SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BCW30,215 Nexperia USA Inc. BCW30,215 0.2700
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW30 250 MW TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 150mv @ 2.5ma, 50ma 215 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN7R6-60PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN7R6-60PS, 127 2.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn7r6 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 92A (TC) 10V 7.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 38.7 NC @ 10 v ± 20V 2651 pf @ 30 v - 149W (TC)
PDTA124XT/APGR Nexperia USA Inc. PDTA124XT/APGR -
RFQ
 ECAD 1508 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA124 150 MW TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 22 KOHMS 47 Kohms
PUMX2,115 Nexperia USA Inc. PUMX2,115 0.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumx2 300MW 6-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 100MHz
BC807-40LWF Nexperia USA Inc. BC807-40LWF 0.0278
RFQ
 ECAD 8523 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC807 200 MW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 80MHz
BCX19,235 Nexperia USA Inc. BCX19,235 0.2900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX19 250 MW TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 620mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
PQMH11Z Nexperia USA Inc. PQMH11Z 0.3400
RFQ
 ECAD 2159 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PQMH11 230MW DFN1010B-6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz 10kohms 10kohms
NHDTA114YUF Nexperia USA Inc. NHDTA114YUF 0.0310
RFQ
 ECAD 2955 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 NHDTA114 235 MW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 150MHz 10 KOHMS 47 Kohms
BUK9K5R1-30EX Nexperia USA Inc. BUK9K5R1-30EX 1.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k5 MOSFET (금속 (() 68W LFPAK56D 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 30V 40a 5.3MOHM @ 10A, 5V 2.1v @ 1ma 26.7NC @ 5V 3065pf @ 25V 논리 논리 게이트
PMV28ENER Nexperia USA Inc. PMV28ENER 0.3900
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 4.4A (TA) 4.5V, 10V 37mohm @ 4.4a, 10V 2.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 266 pf @ 15 v - 660MW (TA), 8.3W (TC)
BC856BS/ZLF Nexperia USA Inc. BC856BS/ZLF -
RFQ
 ECAD 9720 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC856 SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000
BUK6213-30A,118 Nexperia USA Inc. BUK6213-30A, 118 -
RFQ
 ECAD 8956 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 55A (TC) 10V 13mohm @ 10a, 10V 3V @ 1mA 44 NC @ 10 v ± 16V 1986 pf @ 25 v - 102W (TC)
PMP5501G,115 Nexperia USA Inc. PMP5501G, 115 -
RFQ
 ECAD 9526 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 PMP5501 300MW 5-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP ((() 일치하는 쌍, 공통 이미 터 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz
BUK9M14-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M14-40EX 0.8600
RFQ
 ECAD 839 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M14 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 44A (TC) 5V 11mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 11.3 NC @ 5 v ± 10V 1211 pf @ 25 v - 55W (TC)
BC847W,135 Nexperia USA Inc. BC847W, 135 0.1700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC847XW 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN1R8-30BL,118 Nexperia USA Inc. PSMN1R8-30BL, 118 2.6100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN1R8 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 170 nc @ 10 v ± 20V 10180 pf @ 15 v - 270W (TC)
PDTA113ZU,115 Nexperia USA Inc. PDTA113ZU, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTA113 200 MW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 35 @ 5MA, 5V 1 KOHMS 10 KOHMS
PSMN7R0-100PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN7R0-100PS, 127 3.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn7r0 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 100A (TC) 10V 12MOHM @ 15A, 10V 4V @ 1MA 125 nc @ 10 v ± 20V 6686 pf @ 50 v - 269W (TC)
BC847CM,315 Nexperia USA Inc. BC847cm, 315 0.2400
RFQ
 ECAD 3851 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BC847 250 MW SOT-883 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BUK764R0-55B,118 Nexperia USA Inc. BUK764R0-55B, 118 3.1000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK764 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 4mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 86 NC @ 10 v ± 20V 6776 pf @ 25 v - 300W (TC)
PBSS5320T-QR Nexperia USA Inc. PBSS5320T-QR 0.1020
RFQ
 ECAD 5775 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS5320T-QRTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 300ma, 3a 220 @ 500ma, 2V 100MHz
PMV20XNER Nexperia USA Inc. PMV20XNER 0.4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV20 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.7A (TA) 1.8V, 4.5V 23mohm @ 5.7a, 4.5v 900MV @ 250µA 18.6 NC @ 4.5 v ± 12V 1150 pf @ 15 v - 510MW (TA), 6.94W (TC)
BCX70H,215 Nexperia USA Inc. BCX70H, 215 0.2100
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX70 250 MW TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 180 @ 2MA, 5V 250MHz
BC857BW/SNX Nexperia USA Inc. BC857BW/SNX -
RFQ
 ECAD 8911 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 220 @ 2MA, 5V 100MHz
PMPB25ENEAX Nexperia USA Inc. PMPB25ENEAX -
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB25 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070702115 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.2A (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 7.2a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 607 pf @ 15 v - 2.08W (TA)
NX7002AKVL Nexperia USA Inc. NX7002AKVL 0.1900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NX7002 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 190ma (TA) 5V, 10V 4.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.43 nc @ 4.5 v ± 20V 20 pf @ 10 v - 265MW (TA)
BUK9K6R2-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K6R2-40E, 115 1.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k6 MOSFET (금속 (() 68W LFPAK56D 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 40a 6MOHM @ 25A, 10V 2.1v @ 1ma 35.4NC @ 10V 3281pf @ 25v 논리 논리 게이트
PZT2222A/ZLF Nexperia USA Inc. PZT2222A/ZLF -
RFQ
 ECAD 7835 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZT2222 1.15 w SOT-223 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070722135 귀 99 8541.29.0075 1 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
BC847CW/MIX Nexperia USA Inc. BC847CW/믹스 -
RFQ
 ECAD 4541 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068904115 귀 99 8541.21.0075 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BC847BPNHF Nexperia USA Inc. BC847BPNHF -
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 270MW 6-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 1727-BC847BPNHF 쓸모없는 1 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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