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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PSMN009-100B,118 Nexperia USA Inc. PSMN009-100B, 118 1.3642
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN009 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 8.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 156 NC @ 10 v ± 20V 8250 pf @ 25 v - 230W (TC)
BCV47,215 Nexperia USA Inc. BCV47,215 0.3800
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV47 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 220MHz
BCW68HR Nexperia USA Inc. BCW68HR 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW68 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 800 MA 5µA (ICBO) PNP 450MV @ 50MA, 500MA 250 @ 100MA, 1V 80MHz
BUK9Y40-55B/C3,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y40-55B/C3,115 -
RFQ
 ECAD 6309 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
BC860CW/ZLF Nexperia USA Inc. BC860CW/ZLF -
RFQ
 ECAD 8603 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-BC860CW/ZLF-1727 귀 99 8541.21.0075 10,000
BUK9M53-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M53-60EX 0.6700
RFQ
 ECAD 6935 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M53 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 17A (TC) 5V 46mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 6 nc @ 5 v ± 10V 683 pf @ 25 v - 36W (TC)
PBSS4350D,125 Nexperia USA Inc. PBSS4350D, 125 0.4600
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS4350 750 MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 290mv @ 200ma, 2a 100 @ 2a, 2v 100MHz
BUK7Y2R0-40HX Nexperia USA Inc. BUK7Y2R0-40HX 2.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y2 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 120A (TA) 10V 2MOHM @ 25A, 10V 3.6v @ 1ma 90.5 nc @ 10 v +20V, -10V 5450 pf @ 25 v - 217W (TA)
BC52PA,115 Nexperia USA Inc. BC52PA, 115 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn BC52 420 MW 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
PDTA114TM,315 Nexperia USA Inc. PDTA114TM, 315 0.0396
RFQ
 ECAD 9244 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTA114 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
PSMNR90-40SSHJ Nexperia USA Inc. psmnr90-40sshj 4.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 psmnr90 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 375A (TA) 10V 0.9mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 166 NC @ 10 v ± 20V 12888 pf @ 25 v Schottky Diode (Body) 375W (TA)
PDTA123JM,315 Nexperia USA Inc. PDTA123JM, 315 0.0378
RFQ
 ECAD 2133 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTA123 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 2.2 Kohms 47 Kohms
PEMD2,115 Nexperia USA Inc. PEMD2,115 0.4700
RFQ
 ECAD 4353 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMD2 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V - 22kohms 22kohms
MJD148J Nexperia USA Inc. MJD148J 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 1.6 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 45 v 4 a 1µA NPN 500mv @ 200ma, 2a 85 @ 500ma, 1V 3MHz
BUK9K25-40RAX Nexperia USA Inc. BUK9K25-40RAX 1.1800
RFQ
 ECAD 5357 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK9K25 MOSFET (금속 (() 32W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 18.2A (TA) 24mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 6.3NC @ 5V 701pf @ 25v 논리 논리 게이트
PSMN017-30EL,127 Nexperia USA Inc. PSMN017-30EL, 127 -
RFQ
 ECAD 3587 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA PSMN017 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 32A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10V 2.15v @ 1ma 10.7 NC @ 10 v ± 20V 552 pf @ 15 v - 47W (TC)
PDTC124ET,215 Nexperia USA Inc. PDTC124ET, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC124 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V 22 KOHMS 22 KOHMS
PSMN1R6-40YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R6-40YLC, 115 -
RFQ
 ECAD 4522 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK MOSFET (금속 (() LFPAK56; Power-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.55mohm @ 25a, 10V 1.95v @ 1ma 126 NC @ 10 v ± 20V 7790 pf @ 20 v - 288W (TC)
PBHV9050T-QR Nexperia USA Inc. PBHV9050T-QR 0.1351
RFQ
 ECAD 2654 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW TO-236AB 다운로드 귀 99 8541.21.0095 3,000 500 v 150 MA 100NA PNP 200mv @ 10ma, 50ma 100 @ 10ma, 10V 50MHz
PBSS4560PA,115 Nexperia USA Inc. PBSS4560PA, 115 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn PBSS4560 2.1 w 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 60 v 6 a 100NA NPN 290mv @ 300ma, 6a 210 @ 2A, 2V 150MHz
PSMN1R4-30YLDX Nexperia USA Inc. psmn1r4-30yldx 1.5900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1R4 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.42mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 54.8 nc @ 10 v ± 20V 3840 pf @ 15 v - 166W (TC)
PMH550UPEH Nexperia USA Inc. pmh550upeh 0.3700
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMH550 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 800MA (TA) 1.8V, 4.5V 640mohm @ 600ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 8V 54.8 pf @ 10 v - 360MW (TA), 2.23W (TC)
PMK35EP,518 Nexperia USA Inc. PMK35EP, 518 -
RFQ
 ECAD 2199 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 14.9A (TC) 10V 19mohm @ 9.2a, 10V 3V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 25V 2100 pf @ 25 v - 6.9W (TC)
BC847BPNH-QF Nexperia USA Inc. BC847BPNH-QF 0.0305
RFQ
 ECAD 1455 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 220MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PBHV8115T-QR Nexperia USA Inc. PBHV8115T-QR 0.1351
RFQ
 ECAD 3061 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBHV8115T-QRTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 150 v 1 a 100NA NPN 350mv @ 200ma, 1a 100 @ 100ma, 10V 30MHz
BC857W,135 Nexperia USA Inc. BC857W, 135 0.1700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BCP51-16,115 Nexperia USA Inc. BCP51-16,115 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP51 1 W. SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 145MHz
BCW60C,235 Nexperia USA Inc. BCW60C, 235 0.0362
RFQ
 ECAD 2320 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW60 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 32 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 250 @ 2MA, 5V 250MHz
PMZB370UNE,315 Nexperia USA Inc. PMZB370Unue, 315 -
RFQ
 ECAD 7715 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 900MA (TA) 1.8V, 4.5V 490mohm @ 500ma, 4.5v 1.05V @ 250µA 1.16 NC @ 15 v ± 8V 78 pf @ 25 v - 360MW (TA), 2.7W (TC)
PSMN7R5-30YLDX Nexperia USA Inc. psmn7r5-30yldx 0.8000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn7r5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 51A (TJ) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 15a, 10V 2.2v @ 1ma 11.3 NC @ 10 v ± 20V 655 pf @ 15 v - 34W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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