SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BUK9Y6R5-40HX Nexperia USA Inc. buk9y6r5-40hx 0.9900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y6 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 70A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 2.15v @ 1ma 29 NC @ 10 v ± 20V 2036 pf @ 25 v - 64W (TA)
BUK7907-55ATE,127 Nexperia USA Inc. BUK7907-55ATE, 127 -
RFQ
 ECAD 3322 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 116 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 272W (TC)
PMCXB900UEL/S500Z Nexperia USA Inc. PMCXB900UUL/S500Z 0.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 MOSFET (금속 (() 265MW (TA), 4.03W (TC) DFN1010B-6 - 2156-PMCXB900UUL/S500Z 4,300 n 보완 p 채널 및 20V 600ma (TA), 500ma (TA) 620mohm @ 600ma, 4.5v, 1.4ohm @ 500ma, 4.5v 0.95V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 21.3pf @ 10v, 43pf @ 10v 기준
BC847B/DG/B3,215 Nexperia USA Inc. BC847B/DG/B3,215 -
RFQ
 ECAD 4327 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW TO-236AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934066598215 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PMCB60XNEZ Nexperia USA Inc. PMCB60XNEZ 0.5300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn MOSFET (금속 (() DSN1006-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 3.5A (TA) 1.8V, 4.5V 55mohm @ 3.5a, 4.5v 1.1V @ 250µA 7.5 NC @ 4.5 v ± 12V 420 pf @ 15 v - 480MW (TA), 7W (TC)
BSS138BKSH Nexperia USA Inc. BSS138BKSH 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (금속 (() 445MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 320MA (TA) 1.6ohm @ 320ma, 10V 1.6V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 56pf @ 10V 논리 논리 게이트
BUK9K35-60RAX Nexperia USA Inc. BUK9K35-60RAX 1.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK9K35 MOSFET (금속 (() 38W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 22A (TA) 32mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 7.8nc @ 5v 1081pf @ 25v 논리 논리 게이트
BUK7Y59-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y59-60E, 115 -
RFQ
 ECAD 3962 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BC847BM,315 Nexperia USA Inc. BC847BM, 315 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BC847 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BCM847BS/ZLF Nexperia USA Inc. BCM847BS/ZLF -
RFQ
 ECAD 2903 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BCM847 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000
BC817-40QC-QZ Nexperia USA Inc. BC817-40QC-QZ 0.0449
RFQ
 ECAD 2518 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC817 380 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BUK7M15-40HX Nexperia USA Inc. BUK7M15-40HX 0.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK7M15 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 30A (TA) 10V 15mohm @ 10a, 10V 3.6v @ 1ma 12.7 NC @ 10 v +20V, -10V 801 pf @ 25 v - 44W (TA)
BUK7511-55B,127 Nexperia USA Inc. BUK7511-55B, 127 -
RFQ
 ECAD 1540 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 11mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 37 NC @ 10 v ± 20V 2604 pf @ 25 v - 157W (TC)
PMDT670UPE,115 Nexperia USA Inc. PMDT670UPE, 115 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PMDT670 MOSFET (금속 (() 330MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 550ma 850mohm @ 400ma, 4.5v 1.3V @ 250µA 1.14NC @ 4.5V 87pf @ 10V 논리 논리 게이트
BCW68FR Nexperia USA Inc. bcw68fr 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW68 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 800 MA 5µA (ICBO) PNP 450MV @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 1v 80MHz
PBSS4032SPN,115 Nexperia USA Inc. PBSS4032SPN, 115 -
RFQ
 ECAD 8095 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PBSS4032SPN 2.3W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30V 5.7a, 4.8a 100NA NPN, PNP 450mv @ 300ma, 6a / 510mv @ 250ma, 5a 250 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V 140MHz, 115MHz
NHDTA143ZTR Nexperia USA Inc. NHDTA143ZTR 0.2200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NHDTA143 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 150MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
2PD601ART,235 Nexperia USA Inc. 2pd601art, 235 0.0251
RFQ
 ECAD 6946 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2pd601 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 10NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 210 @ 2MA, 10V 100MHz
PSMN2R0-60ES127 Nexperia USA Inc. PSMN2R0-60ES127 -
RFQ
 ECAD 4955 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PSMN2R0 다운로드 0000.00.0000 1
PDTC144ETVL Nexperia USA Inc. PDTC144ETVL 0.1700
RFQ
 ECAD 571 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC144 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 47 Kohms 47 Kohms
BCM846BSH-QX Nexperia USA Inc. BCM846BSH-QX 0.0852
RFQ
 ECAD 3195 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BCM846 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-BCM846BSH-QX 귀 99 8541.21.0095 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BUK6Y20-30PX Nexperia USA Inc. buk6y20-30px -
RFQ
 ECAD 7624 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 30 v 41A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 8.6a, 10V 3V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1408 pf @ 15 v - 66W (TA)
BUK929R1-60EJ Nexperia USA Inc. BUK929R1-60EJ -
RFQ
 ECAD 1432 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069876118 귀 99 8541.29.0095 2,500
PSMN7R6-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN7R6-100BSEJ 2.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn7r6 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 75A (TJ) 10V 7.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 128 NC @ 10 v ± 20V 7110 pf @ 50 v - 296W (TC)
PSMN3R9-100YSFX Nexperia USA Inc. psmn3r9-100ysfx 3.2500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK psmn3r9 MOSFET (금속 (() LFPAK56; Power-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 120A (TA) 7V, 10V 4.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 111 NC @ 10 v ± 20V 7360 pf @ 50 v - 245W (TA)
PSMN1R4-30YLD/1X Nexperia USA Inc. psmn1r4-30yld/1x -
RFQ
 ECAD 4063 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PSMN1R4-30YLD/1X 귀 99 8541.29.0095 1
BST52,135 Nexperia USA Inc. BST52,135 0.6900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BST52 1.3 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 500NA npn-달링턴 1.3V @ 500µa, 500ma 2000 @ 500ma, 10V 200MHz
PMF63UNEX Nexperia USA Inc. pmf63unex 0.4500
RFQ
 ECAD 403 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMF63 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.2A (TA) 1.8V, 4.5V 65mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 5.85 nc @ 4.5 v ± 8V 289 pf @ 10 v - 395MW (TA)
PBLS6024D,115 Nexperia USA Inc. PBLS6024D, 115 0.4100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBLS6024 760MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V, 65V 100ma, 1.5a 1µA, 100NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 150mv @ 500µa, 10ma / 260mv @ 100ma, 1.5a 60 @ 5ma, 5v / 140 @ 1a, 2v 150MHz 22kohms 22kohms
PHPT60603NY,115 Nexperia USA Inc. PHPT60603NY, 115 0.1400
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 2,254
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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