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트랜지스터 (4628)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
BUK7909-75ATE, 127	-	RFQ	4203	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-5		MOSFET (금속 (()		TO-220-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	75 v	75A (TC)	10V	9mohm @ 50a, 10V	4V @ 1MA	121 NC @ 10 v	± 20V	4700 pf @ 25 v	온도 온도 다이오드	272W (TC)
MJD148-QJ	0.5500	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			1.6 w	DPAK	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500													45 v	4 a	1µA	NPN	500mv @ 200ma, 2a	85 @ 500ma, 1V	3MHz
BUK7109-75ATE, 118	-	RFQ	2539	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB		MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	75 v	75A (TC)	10V	9mohm @ 50a, 10V	4V @ 1MA	121 NC @ 10 v	± 20V	4700 pf @ 25 v	온도 온도 다이오드	272W (TC)
PDTA124XQB-QZ	0.2900	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면, 마운트 측면	3-xdfn d 패드	PDTA124		340 MW	DFN1110D-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	5,000													50 v	100 MA	100NA	pnp- 사전-	100mv @ 500µa, 10ma	80 @ 5ma, 5V	180MHz	22 KOHMS	47 Kohms
BC847C/DG/B4VL	-	RFQ	9188	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC847		250 MW	TO-236AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934068362235	귀 99	8541.21.0075	10,000													45 v	100 MA	15NA (ICBO)	NPN	400mv @ 5ma, 100ma	420 @ 2MA, 5V	100MHz
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PSMN3R3-40YS, 115	1.2400	RFQ	28	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	psmn3r3	MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널	40 v	100A (TC)	10V	3.3mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	49 NC @ 10 v	± 20V	2754 pf @ 20 v	-	117W (TC)
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PMPB100ENEX	0.5000	RFQ	9371	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	PMPB100	MOSFET (금속 (()		DFN2020MD-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	5.1A (TA)	4.5V, 10V	72mohm @ 3.9a, 10V	2.5V @ 250µA	5 nc @ 10 v	± 20V	157 pf @ 15 v	-	3.3W (TA)
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BC847C/DG/B3,235	-	RFQ	3060	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	TO-236AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934066599235	귀 99	8541.21.0075	10,000													45 v	100 MA	15NA (ICBO)	NPN	400mv @ 5ma, 100ma	420 @ 2MA, 5V	100MHz
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pmv45en2vl	0.1133	RFQ	2541	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	pmv45en2	MOSFET (금속 (()		TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934068494235	귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널	30 v	5.1A (TA)	4.5V, 10V	42mohm @ 4.1a, 10V	2V @ 250µA	6.3 NC @ 10 v	± 20V	209 pf @ 15 v	-	510MW (TA)
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (4628)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²