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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PDTC114ET,235 Nexperia USA Inc. PDTC114ET, 235 0.1700
RFQ
ECAD 59 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BC807K-25,235 Nexperia USA Inc. BC807K-25,235 -
RFQ
ECAD 2039 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
2PA1576S-QX Nexperia USA Inc. 2PA1576S-QX 0.0360
RFQ
ECAD 9654 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-2PA1576S-QXTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 270 @ 1ma, 6V 100MHz
BC56-10PA,115 Nexperia USA Inc. BC56-10PA, 115 0.0881
RFQ
ECAD 9307 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn BC56 420 MW 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BC847C-QVL Nexperia USA Inc. BC847C-QVL 0.0163
RFQ
ECAD 1597 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC847X-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN4R8-100YSEX Nexperia USA Inc. psmn4r8-100ysex 3.8700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 120A (TA) 10V 4.8mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 120 nc @ 10 v ± 20V 8290 pf @ 50 v - 294W (TA)
BCX53-10TX Nexperia USA Inc. BCX53-10TX 0.4000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX53 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 140MHz
PUMD2,125 Nexperia USA Inc. PUMD2,125 0.2900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumd2 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V - 22kohms 22kohms
PUMH2/DG/B3,115 Nexperia USA Inc. PUMH2/DG/B3,115 -
RFQ
ECAD 8147 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMH2 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934066964115 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 230MHz 47kohms 47kohms
BSP43,115 Nexperia USA Inc. BSP43,115 0.5900
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP43 1.3 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 5V 100MHz
PMBT5551,235 Nexperia USA Inc. PMBT5551,235 0.3400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT5551 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 160 v 300 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
PDTD113EQAZ Nexperia USA Inc. PDTD113EQAZ 0.0579
RFQ
ECAD 8564 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xdfn d 패드 PDTD113 325 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 33 @ 50MA, 5V 210MHz 1 KOHMS 1 KOHMS
NHUMH1X Nexperia USA Inc. nhumh1x 0.3900
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumh1 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80V 100ma 100NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 70 @ 10ma, 5V 170MHz 22kohms 22kohms
NX138AKVL Nexperia USA Inc. NX138AKVL 0.0302
RFQ
ECAD 1762 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NX138 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 190ma (TA) 2.5V, 10V 4.5ohm @ 190ma, 10V 1.5V @ 250µA 1.4 NC @ 10 v ± 20V 20 pf @ 30 v - 265MW (TA)
BUK92150-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK92150-55A, 118 -
RFQ
ECAD 8269 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 11A (TC) 4.5V, 10V 125mohm @ 5a, 10V 2V @ 1mA 6 nc @ 5 v ± 15V 338 pf @ 25 v - 36W (TC)
PBSS2540MB,315 Nexperia USA Inc. PBSS2540MB, 315 0.3100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PBSS2540 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 500 MA 100µA (ICBO) NPN 50MV @ 500µA, 10MA 200 @ 10ma, 2v 450MHz
BC857AQC-QZ Nexperia USA Inc. BC857AQC-QZ 0.2700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC857XQC-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC857 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BUK98180-100A/CUX Nexperia USA Inc. BUK98180-100A/CUX 0.6300
RFQ
ECAD 111 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BUK98180 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 4.6A (TC) 4.5V, 10V 173mohm @ 5a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 619 pf @ 25 v - 8W (TC)
BSR14,215 Nexperia USA Inc. BSR14,215 0.4300
RFQ
ECAD 170 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSR14 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 800 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
BUK7K5R6-30E,115 Nexperia USA Inc. BUK7K5R6-30E, 115 1.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk7k5 MOSFET (금속 (() 64W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 30V 40a 5.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 29.7NC @ 10V 1969pf @ 25v -
PBLS6022D,115 Nexperia USA Inc. PBLS6022D, 115 0.4300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBLS6022 760MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V, 60V 100ma, 1.5a 1µA, 100NA 1 pnp 사전 p, 1 pnp 150mv @ 500µa, 10ma / 260mv @ 100ma, 1.5a 30 @ 10ma, 5v / 140 @ 1a, 2v 150MHz 4.7kohms 4.7kohms
PUMH7,115 Nexperia USA Inc. PUMH7,115 0.2900
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumh7 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 200 @ 1ma, 5V - 4.7kohms -
BC849CW,115 Nexperia USA Inc. BC849CW, 115 0.2100
RFQ
ECAD 76 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC849 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN1R9-40PL,127 Nexperia USA Inc. PSMN1R9-40PL, 127 1.6700
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 psmn1r9 다운로드 0000.00.0000 194
PMV130ENEA/DG/B2R Nexperia USA Inc. PMV130ENEA/DG/B2R -
RFQ
ECAD 4379 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068781215 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 2.1A (TA) 4.5V, 10V 120mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 250µA 3.6 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 20 v - 5W (TC)
BCM846BSH-QF Nexperia USA Inc. BCM846BSH-QF 0.0852
RFQ
ECAD 5991 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BCM846 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-BCM846BSH-QF 귀 99 8541.21.0095 10,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
PEMD9,115 Nexperia USA Inc. PEMD9,115 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMD9 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V - 10kohms 47kohms
2PB709ART,215 Nexperia USA Inc. 2pb709art, 215 0.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2PB709 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 10NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 210 @ 2MA, 10V 70MHz
PBRP123YT,215 Nexperia USA Inc. PBRP123YT, 215 0.3700
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRP123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 MA 500NA pnp- 사전- 750mv @ 6ma, 600ma 230 @ 300ma, 5V 2.2 Kohms 10 KOHMS
PSMN1R7-30YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R7-30YL, 115 1.9700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1R7 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 77.9 NC @ 10 v ± 20V 5057 pf @ 12 v - 109W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고