SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PBSS4160XF Nexperia USA Inc. PBSS4160XF 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4160 1.35 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 200mv @ 50ma, 500ma 170 @ 500ma, 10V 180MHz
BUK7E04-40A,127 Nexperia USA Inc. BUK7E04-40A, 127 -
RFQ
 ECAD 1313 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 117 NC @ 10 v ± 20V 5730 pf @ 25 v - 300W (TC)
BC817-25-QR Nexperia USA Inc. BC817-25-QR 0.0326
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC817-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
PMN35EN,125 Nexperia USA Inc. PMN35EN, 125 -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 5.1A (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 5.1a, 10V 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 334 pf @ 15 v - 500MW (TA)
BC856S,115 Nexperia USA Inc. BC856S, 115 0.2800
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN5R6-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN5R6-60YLX 1.2500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn5r6 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 100A (TC) 5V, 10V 5.6mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 66.8 nc @ 10 v ± 20V 5026 pf @ 25 v - 167W (TC)
PBSS5160V,115 Nexperia USA Inc. PBSS5160V, 115 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PBSS5160 500MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 60 v 900 MA 100NA PNP 330mv @ 100ma, 1a 150 @ 500ma, 5V 220MHz
BC857BW/MIF Nexperia USA Inc. BC857BW/MIF -
RFQ
 ECAD 3174 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069651135 귀 99 8541.21.0075 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 220 @ 2MA, 5V 100MHz
PBSS4240DPN,115 Nexperia USA Inc. PBSS4240dpn, 115 0.4400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS4240 1.1W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 40V 1.35a, 1.1a 100NA NPN, PNP 400mv @ 200ma, 2a / 530mv @ 200ma, 2a 300 @ 500ma, 5V / 300 @ 100MA, 5V 150MHz
PMGD370XN,115 Nexperia USA Inc. PMGD370XN, 115 -
RFQ
 ECAD 7077 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMGD370 MOSFET (금속 (() 410MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 740ma 440mohm @ 200ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 0.65NC @ 4.5V 37pf @ 25v 논리 논리 게이트
BSS138PS,115 Nexperia USA Inc. BSS138PS, 115 0.4300
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (금속 (() 420MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 320MA 1.6ohm @ 300ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.8NC @ 4.5V 50pf @ 10V 논리 논리 게이트
BUK9Y7R6-40E,115 Nexperia USA Inc. buk9y7r6-40e, 115 0.5313
RFQ
 ECAD 6583 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y7 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 79A (TC) 5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2.1v @ 1ma 16.4 NC @ 5 v ± 10V 2403 pf @ 25 v - 95W (TC)
PDTA123EU,115 Nexperia USA Inc. PDTA123EU, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTA123 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
PDTA114YUF Nexperia USA Inc. PDTA114YUF 0.1900
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTA114 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 100 MA 1µA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 180MHz 10 KOHMS 47 Kohms
PMST3904/ZLX Nexperia USA Inc. PMST3904/ZLX -
RFQ
 ECAD 4894 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMST3904 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 40 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
BUK7240-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK7240-100A, 118 1.6800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BUK7240 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 34A (TC) 10V 40mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 2293 pf @ 25 v - 114W (TC)
PSMN057-200B,118 Nexperia USA Inc. PSMN057-200B, 118 2.9300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN057 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 39A (TC) 10V 57mohm @ 17a, 10V 4V @ 1MA 96 NC @ 10 v ± 20V 3750 pf @ 25 v - 250W (TC)
BCP56-16-QX Nexperia USA Inc. BCP56-16-QX 0.1038
RFQ
 ECAD 3285 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BCP56-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 180MHz
BUK7528-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK7528-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 3881 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 28mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1165 pf @ 25 v - 99W (TC)
PBSS4240ZX Nexperia USA Inc. PBSS4240ZX 0.1563
RFQ
 ECAD 6711 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBSS4240 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000
BC847C/DG/B3,215 Nexperia USA Inc. BC847C/DG/B3,215 -
RFQ
 ECAD 9599 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934066599215 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PDTC144TM,315 Nexperia USA Inc. PDTC144TM, 315 0.0396
RFQ
 ECAD 2784 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTC144 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V 47 Kohms
PBSS4250X,135 Nexperia USA Inc. PBSS4250X, 135 0.4200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4250 1 W. SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 50 v 2 a 100NA NPN 320mv @ 200ma, 2a 300 @ 1a, 2v 100MHz
PDTA143XT,215 Nexperia USA Inc. PDTA143XT, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA143 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 10 KOHMS
PSMN4R3-40MLHX Nexperia USA Inc. psmn4r3-40mlhx 1.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn4r3 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 95A (TA) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 43 NC @ 10 v ± 20V 3007 pf @ 20 v - 90W (TA)
PSMP033-60YEX Nexperia USA Inc. PSMP033-60YEX 1.1900
RFQ
 ECAD 1728 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMP033 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 60 v 30A (TA) 4.5V, 10V 33mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 2590 pf @ 30 v - 110W (TA)
PMN50UPE,115 Nexperia USA Inc. PMN50UPE, 115 -
RFQ
 ECAD 9056 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.6A (TA) 1.8V, 4.5V 66mohm @ 3.6a, 4.5v 900MV @ 250µA 15.7 NC @ 10 v ± 8V 24 pf @ 10 v - 510MW (TA)
PDTA144VM,315 Nexperia USA Inc. PDTA144VM, 315 0.0396
RFQ
 ECAD 8021 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTA144 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 40 @ 5MA, 5V 47 Kohms 10 KOHMS
BC51-16PA,115 Nexperia USA Inc. BC51-16PA, 115 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn BC51 420 MW 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
BUK9K8R7-40EX Nexperia USA Inc. BUK9K8R7-40EX 1.4800
RFQ
 ECAD 5285 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k8 MOSFET (금속 (() 53W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 30A 8mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 15.7NC @ 5V 2110pf @ 25v 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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