789 pf @ 25 v | - | 203W (TC) | |||||||||||||
 | PSMN2R6-30YLC, 115 | 0.9400 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | psmn2r6 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 25a, 10V | 1.95v @ 1ma | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 2435 pf @ 15 v | - | 106W (TC) | |||||||||||||
 | pmpb12r7epx | 0.4700 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB12 | MOSFET (금속 (() | DFN2020M-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 8.7A (TA) | 4.5V, 10V | 15.5mohm @ 8.7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 1638 pf @ 15 v | - | 1.9W (TA), 12.5W (TC) | |||||||||||||
 | PUMD3-QX | 0.3000 | | 22 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PUMD3 | 200MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 1µA | NPN, PNP | 150mv @ 500µa, 10ma | 30 @ 5MA, 5V | 230MHz, 180MHz | 10kohms | 10kohms | ||||||||||||||||
 | BUK751R8-40E, 127 | - | | 6633 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 1.8mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 145 NC @ 10 v | ± 20V | 11340 pf @ 25 v | - | 349W (TC) | ||||||||||||||
| psmn6r9-100ysfx | 2.8500 | | 4766 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | psmn6r9 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 100 v | 100A (TC) | 10V | - | - | 50.3 NC @ 10 v | ± 20V | - | 238W | ||||||||||||||
 | pm48xpar | 0.5400 | | 7 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | pmv48 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 55mohm @ 2.4a, 4.5v | 1.25V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1000 pf @ 10 v | - | 510MW (TA), 4.15W (TC) | |||||||||||||
 | BUK7277-55A, 118 | 0.8400 | | 236 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | BUK7277 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 55 v | 18A (TC) | 10V | 77mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 422 pf @ 25 v | - | 51W (TC) | ||||||||||||||
 | PMK50XP, 518 | - | | 8324 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 7.9A (TC) | 4.5V | 50mohm @ 2.8a, 4.5v | 950MV @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 12V | 1020 pf @ 20 v | - | 5W (TC) | ||||||||||||||
| PSMN070-200B, 118 | - | | 8355 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 35A (TC) | 10V | 70mohm @ 17a, 10V | 4V @ 1MA | 77 NC @ 10 v | ± 20V | 4570 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||
| BC857,235 | 0.1400 | | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
 | nhumh10x | 0.3900 | | 18 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | nhumh10 | 350MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80V | 100ma | 100NA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 100mv @ 500µa, 10ma | 100 @ 10ma, 5V | 170MHz, 150MHz | 2.2kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
| PBLS1503Y, 115 | 0.1007 | | 8858 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PBLS1503 | 300MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V, 15V | 100ma, 500ma | 1µA, 100NA | 1 npn 프리 n, 1 pnp | 150mv @ 500µa, 10ma / 250mv @ 50ma, 500ma | 30 @ 5ma, 5v / 150 @ 100ma. 2V | 280MHz | 10kohms | 10kohms | ||||||||||||||||
 | BC807-40QBZ | 0.2700 | | 30 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 3-xdfn d 패드 | 350 MW | DFN1110D-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 80MHz | |||||||||||||||||||
 | PHPT61002PYC, 115 | - | | 1382 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC856A-QR | 0.0260 | | 42 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
 | PMV55ENEA, 215 | - | | 9312 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMV55 | - | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| psmn3r2-40yldx | 1.5300 | | 5371 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | psmn3r2 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 120A (TA) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 25a, 10V | 2.05V @ 1mA | 57 NC @ 10 v | ± 20V | 4103 pf @ 20 v | Schottky Diode (Body) | 115W (TA) | |||||||||||||
| PUMH9-QH | 0.0368 | | 3598 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | pumh9 | 200MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 100NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 100MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 5ma, 5V | 230MHz | 10kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
| buk6y61-60px | 0.9400 | | 6962 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk6y61 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | p 채널 | 60 v | 25A (TA) | 4.5V, 10V | 61mohm @ 4.7a, 10V | 3V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1060 pf @ 30 v | - | 66W (TA) | |||||||||||||
| BC846B, 235 | 0.1400 | | 734 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BC846X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC846 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
| pm65xper | 0.4200 | | 3348 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | pmv65 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.8A (TA) | 2.5V, 4.5V | 78mohm @ 2.8a, 4.5v | 1.25V @ 250µA | 9 NC @ 4.5 v | ± 12V | 618 pf @ 10 v | - | 480MW (TA), 6.25W (TC) | |||||||||||||
 | PMCXB1000UEZ | 0.5100 | | 95 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-xfdfn 노출 패드 | PMCXB1000 | MOSFET (금속 (() | 285MW (TA) | DFN1010B-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 5,000 | n 보완 p 채널 및 | 30V | 590MA (TA), 410MA (TA) | 670mohm @ 590ma, 4.5v, 1.4ohm @ 410ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 1.05NC @ 4.5V, 1.2NC @ 4.5V | 30.3pf @ 15V, 43.2pf @ 15V | - | |||||||||||||||
 | PDTA114EQBZ | 0.2700 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면, 마운트 측면 | 3-xdfn d 패드 | PDTA114 | 340 MW | DFN1110D-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 MA | 100NA | pnp- 사전- | 100mv @ 500µa, 10ma | 30 @ 5MA, 5V | 180MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | ||||||||||||||||
| BUK7D36-60EX | 0.4200 | | 7 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | buk7d36 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 5.5A (TA), 14A (TC) | 10V | 36mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 453 pf @ 30 v | - | 2.3W (TA), 15W (TC) | |||||||||||||
 | PDTA144VU, 115 | 0.0349 | | 7135 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | PDTA144 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 1µA | pnp- 사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 40 @ 5MA, 5V | 47 Kohms | 10 KOHMS | |||||||||||||||||
| BC807-16HR | 0.2800 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC807 | 320 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 100ma, 1v | 80MHz | |||||||||||||||||
| pdtb143xtr | 0.4000 | | 426 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTB143 | 320 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 MA | 500NA | pnp- 사전- | 100mv @ 2.5ma, 50ma | 70 @ 50MA, 5V | 140MHz | 4.7 Kohms | 10 KOHMS |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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