SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BCX55-10,115 Nexperia USA Inc. BCX55-10,115 0.4700
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX55 1.25 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BC847BQBZ Nexperia USA Inc. BC847BQBZ 0.2400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC847XQB 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC847 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BCV63,215 Nexperia USA Inc. BCV63,215 0.4100
RFQ
 ECAD 8989 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV63 250MW SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30V, 6V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 650mv @ 5ma, 100ma / 250mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V / 110 @ 2MA, 700MV 100MHz
NXP3875YVL Nexperia USA Inc. NXP3875YVL 0.2900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NXP3875 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
2PD602AQL,235 Nexperia USA Inc. 2pd602aql, 235 0.3000
RFQ
 ECAD 1234 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2pd602 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 500 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 30ma, 300ma 85 @ 150ma, 10V 140MHz
BC817-40QCZ Nexperia USA Inc. BC817-40QCZ 0.2800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC817QC 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC817 380 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
PSMN1R2-55SLHAX Nexperia USA Inc. PSMN1R2-55SLHAX 6.4400
RFQ
 ECAD 2654 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 330A (TA) 4.5V, 10V 1.03mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 395 NC @ 10 v ± 20V 25773 pf @ 27 v Schottky 분리 (다이오드) 375W (TA)
BUK9606-40B,118 Nexperia USA Inc. BUK9606-40B, 118 -
RFQ
 ECAD 6017 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK9606 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 5V, 10V 5MOHM @ 25A, 10V 2V @ 1mA 44 NC @ 5 v ± 15V 4901 pf @ 25 v - 203W (TC)
PBSS4240DPN,115 Nexperia USA Inc. PBSS4240dpn, 115 0.4400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS4240 1.1W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 40V 1.35a, 1.1a 100NA NPN, PNP 400mv @ 200ma, 2a / 530mv @ 200ma, 2a 300 @ 500ma, 5V / 300 @ 100MA, 5V 150MHz
PMN35EN,125 Nexperia USA Inc. PMN35EN, 125 -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 5.1A (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 5.1a, 10V 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 334 pf @ 15 v - 500MW (TA)
BC817K-16HVL Nexperia USA Inc. BC817K-16HVL 0.2500
RFQ
 ECAD 1849 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 350 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
PSMN5R6-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN5R6-60YLX 1.2500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn5r6 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 100A (TC) 5V, 10V 5.6mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 66.8 nc @ 10 v ± 20V 5026 pf @ 25 v - 167W (TC)
BSP250,115 Nexperia USA Inc. BSP250,115 0.6600
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP250 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 30 v 3A (TC) 10V 250mohm @ 1a, 10V 2.8V @ 1MA 25 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 20 v - 1.65W (TA)
BUK763R6-40C,118 Nexperia USA Inc. BUK763R6-40C, 118 -
RFQ
 ECAD 6748 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 3.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 97 NC @ 10 v ± 20V 5708 pf @ 25 v - 203W (TC)
PMV42ENER Nexperia USA Inc. pmv42ener 0.4300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv42 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.4A (TA) 4.5V, 10V 36mohm @ 4.4a, 10V 2V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 20V 281 pf @ 15 v - 500MW (TA), 5W (TC)
BC846B,215 Nexperia USA Inc. BC846B, 215 0.1400
RFQ
 ECAD 913 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC846X 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC869,115 Nexperia USA Inc. BC869,115 0.5100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BC869 1.2 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500ma, 1V 140MHz
PUMD48,115 Nexperia USA Inc. PUMD48,115 0.2900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD48 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma / 100mv @ 250µa, 5mA 80 @ 5ma, 5v / 100 @ 10ma, 5V - 47kohms, 2.2kohms 47kohms
BUK7E04-40A,127 Nexperia USA Inc. BUK7E04-40A, 127 -
RFQ
 ECAD 1313 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 117 NC @ 10 v ± 20V 5730 pf @ 25 v - 300W (TC)
PMGD370XN,115 Nexperia USA Inc. PMGD370XN, 115 -
RFQ
 ECAD 7077 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMGD370 MOSFET (금속 (() 410MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 740ma 440mohm @ 200ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 0.65NC @ 4.5V 37pf @ 25v 논리 논리 게이트
PMBT4403Z Nexperia USA Inc. PMBT4403Z 0.1400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT4403 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 200MHz
BC857BW/MIF Nexperia USA Inc. BC857BW/MIF -
RFQ
 ECAD 3174 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069651135 귀 99 8541.21.0075 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 220 @ 2MA, 5V 100MHz
PDTA144ET,215 Nexperia USA Inc. PDTA144ET, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA144 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 47 Kohms 47 Kohms
BUK9Y7R6-40E,115 Nexperia USA Inc. buk9y7r6-40e, 115 0.5313
RFQ
 ECAD 6583 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y7 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 79A (TC) 5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2.1v @ 1ma 16.4 NC @ 5 v ± 10V 2403 pf @ 25 v - 95W (TC)
BUK9Y30-75B,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y30-75B, 115 1.2500
RFQ
 ECAD 9391 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y30 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 75 v 34A (TC) 5V 28mohm @ 15a, 10V 2V @ 1mA 19 NC @ 5 v ± 15V 2070 pf @ 25 v - 85W (TC)
PHKD6N02LT,518 Nexperia USA Inc. phkd6n02lt, 518 -
RFQ
 ECAD 3982 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) phkd6 MOSFET (금속 (() 4.17W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 2156-PHKD6N02LT, 518-1727 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 10.9a 20mohm @ 3a, 5V 1.5V @ 250µA 15.3NC @ 5V 950pf @ 10V 논리 논리 게이트
PBSS4160XF Nexperia USA Inc. PBSS4160XF 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4160 1.35 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 200mv @ 50ma, 500ma 170 @ 500ma, 10V 180MHz
BSS138PS,115 Nexperia USA Inc. BSS138PS, 115 0.4300
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (금속 (() 420MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 320MA 1.6ohm @ 300ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.8NC @ 4.5V 50pf @ 10V 논리 논리 게이트
BC817-25-QR Nexperia USA Inc. BC817-25-QR 0.0326
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC817-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
BF722-QX Nexperia USA Inc. BF722-QX 0.1660
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BF722 1.2 w SOT-223 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BF722-QXTR 귀 99 8541.29.0075 1,000 250 v 100 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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