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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BUK764R0-55B,118 Nexperia USA Inc. BUK764R0-55B, 118 3.1000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK764 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 4mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 86 NC @ 10 v ± 20V 6776 pf @ 25 v - 300W (TC)
BCX52-10,115 Nexperia USA Inc. BCX52-10,115 0.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX52 1.3 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
BCX56-16,135 Nexperia USA Inc. BCX56-16,135 0.4700
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX56 1.25 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 180MHz
2PD601ARW-QX Nexperia USA Inc. 2pd601arw-qx 0.0412
RFQ
ECAD 1225 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-2pd601arw-qxtr 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 10NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 210 @ 2MA, 10V 100MHz
PBSS5250T,215 Nexperia USA Inc. PBSS5250T, 215 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS5250 480 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 100ma, 2a 200 @ 1a, 2v 100MHz
BC847BM,315 Nexperia USA Inc. BC847BM, 315 0.2400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BC847 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BCP52TF Nexperia USA Inc. BCP52TF 0.4800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP52 1.3 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 140MHz
BUK7610-55AL,118 Nexperia USA Inc. BUK7610-55AL, 118 2.9500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK7610 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 10mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 124 NC @ 10 v ± 20V 6280 pf @ 25 v - 300W (TC)
NHUMB13X Nexperia USA Inc. NHUMB13X 0.3900
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NHUMB13 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80V 100ma 100NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 150MHz 4.7kohms 47kohms
BCX54,115 Nexperia USA Inc. BCX54,115 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX54 1.25 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BUK9M52-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M52-40EX 0.6100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M52 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 17.6A (TJ) 5V, 10V 40mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 4.5 nc @ 5 v ± 10V 407 pf @ 25 v - 31W
PMV42ENER Nexperia USA Inc. pmv42ener 0.4300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv42 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.4A (TA) 4.5V, 10V 36mohm @ 4.4a, 10V 2V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 20V 281 pf @ 15 v - 500MW (TA), 5W (TC)
PIMZ2,125 Nexperia USA Inc. PIMZ2,125 0.0782
RFQ
ECAD 2249 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 pimz2 300MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934057906125 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 250mv @ 5ma, 50ma / 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 100MHz, 190MHz
PHB18NQ10T,118 Nexperia USA Inc. PHB18NQ10T, 118 -
RFQ
ECAD 6921 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB18NQ10 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 18A (TC) 10V 90mohm @ 9a, 10V 4V @ 1MA 21 NC @ 10 v ± 20V 633 pf @ 25 v - 79W (TC)
BUK6E4R0-75C,127 Nexperia USA Inc. buk6e4r0-75c, 127 -
RFQ
ECAD 7830 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 120A (TC) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 25A, 10V 2.8V @ 1MA 234 NC @ 10 v ± 16V 15450 pf @ 25 v - 306W (TC)
BC847W,135 Nexperia USA Inc. BC847W, 135 0.1700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC847XW 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BCP68-QF Nexperia USA Inc. BCP68-QF 0.1132
RFQ
ECAD 9820 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-BCP68-QFTR 귀 99 8541.21.0095 4,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 200ma, 2a 85 @ 500ma, 1V 170MHz
PDTB143EU115 Nexperia USA Inc. PDTB143EU115 0.0400
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1
PSMN018-100ESFQ Nexperia USA Inc. PSMN018-100ESFQ -
RFQ
ECAD 7339 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068749127 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 53A (TA) 7V, 10V 18mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 21.4 NC @ 10 v ± 20V 1482 pf @ 50 v - 111W (TA)
PUMH11,115 Nexperia USA Inc. PUMH11,115 0.2900
RFQ
ECAD 41 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumh11 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V - 10kohms 10kohms
NHUMD10X Nexperia USA Inc. nhumd10x 0.3900
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumd10 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 170MHz, 150MHz 2.2kohms 47kohms
NHDTC144EUX Nexperia USA Inc. NHDTC144EUX 0.2500
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 NHDTC144 235 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 100 MA 100NA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 170 MHz 47 Kohms 47 Kohms
BCP56-10TF Nexperia USA Inc. BCP56-10TF 0.4800
RFQ
ECAD 484 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 1.8 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 100MHz
PMDPB95XNE2X Nexperia USA Inc. pmdpb95xne2x 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PMDPB95 MOSFET (금속 (() 510MW (TA) 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 2.7A (TA) 99mohm @ 2.8a, 4.5v 1.25V @ 250µA 4.5NC @ 4.5V 258pf @ 15V -
PDTC114YT-QVL Nexperia USA Inc. PDTC114YT-QVL 0.0254
RFQ
ECAD 4918 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PDTC114YT-QVLTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 230MHz 10 KOHMS 47 Kohms
GAN7R0-150LBEZ Nexperia USA Inc. GAN7R0-150LBEZ 4.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-VLGA GAN7R0 Ganfet ((갈륨) 3-FCLGA (3.2x2.2) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0040 2,500 n 채널 150 v 28a 5V 7mohm @ 10a, 5V 2.1V @ 5MA 7.6 NC @ 5 v +6V, -4V 865 pf @ 85 v - 28W
BC856B-QVL Nexperia USA Inc. BC856B-QVL 0.0163
RFQ
ECAD 9658 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
PMV45EN2VL Nexperia USA Inc. pmv45en2vl 0.1133
RFQ
ECAD 2541 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv45en2 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068494235 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 5.1A (TA) 4.5V, 10V 42mohm @ 4.1a, 10V 2V @ 250µA 6.3 NC @ 10 v ± 20V 209 pf @ 15 v - 510MW (TA)
BUK9M11-40HX Nexperia USA Inc. BUK9M11-40HX 0.9600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M11 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 35A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 10a, 10V 2.2v @ 1ma 21 NC @ 10 v +16V, -10V 1345 pf @ 25 v - 50W (TA)
BUK662R4-40C,118 Nexperia USA Inc. BUK662R4-40C, 118 -
RFQ
ECAD 5195 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 199 NC @ 10 v ± 16V 11334 pf @ 25 v - 263W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고