SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PHK31NQ03LT Nexperia USA Inc. phk31nq03lt -
RFQ
 ECAD 1002 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 phk31 - - 적용 적용 수 할 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 -
NHUMB1F Nexperia USA Inc. nhumb1f 0.3900
RFQ
 ECAD 3486 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumb1 235MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 70 @ 10ma, 5V 150MHz 22kohms 22kohms
PDTA123JMB,315 Nexperia USA Inc. PDTA123JMB, 315 0.0361
RFQ
 ECAD 5679 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xfdfn PDTA123 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934066056315 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 180MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
PSMN2R0-30BL,118 Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30BL, 118 -
RFQ
 ECAD 7262 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN2R0 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 117 NC @ 10 v ± 20V 6810 pf @ 15 v - 211W (TC)
BCM856BSH-QF Nexperia USA Inc. BCM856BSH-QF 0.0852
RFQ
 ECAD 8341 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BCM856 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-BCM856BSH-QF 귀 99 8541.21.0095 10,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz
NHDTC123JTR Nexperia USA Inc. NHDTC123JTR 0.2200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NHDTC123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 100 MA 100NA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 170 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
PHM6230DLX Nexperia USA Inc. PHM6230DLX -
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-phm6230dlx 쓸모없는 1
PXP020-20QXJ Nexperia USA Inc. PXP020-20QXJ 0.5500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TA), 23.5A (TC) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 7.7a, 4.5v 1.25V @ 250µA 29.1 NC @ 4.5 v ± 12V 1900 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 15W (TC)
BC857BW/SNF Nexperia USA Inc. BC857BW/SNF -
RFQ
 ECAD 3380 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 220 @ 2MA, 5V 100MHz
PDTA144TT,215 Nexperia USA Inc. PDTA144TT, 215 0.0286
RFQ
 ECAD 2735 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA144 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V 47 Kohms
PBSS4240T-QVL Nexperia USA Inc. PBSS4240T-QVL 0.0915
RFQ
 ECAD 6577 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4240T-QVLTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 320mv @ 200ma, 2a 350 @ 100MA, 2V 230MHz
PHD71NQ03LT,118 Nexperia USA Inc. phd71nq03lt, 118 -
RFQ
 ECAD 2677 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 phd71nq03 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 75A (TC) 5V, 10V 10mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 1mA 13.2 NC @ 5 v ± 20V 1220 pf @ 25 v - 120W (TC)
PMZB350UPE,315 Nexperia USA Inc. PMZB350UPE, 315 0.5000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMZB350 MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 1A (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 300ma, 4.5v 950MV @ 250µA 1.9 NC @ 4.5 v ± 8V 127 pf @ 10 v - 360MW (TA), 3.125W (TC)
BCW30,215 Nexperia USA Inc. BCW30,215 0.2700
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW30 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 150mv @ 2.5ma, 50ma 215 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN7R6-60PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN7R6-60PS, 127 2.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn7r6 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 92A (TC) 10V 7.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 38.7 NC @ 10 v ± 20V 2651 pf @ 30 v - 149W (TC)
PUMX2,115 Nexperia USA Inc. PUMX2,115 0.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumx2 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 100MHz
BCX19,235 Nexperia USA Inc. BCX19,235 0.2900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX19 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 620mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
PQMH11Z Nexperia USA Inc. PQMH11Z 0.3400
RFQ
 ECAD 2159 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PQMH11 230MW DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz 10kohms 10kohms
BUK9K5R1-30EX Nexperia USA Inc. BUK9K5R1-30EX 1.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k5 MOSFET (금속 (() 68W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 30V 40a 5.3MOHM @ 10A, 5V 2.1v @ 1ma 26.7NC @ 5V 3065pf @ 25V 논리 논리 게이트
PMV28ENER Nexperia USA Inc. PMV28ENER 0.3900
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 4.4A (TA) 4.5V, 10V 37mohm @ 4.4a, 10V 2.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 266 pf @ 15 v - 660MW (TA), 8.3W (TC)
BUK9M14-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M14-40EX 0.8600
RFQ
 ECAD 839 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M14 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 44A (TC) 5V 11mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 11.3 NC @ 5 v ± 10V 1211 pf @ 25 v - 55W (TC)
PSMN1R8-30BL,118 Nexperia USA Inc. PSMN1R8-30BL, 118 2.6100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN1R8 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 170 nc @ 10 v ± 20V 10180 pf @ 15 v - 270W (TC)
PSMN7R0-100PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN7R0-100PS, 127 3.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn7r0 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 100A (TC) 10V 12MOHM @ 15A, 10V 4V @ 1MA 125 nc @ 10 v ± 20V 6686 pf @ 50 v - 269W (TC)
PMV20XNER Nexperia USA Inc. PMV20XNER 0.4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV20 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.7A (TA) 1.8V, 4.5V 23mohm @ 5.7a, 4.5v 900MV @ 250µA 18.6 NC @ 4.5 v ± 12V 1150 pf @ 15 v - 510MW (TA), 6.94W (TC)
PMPB25ENEAX Nexperia USA Inc. PMPB25ENEAX -
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB25 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070702115 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.2A (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 7.2a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 607 pf @ 15 v - 2.08W (TA)
NX7002AKVL Nexperia USA Inc. NX7002AKVL 0.1900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NX7002 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 190ma (TA) 5V, 10V 4.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.43 nc @ 4.5 v ± 20V 20 pf @ 10 v - 265MW (TA)
PZT2222A/ZLF Nexperia USA Inc. PZT2222A/ZLF -
RFQ
 ECAD 7835 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZT2222 1.15 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070722135 귀 99 8541.29.0075 1 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
BC847CW/MIX Nexperia USA Inc. BC847CW/믹스 -
RFQ
 ECAD 4541 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068904115 귀 99 8541.21.0075 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BC847BPNHF Nexperia USA Inc. BC847BPNHF -
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 270MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1727-BC847BPNHF 쓸모없는 1 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PHPT610030NKX Nexperia USA Inc. phpt610030nkx 0.7500
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 PHPT610030 1.25W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 100V 3A 100NA 2 NPN (() 300ma, 3a. 3A 80 @ 1a, 10V 140MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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