SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PSMN8R2-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN8R2-80YS, 115 1.5300
RFQ
 ECAD 9253 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn8r2 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 82A (TC) 10V 8.5mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 55 NC @ 10 v ± 20V 3640 pf @ 40 v - 130W (TC)
BUK9K35-60RAX Nexperia USA Inc. BUK9K35-60RAX 1.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK9K35 MOSFET (금속 (() 38W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 22A (TA) 32mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 7.8nc @ 5v 1081pf @ 25v 논리 논리 게이트
PHPT60410NYX Nexperia USA Inc. phpt60410nyx 0.6600
RFQ
 ECAD 422 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PHPT60410 1.3 w LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 40 v 10 a 100NA NPN 460mv @ 500ma, 10a 230 @ 500ma, 2V 128MHz
NXV100XPR Nexperia USA Inc. NXV100XPR 0.4400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.5A (TA) 1.8V, 4.5V 140mohm @ 1.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 6.4 NC @ 4.5 v ± 12V 354 pf @ 15 v - 340MW (TA), 2.1W (TC)
BCX54,115 Nexperia USA Inc. BCX54,115 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX54 1.25 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BC806-16WF Nexperia USA Inc. BC806-16WF 0.2100
RFQ
 ECAD 192 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC806 500MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 155MHz
PMZB150UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB150UNYL 0.4400
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMZB150 MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 1.5A (TA) 1.5V, 4.5V 200mohm @ 1.5a, 4.5v 950MV @ 250µA 1.6 NC @ 4.5 v ± 8V 93 pf @ 10 v - 350MW (TA), 6.25W (TC)
2PB710ARL,215 Nexperia USA Inc. 2PB710ARL, 215 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2PB710 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 10NA (ICBO) PNP 600mv @ 30ma, 300ma 120 @ 150ma, 10V 120MHz
BSV52,215 Nexperia USA Inc. BSV52,215 0.5000
RFQ
 ECAD 377 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSV52 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 100 MA 400NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 40 @ 10ma, 1v 500MHz
PSMN014-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN014-80YLX 1.1200
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN014 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 62A (TC) 5V, 10V 14mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 28.9 NC @ 5 v ± 20V 4640 pf @ 25 v - 147W (TC)
BUK98150-55A/CUF Nexperia USA Inc. BUK98150-55A/CUF 0.5400
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BUK98150 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 55 v 5.5A (TC) 4.5V, 10V 137mohm @ 5a, 10V 2V @ 1mA 5.3 NC @ 5 v ± 15V 320 pf @ 25 v - 8W (TC)
BCX53-16TF Nexperia USA Inc. BCX53-16TF 0.4000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX53 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 140MHz
PSMN020-30MLCX Nexperia USA Inc. PSMN020-30MLCX 0.5700
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) PSMN020 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 31.8A (TC) 4.5V, 10V 18.1MOHM @ 5A, 10V 1.95v @ 1ma 9.5 nc @ 10 v ± 20V 430 pf @ 15 v - 33W (TC)
BCP53-10,135 Nexperia USA Inc. BCP53-10,135 0.1078
RFQ
 ECAD 5765 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP53 1 W. SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
PMDPB70EN,115 Nexperia USA Inc. PMDPB70EN, 115 -
RFQ
 ECAD 7317 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PMDPB70 MOSFET (금속 (() 510MW 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.5a 57mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250µA 4.5NC @ 10V 130pf @ 15V 논리 논리 게이트
PMBT4403YSX Nexperia USA Inc. PMBT4403YSX 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT4403 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 10ma, 1v 200MHz
BCV46,215 Nexperia USA Inc. BCV46,215 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV46 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 220MHz
PUMH11/ZLF Nexperia USA Inc. PUMH11/ZLF -
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumh11 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz 10kohms 10kohms
BC69PASX Nexperia USA Inc. BC69PASX 0.3700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC69 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 200ma, 2a 85 @ 500ma, 1V 140MHz
BCP56-10HX Nexperia USA Inc. BCP56-10HX 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 100MHz
PBSS5350D-QX Nexperia USA Inc. PBSS5350D-QX 0.1077
RFQ
 ECAD 8133 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 600MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS5350D-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 200ma, 2a 200 @ 1a, 2v 100MHz
PBHV9040X,115 Nexperia USA Inc. PBHV9040X, 115 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBHV9040 1.5 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 400 v 250 MA 100NA PNP 200mv @ 20ma, 100ma 80 @ 100MA, 10V 55MHz
BC856AW-QF Nexperia USA Inc. BC856AW-QF 0.0252
RFQ
 ECAD 1848 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC856 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1727-BC856AW-QFTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BC847BPN/DG/B4X Nexperia USA Inc. BC847bpn/dg/b4x -
RFQ
 ECAD 5053 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 400MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070438115 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PMPB23XNE,115 Nexperia USA Inc. PMPB23XNE, 115 0.1310
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB23 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 7A (TA) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 7a, 4.5v 900MV @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 12V 1136 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BC817-25QBZ Nexperia USA Inc. BC817-25QBZ 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC817QB 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC817 350 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
BUK7Y98-80EX Nexperia USA Inc. BUK7Y98-80EX 0.2796
RFQ
 ECAD 1656 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y98 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 12.3A (TC) 10V 98mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 8.5 NC @ 10 v ± 20V 498 pf @ 25 v - 37W (TC)
PDTA144EU,115 Nexperia USA Inc. PDTA144EU, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTA144 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 47 Kohms 47 Kohms
BC807-16QBH-QZ Nexperia USA Inc. BC807-16QBH-QZ 0.3200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC807QBH-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 420 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 80MHz
BUK9Y6R0-60E,115 Nexperia USA Inc. buk9y6r0-60e, 115 1.6500
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y6 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 100A (TC) 5V 5.2MOHM @ 25A, 10V 2.1v @ 1ma 39.4 NC @ 5 v ± 10V 6319 pf @ 25 v - 195W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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