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트랜지스터 (4628)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
BCM857QASZ	0.4300	RFQ	6907	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	6-xfdfn 노출 패드	BCM857		350MW	DFN1010B-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	5,000													45V	100ma	15NA (ICBO)	2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍	400mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	175MHz
BC847bpn, 125	0.2800	RFQ	61	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC847		300MW	6-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													45V	100ma	15NA (ICBO)	NPN, PNP	300mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	100MHz
PMV230ENEA, 215	-	RFQ	4585	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인								다운로드						0000.00.0000	1
psmn4r0-30yldx	0.9000	RFQ	10	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	psmn4r0	MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널	30 v	95A (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 25a, 10V	2.2v @ 1ma	19.4 NC @ 10 v	± 20V	1272 pf @ 15 v	-	64W (TC)
BUK9M12-60EX	1.0300	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드)	BUK9M12	MOSFET (금속 (()		LFPAK33	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널	60 v	54A (TC)	5V	11mohm @ 15a, 10V	2.1v @ 1ma		± 10V	2769 pf @ 25 v	-	79W (TC)
BSS123/LF1R	-	RFQ	8359	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934069493215	귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	100 v	150MA (TA)	10V	6ohm @ 120ma, 10V	2.8V @ 1MA		± 20V	40 pf @ 25 v	-	250MW (TA)
BC847,235	0.1400	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC847		250 MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000													45 v	100 MA	15NA (ICBO)	NPN	400mv @ 5ma, 100ma	110 @ 2MA, 5V	100MHz
NX3008NBKSH	0.5000	RFQ	8	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	NX3008	MOSFET (금속 (()	445MW	6-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	350MA (TA)		1.4ohm @ 350ma, 4.5v	1.1V @ 250µA	0.68NC @ 4.5V		50pf @ 15V	-
pmv20enr	0.3700	RFQ	86	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV20	MOSFET (금속 (()		TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	6A (TA)	4.5V, 10V	21mohm @ 6a, 10V	2V @ 250µA	10.8 nc @ 10 v	± 20V	435 pf @ 15 v	-	510MW (TA), 6.94W (TC)
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PUMD12/ZLF	-	RFQ	6029	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	대부분	쓸모없는		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMD12		300MW	6-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1													50V	100ma	1µA	1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	150mv @ 500µa, 10ma	80 @ 5ma, 5V	230MHz, 180MHz	47kohms	47kohms
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BSH202,215	0.3800	RFQ	14	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSH202	MOSFET (금속 (()		TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	520MA (TA)	4.5V, 10V	900mohm @ 280ma, 10V	1.9V @ 1mA	2.9 NC @ 10 v	± 20V	80 pf @ 24 v	-	417MW (TA)
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BC846BQCZ	0.2500	RFQ	32	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, BC846XQC	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	3-xdfn d 패드	BC846		360 MW	DFN1412D-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	5,000													65 v	100 MA	15NA (ICBO)		400mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	100MHz
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PMPB15XN, 115	0.1441	RFQ	1249	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	PMPB15	MOSFET (금속 (()		DFN2020MD-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	7.3A (TA)	1.8V, 4.5V	21mohm @ 7.3a, 4.5v	900MV @ 250µA	20.2 NC @ 4.5 v	± 12V	1240 pf @ 10 v	-	1.7W (TA), 12.5W (TC)
PHB20NQ20T, 118	-	RFQ	5594	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	200 v	20A (TC)	10V	130mohm @ 10a, 10V	4V @ 1MA	65 nc @ 10 v	± 20V	2470 pf @ 25 v	-	150W (TC)
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NX138BKHH	0.2800	RFQ	29	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	NX138	MOSFET (금속 (()		DFN0606-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10,000		n 채널	60 v	380MA (TA)		2.3ohm @ 380ma, 10V	1.5V @ 250µA	0.7 nc @ 10 v	± 20V	20 pf @ 30 v	-	380MW (TA), 2.8W (TC)
PSMN026-80ys, 115	0.8400	RFQ	6334	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	PSMN026	MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널	80 v	34A (TC)	10V	27.5mohm @ 5a, 10V	4V @ 1MA	20 nc @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 40 v	-	74W (TC)
SI2304DS, 215	-	RFQ	9642	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	1.7A (TC)	4.5V, 10V	117mohm @ 500ma, 10V	2V @ 1mA	4.6 NC @ 10 v	± 20V	195 pf @ 10 v	-	830MW (TC)
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psmn6r5-30mldx	-	RFQ	4021	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드)		MOSFET (금속 (()		LFPAK33	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널	30 v	65A (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 15a, 10V	2.2v @ 1ma	13.6 NC @ 10 v	± 20V	817 pf @ 15 v	-	51W (TC)
BUK9M6R6-30EX	0.9500	RFQ	7909	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드)	buk9m6	MOSFET (금속 (()		LFPAK33	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널	30 v	70A (TC)	5V	5.3MOHM @ 20A, 10V	2.1v @ 1ma	18 nc @ 5 v	± 10V	2001 pf @ 25 v	-	75W (TC)
BUK7575-55A, 127	-	RFQ	8035	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	55 v	20.3A (TC)	10V	75mohm @ 10a, 10V	4V @ 1MA		± 20V	483 pf @ 25 v	-	62W (TC)
pmn42xpeax	0.4300	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457	PMN42	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5.7A (TA)	2.5V, 4.5V	46MOHM @ 3A, 4.5V	1.25V @ 250µA	17.3 NC @ 4.5 v	± 12V	1410 pf @ 10 v	-	500MW (TA), 8.33W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (4628)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²