SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BCP56-10T-QF Nexperia USA Inc. BCP56-10T-QF 0.0726
RFQ
ECAD 8939 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BCP56T-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 600MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 155MHz
PSMN4R5-40PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN4R5-40PS, 127 1.9200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn4r5 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 4.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 42.3 NC @ 10 v ± 20V 2683 pf @ 12 v - 148W (TC)
BUK7516-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK7516-55A, 127 -
RFQ
ECAD 5825 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 65.7A (TC) 10V 16mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 2245 pf @ 25 v - 138W (TC)
BUK653R3-30C,127 Nexperia USA Inc. BUK653R3-30C, 127 -
RFQ
ECAD 6544 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065858127 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 114 NC @ 10 v ± 16V 6960 pf @ 25 v - 204W (TC)
PMBT2222AYSX Nexperia USA Inc. PMBT2222AYSX 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMBT2222 250 MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 75 @ 10ma, 10V 300MHz
PHN203,518 Nexperia USA Inc. PHN203,518 -
RFQ
ECAD 1781 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PHN203 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6.3A 30mohm @ 7a, 10V 2V @ 1mA 14.6NC @ 10V 560pf @ 20V 논리 논리 게이트
PH7630DLX Nexperia USA Inc. ph7630dlx -
RFQ
ECAD 1833 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 - pH7630 MOSFET (금속 (() - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v - - - - -
BUK762R4-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK762R4-60E, 118 1.8586
RFQ
ECAD 2179 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK762 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2.4mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 158 NC @ 10 v ± 20V 11180 pf @ 25 v - 357W (TC)
PSMN2R0-60PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN2R0-60PS, 127 4.2000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMN2R0 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2.2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 137 NC @ 10 v ± 20V 9997 pf @ 30 v - 338W (TC)
PBRP113ZT-QR Nexperia USA Inc. PBRP113ZT-QR 0.0687
RFQ
ECAD 3659 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRP113 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBRP113ZT-QRTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 MA 500NA pnp- 사전- 750mv @ 6ma, 600ma 230 @ 300ma, 5V 1 KOHMS 10 KOHMS
PMV35EPER Nexperia USA Inc. pmv35eper 0.5900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV35 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 4.2a, 10V 3V @ 250µA 19.2 NC @ 10 v ± 20V 793 pf @ 15 v - 480MW (TA), 1.2W (TC)
BUK7535-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK7535-55A, 127 -
RFQ
ECAD 9302 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 35A (TC) 10V 35mohm @ 20a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 872 pf @ 25 v - 85W (TC)
PSMN5R0-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN5R0-80BS, 118 2.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn5r0 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 100A (TC) 10V 5.1mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 101 NC @ 10 v ± 20V 6793 pf @ 40 v - 270W (TC)
NX3008NBK,215 Nexperia USA Inc. NX3008NBK, 215 0.2900
RFQ
ECAD 411 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NX3008 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 400MA (TC) 1.8V, 4.5V 1.4ohm @ 350ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.68 nc @ 4.5 v ± 8V 50 pf @ 15 v - 350MW (TA), 1.14W (TC)
PMST5550,135 Nexperia USA Inc. PMST5550,135 0.0426
RFQ
ECAD 5846 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMST5550 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 140 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
BST82,235 Nexperia USA Inc. BST82,235 0.4000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BST82 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 100 v 190ma (TA) 5V 10ohm @ 150ma, 5V 2V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 10 v - 830MW (TC)
PMPB43XPE,115 Nexperia USA Inc. PMPB43XPE, 115 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB43 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5A (TA) 1.8V, 4.5V 48mohm @ 5a, 4.5v 900MV @ 250µA 23.4 NC @ 4.5 v ± 12V 1550 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BUK9Y38-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y38-100E, 115 1.0200
RFQ
ECAD 9267 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y38 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 30A (TC) 5V, 10V 38mohm @ 5a, 5V 2.1v @ 1ma 21.6 NC @ 5 v ± 10V 2541 pf @ 25 v - 94.9W (TC)
BUK7675-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK7675-55A, 118 1.2000
RFQ
ECAD 2386 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK7675 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 20.3A (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 483 pf @ 25 v - 62W (TC)
PUMD15/ZLX Nexperia USA Inc. PUMD15/ZLX -
RFQ
ECAD 1189 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD15 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V 230MHz, 180MHz 4.7kohms 4.7kohms
NX138BKWX Nexperia USA Inc. NX138BKWX 0.2400
RFQ
ECAD 99 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NX138 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 210MA (TA) 2.5V, 10V 3.5ohm @ 200ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.7 nc @ 10 v ± 20V 20 pf @ 30 v - 266MW (TA), 1.33W (TC)
PMV40UN2R Nexperia USA Inc. pmv40un2r 0.4900
RFQ
ECAD 494 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv40un2 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.7A (TA) 1.8V, 4.5V 44mohm @ 3.7a, 4.5v 900MV @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 12V 635 pf @ 15 v - 490MW (TA)
PMF170XP,115 Nexperia USA Inc. PMF170XP, 115 0.3400
RFQ
ECAD 328 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMF170 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 1A (TA) 4.5V 200mohm @ 1a, 4.5v 1.15V @ 250µA 3.9 NC @ 4.5 v ± 12V 280 pf @ 10 v - 290MW (TA), 1.67W (TC)
BUK7907-55AIE,127 Nexperia USA Inc. BUK7907-55AIE, 127 -
RFQ
ECAD 4760 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 116 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 272W (TC)
PBSS4350X,146 Nexperia USA Inc. PBSS4350X, 146 0.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4350 1.6 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 3 a 100NA NPN 370mv @ 300ma, 3a 300 @ 1a, 2v 100MHz
PMP4501G115 Nexperia USA Inc. PMP4501G115 -
RFQ
ECAD 8080 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 PMP4501 300MW 5-TSSOP - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 npn ((() 일치 한 쌍, 공통 이미 터 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BC807-25LZ Nexperia USA Inc. BC807-25LZ 0.1600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
BUK9K12-60EX Nexperia USA Inc. BUK9K12-60EX 2.0200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK9K12 MOSFET (금속 (() 68W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 35a 10.7mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 24.5NC @ 5V 3470pf @ 25v 논리 논리 게이트
PMPB33XN,115 Nexperia USA Inc. PMPB33XN, 115 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB33 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.3A (TA) 2.5V, 4.5V 47mohm @ 4.3a, 4.5v 1.2V @ 250µA 7.6 NC @ 4.5 v ± 12V 505 pf @ 15 v - 1.5W (TA), 8.3W (TC)
NHDTC123JUF Nexperia USA Inc. NHDTC123JUF 0.0310
RFQ
ECAD 2142 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 NHDTC123 235 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 80 v 100 MA 100NA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 170 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고