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트랜지스터 (4628)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
PBHV9115T-QR	0.1351	RFQ	9312	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-PBHV9115T-QRTR	귀 99	8541.21.0075	3,000													150 v	1 a	100NA	PNP	300mv @ 100ma, 500ma	100 @ 100ma, 10V	115MHz
PEMB14,115	-	RFQ	8794	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	SOT-563, SOT-666	PEMB14		300MW	SOT-666	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	4,000													50V	100ma	1µA	2 pnp--바이어스 (듀얼)	150mv @ 500µa, 10ma	100 @ 1ma, 5V	-	47kohms	-
buk6d22-30ex	0.4200	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	buk6d22	MOSFET (금속 (()		DFN2020MD-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	7.2A (TA), 22A (TC)	4.5V, 10V	22mohm @ 7.2a, 10V	2.5V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	440 pf @ 15 v	-	2W (TA), 19W (TC)
BUK7608-40B, 118	-	RFQ	3475	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	40 v	75A (TC)	10V	8mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	36 nc @ 10 v	± 20V	2689 pf @ 25 v	-	157W (TC)
BUK725R0-40C, 118	-	RFQ	6477	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	75A (TC)	10V	5MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA	60 nc @ 10 v	± 20V	3820 pf @ 25 v	-	157W (TC)
BCP54,135	0.4700	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BCP54		960 MW	SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	4,000													45 v	1 a	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50ma, 500ma	63 @ 150ma, 2V	180MHz
PUMD13/ZLF	-	RFQ	6383	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	대부분	쓸모없는		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMD13		300MW	6-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1													50V	100ma	1µA	1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	100MV @ 250µA, 5MA	100 @ 10ma, 5V	230MHz, 180MHz	4.7kohms	47kohms
PBLS4002d, 115	-	RFQ	2057	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	SC-74, SOT-457	PBLS4002		600MW	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000													50V, 40V	100ma, 700ma	1µA, 100NA	1 npn 프리 n, 1 pnp	150mv @ 500µa, 10ma / 310mv @ 100ma, 1a	30 @ 10ma, 5V / 300 @ 100MA, 5V	150MHz	4.7kohms	4.7kohms
BUK9620-55A, 118	-	RFQ	4948	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	55 v	54A (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 25a, 10V	2V @ 1mA		± 10V	2210 pf @ 25 v	-	118W (TC)
psmn2r3-100ssej	7.1300	RFQ	7252	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-1235	psmn2r3	MOSFET (금속 (()		LFPAK88 (SOT1235)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	100 v	255A (TA)	10V	2.2MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA	160 nc @ 10 v	± 20V	17200 pf @ 50 v	-	341W (TA)
BC847BW/SNF	-	RFQ	5658	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323			200 MW	SC-70	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000													45 v	100 MA	15NA (ICBO)	NPN	400mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	100MHz
PBSS4160X, 135	-	RFQ	8556	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인								다운로드						0000.00.0000	1
pmpb8xnx	0.4400	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	PMPB8	MOSFET (금속 (()		DFN2020MD-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	10.1A (TA)	1.5V, 4.5V	12mohm @ 10.1a, 4.5v	900MV @ 250µA	30 nc @ 4.5 v	± 8V	1696 pf @ 10 v	-	1.9W (TA), 12.5W (TC)
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PEMT1,115	0.4700	RFQ	14	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	PEMT1		300MW	SOT-666	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	4,000													40V	100ma	100NA (ICBO)	2 PNP (()	200mv @ 5ma, 50ma	120 @ 1ma, 6V	100MHz
BUK661R8-30C, 118	-	RFQ	9924	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	BUK661	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	30 v	120A (TC)	4.5V, 10V	1.9mohm @ 25a, 10V	2.8V @ 1MA	168 NC @ 10 v	± 16V	10918 pf @ 25 v	-	263W (TC)
BUK9515-100A, 127	-	RFQ	9637	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	75A (TC)	4.5V, 10V	14.4mohm @ 25a, 10V	2V @ 1mA		± 10V	8600 pf @ 25 v	-	230W (TC)
BUK7K29-100EX	1.7600	RFQ	21	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-1205, 8-LFPAK56	BUK7K29	MOSFET (금속 (()	68W	LFPAK56D	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500	2 n 채널 (채널)		100V	29.5A		24.5mohm @ 10a, 10V	4V @ 1MA	38.1NC @ 10V		2436pf @ 25v	-
BCX51,115	0.4700	RFQ	6	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	BCX51		1.3 w	SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000													45 v	1 a	100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 50ma, 500ma	63 @ 150ma, 2V	145MHz
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BCP52-16,115	0.4700	RFQ	36	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BCP52		1 W.	SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000													60 v	1 a	100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	145MHz
PMBT3946VPN, 115	0.3800	RFQ	182	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	PMBT3946		240MW	SOT-666	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	4,000													40V	200ma	50NA (ICBO)	NPN, PNP	300mv @ 5ma, 50ma / 400mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz, 250MHz
PUMD17,115	0.3400	RFQ	40	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMD17		300MW	6-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000													50V	100ma	1µA	1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	150mv @ 500µa, 10ma	60 @ 5MA, 5V	-	47kohms	22kohms
PDTA123JT, 215	0.1700	RFQ	8137	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA123		250 MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000													50 v	100 MA	100NA (ICBO)	pnp- 사전-	100MV @ 250µA, 5MA	100 @ 10ma, 5V		2.2 Kohms	47 Kohms
BC817K-16R	0.2600	RFQ	5331	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817		250 MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	100NA (ICBO)	NPN	700mv @ 50ma, 500ma	100 @ 100ma, 1v	100MHz
BC859BW, 135	0.0305	RFQ	9914	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC859		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000													30 v	100 MA	15NA (ICBO)	PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	100MHz
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2N7002PV, 115	0.4200	RFQ	11	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	2N7002	MOSFET (금속 (()	330MW	SOT-666	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	4,000	2 n 채널 (채널)		60V	350ma		1.6ohm @ 500ma, 10V	2.4V @ 250µA	0.8NC @ 4.5V		50pf @ 10V	논리 논리 게이트
BUK961R6-40E, 118	4.0500	RFQ	11	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	BUK961	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	40 v	120A (TC)	5V	1.4mohm @ 25a, 10V	2.1v @ 1ma	120 nc @ 5 v	± 10V	16400 pf @ 25 v	-	357W (TC)
BUK7227-100B, 118	1.7400	RFQ	16	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 185 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	BUK7227	MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	48A (TC)	10V	27mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	37 NC @ 10 v	± 20V	2789 pf @ 25 v	-	167W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (4628)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²