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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | BCP56-10T-QF | 0.0726 | ![]() | 8939 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BCP56T-Q | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP56 | 600MW | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 155MHz | |||||||||||||||||
![]() | PSMN4R5-40PS, 127 | 1.9200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | psmn4r5 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 4.6mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 42.3 NC @ 10 v | ± 20V | 2683 pf @ 12 v | - | 148W (TC) | |||||||||||||
![]() | BUK7516-55A, 127 | - | ![]() | 5825 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 65.7A (TC) | 10V | 16mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 2245 pf @ 25 v | - | 138W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BUK653R3-30C, 127 | - | ![]() | 6544 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934065858127 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 25a, 10V | 2.8V @ 1MA | 114 NC @ 10 v | ± 16V | 6960 pf @ 25 v | - | 204W (TC) | |||||||||||||
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![]() | ph7630dlx | - | ![]() | 1833 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | - | pH7630 | MOSFET (금속 (() | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | BUK762R4-60E, 118 | 1.8586 | ![]() | 2179 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK762 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.4mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 158 NC @ 10 v | ± 20V | 11180 pf @ 25 v | - | 357W (TC) | |||||||||||||
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![]() | PMST5550,135 | 0.0426 | ![]() | 5846 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | PMST5550 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 140 v | 300 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 5ma, 50ma | 60 @ 10ma, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||
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![]() | BUK9Y38-100E, 115 | 1.0200 | ![]() | 9267 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk9y38 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 100 v | 30A (TC) | 5V, 10V | 38mohm @ 5a, 5V | 2.1v @ 1ma | 21.6 NC @ 5 v | ± 10V | 2541 pf @ 25 v | - | 94.9W (TC) | |||||||||||||
![]() | BUK7675-55A, 118 | 1.2000 | ![]() | 2386 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK7675 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 20.3A (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 483 pf @ 25 v | - | 62W (TC) | ||||||||||||||
![]() | PUMD15/ZLX | - | ![]() | 1189 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PUMD15 | 300MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 100ma | 1µA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 150mv @ 500µa, 10ma | 30 @ 10ma, 5V | 230MHz, 180MHz | 4.7kohms | 4.7kohms | ||||||||||||||||
![]() | NX138BKWX | 0.2400 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | NX138 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 210MA (TA) | 2.5V, 10V | 3.5ohm @ 200ma, 10V | 1.5V @ 250µA | 0.7 nc @ 10 v | ± 20V | 20 pf @ 30 v | - | 266MW (TA), 1.33W (TC) | |||||||||||||
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![]() | PMF170XP, 115 | 0.3400 | ![]() | 328 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | PMF170 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1A (TA) | 4.5V | 200mohm @ 1a, 4.5v | 1.15V @ 250µA | 3.9 NC @ 4.5 v | ± 12V | 280 pf @ 10 v | - | 290MW (TA), 1.67W (TC) | |||||||||||||
![]() | BUK7907-55AIE, 127 | - | ![]() | 4760 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-5 | MOSFET (금속 (() | TO-220-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 7mohm @ 50a, 10V | 4V @ 1MA | 116 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 272W (TC) | ||||||||||||||
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BC807-25LZ | 0.1600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC807 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 160 @ 100MA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BUK9K12-60EX | 2.0200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | BUK9K12 | MOSFET (금속 (() | 68W | LFPAK56D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 35a | 10.7mohm @ 15a, 10V | 2.1v @ 1ma | 24.5NC @ 5V | 3470pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
![]() | PMPB33XN, 115 | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB33 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4.3A (TA) | 2.5V, 4.5V | 47mohm @ 4.3a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 7.6 NC @ 4.5 v | ± 12V | 505 pf @ 15 v | - | 1.5W (TA), 8.3W (TC) | |||||||||||||
![]() | NHDTC123JUF | 0.0310 | ![]() | 2142 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | NHDTC123 | 235 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 80 v | 100 MA | 100NA | npn-사전- | 100mv @ 500µa, 10ma | 100 @ 10ma, 5V | 170 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms |
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