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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | PDTC124TU, 115 | 0.1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | PDTC124 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 1µA | npn-사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 100 @ 1ma, 5V | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||
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![]() | BUK7907-55ATE127 | 1.0000 | ![]() | 4695 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-5 | MOSFET (금속 (() | TO-220-5 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 7mohm @ 50a, 10V | 4V @ 1MA | 116 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | 온도 온도 다이오드 | 272W (TC) | ||||||||||||||
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![]() | BC856BW-QF | 0.0252 | ![]() | 2968 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC856 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-BC856BW-QFTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5ma, 100ma | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
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![]() | PUMD9/ZL135 | - | ![]() | 1539 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK763R4-30,118 | - | ![]() | 9451 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | MOSFET (금속 (() | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BUK763R4-30,118-1727 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 75A (TA) | 10V | 3.4mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 4951 pf @ 25 v | - | 255W (TC) | ||||||||||||||||
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![]() | PSMN4R6-60PS, 127 | 2.9000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | psmn4r6 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 100A (TC) | 10V | 4.6mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 70.8 nc @ 10 v | ± 20V | 4426 pf @ 30 v | - | 211W (TC) | |||||||||||||
PDTC124ET-QR | 0.0324 | ![]() | 8006 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC124 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-PDTC124ET-QRTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA | npn-사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 60 @ 5MA, 5V | 230MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | |||||||||||||||||
![]() | PSMN1R5-25YL, 115 | - | ![]() | 9214 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | PSMN1R5 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 25 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.5mohm @ 15a, 10V | 2.15v @ 1ma | 76 NC @ 10 v | ± 20V | 4830 pf @ 12 v | - | 109W (TC) | |||||||||||||
PBSS4041PT, 215 | 0.4700 | ![]() | 910 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PBSS4041 | 1.1 w | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 60 v | 2.7 a | 100NA | PNP | 360mv @ 300ma, 3a | 150 @ 1a, 2v | 150MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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