SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PDTA124EQA147 Nexperia USA Inc. PDTA124EQA147 -
RFQ
 ECAD 2946 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA124 다운로드 0000.00.0000 1
PSMN2R5-60PLQ Nexperia USA Inc. PSMN2R5-60PLQ 4.0700
RFQ
 ECAD 3374 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn2r5 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 150A (TC) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 223 NC @ 10 v ± 20V - 349W (TC)
BC53-16PASX Nexperia USA Inc. BC53-16PASX 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC53 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
BUK9Y41-80E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y41-80E, 115 0.8400
RFQ
 ECAD 8991 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y41 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 24A (TC) 5V, 10V 41mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 11.9 NC @ 5 v ± 10V 1570 pf @ 25 v - 64W (TC)
BUK7Y13-40B,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y13-40B, 115 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y13 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 58A (TC) 10V 13mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 19 NC @ 10 v ± 20V 1311 PF @ 25 v - 85W (TC)
BC847BQC-QZ Nexperia USA Inc. BC847BQC-QZ 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BCM847QASZ Nexperia USA Inc. BCM847QASZ 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 BCM847 350MW DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PMZB950UPELYL Nexperia USA Inc. pmzb950upelyl 0.3900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMZB950 MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 500MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.4ohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 2.1 NC @ 4.5 v ± 8V 43 pf @ 10 v - 360MW (TA)
PRMD13Z Nexperia USA Inc. PRMD13Z 0.3500
RFQ
 ECAD 620 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PRMD13 480MW DFN1412-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50V 100ma 1µA 1 npn 프리 n, 1 pnp 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 230MHz 4.7kohms 47kohms
PSMN7R8-120ESQ Nexperia USA Inc. psmn7r8-120esq -
RFQ
 ECAD 9879 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA psmn7r8 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 120 v 70A (TC) 10V 7.9mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 167 NC @ 10 v ± 20V 9473 pf @ 60 v - 349W (TC)
BC846AW-QF Nexperia USA Inc. BC846AW-QF 0.0252
RFQ
 ECAD 9483 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BC846AW-QFTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PDTC144ET-QR Nexperia USA Inc. PDTC144ET-QR 0.0324
RFQ
 ECAD 1049 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC144 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PDTC144ET-QRTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 230MHz 47 Kohms 47 Kohms
PIMC31-QF Nexperia USA Inc. PIMC31-QF 0.1073
RFQ
 ECAD 4730 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 PIMC31 290MW 6TSOP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PIMC31-QFTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 500ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V - 1kohms 10kohms
BUK4D38-20PX Nexperia USA Inc. BUK4D38-20PX 0.1572
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk4d MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TA), 18A (TC) 2.5V, 8V 33mohm @ 6a, 8v 1.3V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 12V 1025 pf @ 10 v - 2W (TA), 19W (TC)
PMPB09R1XNX Nexperia USA Inc. pmpb09r1xnx 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB09 MOSFET (금속 (() DFN2020M-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9.3A (TA) 1.8V, 4.5V 11.2mohm @ 9.3a, 4.5v 900MV @ 250µA 12.2 NC @ 4.5 v ± 12V 940 pf @ 15 v - 1.5W (TA), 21W (TC)
PSMN038-100K,518 Nexperia USA Inc. PSMN038-100K, 518 -
RFQ
 ECAD 8639 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 6.3A (TJ) 10V 38mohm @ 5.2a, 10V 4V @ 1MA 43 NC @ 10 v ± 20V 1740 pf @ 25 v - 3.5W (TC)
PMBT2907AYSX Nexperia USA Inc. PMBT2907AYSX 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMBT2907 250 MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 10ma, 1v 200MHz
BUK7Y72-80EX Nexperia USA Inc. BUK7Y72-80EX 0.7000
RFQ
 ECAD 7111 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y72 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 16A (TC) 10V 72mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 9.8 nc @ 10 v ± 20V 633 pf @ 25 v - 45W (TC)
PSMN8R9-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN8R9-100BSEJ 1.2375
RFQ
 ECAD 2609 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn8r9 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660184118 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 75A (TA) 10V 10mohm @ 25a, 1v 4V @ 1MA 160 nc @ 10 v ± 20V 9488 pf @ 50 v - 296W (TA)
BSH105,235 Nexperia USA Inc. BSH105,235 0.3700
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSH105 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 1.05A (TA) 1.8V, 4.5V 200mohm @ 600ma, 4.5v 570mv @ 1ma (유형) 3.9 NC @ 4.5 v ± 8V 152 pf @ 16 v - 417MW (TA)
NX3020NAKS,115 Nexperia USA Inc. NX3020NAKS, 115 0.4000
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX3020 MOSFET (금속 (() 375MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 180ma 4.5ohm @ 100ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.44NC @ 4.5V 13pf @ 10V 논리 논리 게이트
BUK7909-75AIE,127 Nexperia USA Inc. BUK7909-75AIE, 127 -
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 121 NC @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v 현재 현재 272W (TC)
PMBT3906VS,115 Nexperia USA Inc. PMBT3906VS, 115 0.4200
RFQ
 ECAD 1617 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PMBT3906 360MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 40V 200ma 50NA (ICBO) 2 PNP (() 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
PXN7R7-25QLJ Nexperia USA Inc. PXN7R7-25QLJ 0.5600
RFQ
 ECAD 639 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 11.8A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 7.7mohm @ 11.8a, 10V 2.2V @ 250µA 16.6 NC @ 10 v ± 20V 770 pf @ 12.5 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BUK7575-100A,127 Nexperia USA Inc. BUK7575-100A, 127 -
RFQ
 ECAD 3399 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 23A (TC) 10V 75mohm @ 13a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1210 pf @ 25 v - 99W (TC)
BUK9277-55A/CDJ Nexperia USA Inc. BUK9277-55A/CDJ -
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500
BUK9M24-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M24-60EX 0.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M24 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 32A (TC) 5V 21mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 12.4 NC @ 5 v ± 10V 1469 pf @ 25 v - 55W (TC)
PSMN5R8-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN5R8-40YS, 115 1.2500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn5r8 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 90A (TC) 10V 5.7mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 28.8 nc @ 10 v ± 20V 1703 pf @ 20 v - 89W (TC)
BCP53-10HX Nexperia USA Inc. BCP53-10HX 0.4100
RFQ
 ECAD 5772 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP53 2.2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 100MHz
PSMN030-150B,118 Nexperia USA Inc. PSMN030-150B, 118 -
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 55.5A (TC) 10V 30mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 98 NC @ 10 v ± 20V 3680 pf @ 25 v - 250W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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