SIC
close

트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BCV62B,215 Nexperia USA Inc. BCV62B, 215 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV62 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100ma 2 pnp (() 현재 미러 미러
BCV62C,215 Nexperia USA Inc. BCV62C, 215 0.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV62 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100ma 2 pnp (() 현재 미러 미러
PSMN5R6-100YSFQ Nexperia USA Inc. PSMN5R6-100YSFQ -
RFQ
 ECAD 5623 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 psmn5r6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934071218115 귀 99 8541.29.0095 1,500 -
BUK9Y2R8-40HX Nexperia USA Inc. BUK9Y2R8-40HX 0.9791
RFQ
 ECAD 5361 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - buk9y2 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660366115 귀 99 8541.29.0095 1,500 - 120A (TJ) - - - +16V, -10V - -
PMT200EPEX Nexperia USA Inc. pmt200epex 0.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PMT200 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 p 채널 70 v 2.4A (TA) 4.5V, 10V 167mohm @ 2.4a, 10V 3V @ 250µA 15.9 NC @ 10 v ± 20V 822 pf @ 35 v - 800MW (TA)
BUK3F00-50WGFA,518 Nexperia USA Inc. BUK3F00-50WGFA, 518 -
RFQ
 ECAD 5952 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935288102518 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
BUK7907-55ATE127 Nexperia USA Inc. BUK7907-55ATE127 1.0000
RFQ
 ECAD 4695 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 116 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 272W (TC)
BSN20BK215 Nexperia USA Inc. BSN20BK215 -
RFQ
 ECAD 2915 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
PMPB20ENA115 Nexperia USA Inc. PMPB20ANE115 -
RFQ
 ECAD 7128 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
PMPB10XNX Nexperia USA Inc. pmpb10xnx 0.4400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB10 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9.5A (TA) 1.5V, 4.5V 13mohm @ 9.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 8V 1761 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 12.5W (TC)
BUK6Y10-30PX Nexperia USA Inc. buk6y10-30px 1.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk6y10 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 30 v 80A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 13.5a, 10V 3V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2360 pf @ 15 v - 110W (TA)
PMCM440VNE084 Nexperia USA Inc. PMCM440VNE084 -
RFQ
 ECAD 8894 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 9,000
PSMNR70-40SSHJ Nexperia USA Inc. psmnr70-40sshj 6.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 psmnr70 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 425A (TA) 10V 0.7mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 202 NC @ 10 v ± 20V 15719 pf @ 25 v Schottky Diode (Body) 375W (TA)
BUK7M20-40HX Nexperia USA Inc. BUK7M20-40HX 0.7700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK7M20 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 25A (TA) 10V 20mohm @ 10a, 10V 3.6v @ 1ma 10.2 NC @ 10 v +20V, -10V 598 pf @ 25 v - 38W (TA)
BC816-25WX Nexperia USA Inc. BC816-25WX 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC816W 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC816 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 80 v 500 MA 100µA NPN 400mv @ 5ma, 50ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
MJD31CJ Nexperia USA Inc. MJD31CJ 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD31 1.6 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 100 v 3 a 1µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 25 @ 1a, 4v 3MHz
BUK6D56-60EX Nexperia USA Inc. BUK6D56-60EX 0.5300
RFQ
 ECAD 139 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk6d56 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4A (TA), 11a (TC) 4.5V, 10V 56mohm @ 4a, 10V 2.7V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 435 pf @ 30 v - 2W (TA), 15W (TC)
BUK6D385-100EX Nexperia USA Inc. buk6d385-100ex 0.5300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 BUK6D385 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1.4A (TA), 3.7A (TC) 4.5V, 10V 385mohm @ 1.5, 10V 2.7V @ 250µA 6.8 NC @ 10 v ± 20V 195 pf @ 50 v - 2W (TA), 15W (TC)
PMV28ENEAR Nexperia USA Inc. PMV28ENEAR 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV28 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.4A (TA) 4.5V, 10V 37mohm @ 4.4a, 10V 2.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 266 pf @ 15 v - 660MW (TA), 8.3W (TC)
PMV30ENEAR Nexperia USA Inc. pmv30eNear 0.4600
RFQ
 ECAD 9492 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV30 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 4.8A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 4.8a, 10V 2.5V @ 250µA 11.7 NC @ 10 v ± 20V 440 pf @ 20 v - 710MW (TA), 8.3W (TC)
PMN25ENEH Nexperia USA Inc. PMN25ENEH 0.1546
RFQ
 ECAD 4560 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN25 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660264125 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 6.1A (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 6.1a, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 597 pf @ 15 v - 560MW (TA), 6.25MW (TC)
PMPB10ENZ Nexperia USA Inc. pmpb10enz 0.1465
RFQ
 ECAD 5050 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB10 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 9A, 10V 2V @ 250µA 20.6 NC @ 10 v ± 20V 840 pf @ 15 v - 1.8W (TA), 12.5W (TC)
BUK6215-75C,118-NEX Nexperia USA Inc. BUK6215-75C, 118-nex -
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 75 v 57A (TA) 15mohm @ 15a, 10V 2.8V @ 1MA 61.8 nc @ 10 v ± 16V 3900 pf @ 25 v - 128W (TA)
BC847CW/SNF Nexperia USA Inc. BC847CW/SNF -
RFQ
 ECAD 1130 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BUK963R2-40B Nexperia USA Inc. BUK963R2-40B 1.0000
RFQ
 ECAD 3559 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BUK963 - 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 -
NHDTA123JTVL Nexperia USA Inc. NHDTA123JTVL 0.2200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NHDTA123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 150MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
NHUMD3F Nexperia USA Inc. nhumd3f 0.3900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumd3 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 170MHz, 150MHz 10kohms 10kohms
NHUMB2F Nexperia USA Inc. nhumb2f 0.0503
RFQ
 ECAD 1633 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumb2 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 150MHz 47kohms 47kohms
NHDTA144EUF Nexperia USA Inc. NHDTA144EUF 0.0310
RFQ
 ECAD 7120 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 NHDTA144 235 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 80 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 150MHz 47 Kohms 47 Kohms
BUK7Y3R5-40H,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y3R5-40H, 115 -
RFQ
 ECAD 3680 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다