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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PMZB550UNE/S500YL Nexperia USA Inc. PMZB550UN/S500YL 0.0500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 - 2156-PMZB550UN/S500YL 7,400 n 채널 30 v 590MA (TA) 1.5V, 4.5V 670mohm @ 590ma, 4.5v 0.95V @ 250µA 1.1 NC @ 4.5 v ± 8V 30.3 pf @ 15 v - 310MW (TA), 1.67W (TC)
PSMN8R7-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN8R7-80BS, 118 1.8200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn8r7 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 90A (TC) 10V 8.7mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 v ± 20V 3346 pf @ 40 v - 170W (TC)
BCX56-QF Nexperia USA Inc. BCX56-QF 0.1118
RFQ
ECAD 4715 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BCX56-QFTR 귀 99 8541.21.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BUK7Y7R8-80EX Nexperia USA Inc. buk7y7r8-80ex 1.9400
RFQ
ECAD 1265 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y7 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 100A (TC) 10V 7.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 63.3 NC @ 10 v ± 20V 5347 pf @ 25 v - 238W (TC)
PXN9R0-30QLJ Nexperia USA Inc. PXN9R0-30QLJ 0.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11.4A (TA), 41.8A (TC) 4.5V, 10V 9.1MOHM @ 11.4A, 10V 2.5V @ 250µA 20.7 NC @ 10 v ± 20V 865 pf @ 15 v - 1.9W (TA), 26W (TC)
BUK662R4-40C,118 Nexperia USA Inc. BUK662R4-40C, 118 -
RFQ
ECAD 5195 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 199 NC @ 10 v ± 16V 11334 pf @ 25 v - 263W (TC)
BF820W,135 Nexperia USA Inc. BF820W, 135 0.3700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BF820 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 300 v 50 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
PBSS4620PA,115 Nexperia USA Inc. PBSS4620PA, 115 0.4500
RFQ
ECAD 5859 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn PBSS4620 2.1 w 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 20 v 6 a 100NA NPN 275mv @ 300ma, 6a 260 @ 2A, 2V 80MHz
NHDTC144EUF Nexperia USA Inc. NHDTC144EUF 0.2500
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 NHDTC144 235 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80 v 100 MA 100NA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 170 MHz 47 Kohms 47 Kohms
BC816-25R Nexperia USA Inc. BC816-25R 0.2100
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC816 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC816 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
PMP5201V,115 Nexperia USA Inc. PMP5201V, 115 0.4100
RFQ
ECAD 8297 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PMP5201 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz
PBHV2160ZX Nexperia USA Inc. PBHV2160ZX 0.5600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBHV2160 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 600 v 100 MA 100NA NPN 125mv @ 6ma, 30ma 70 @ 10ma, 10V -
BUK624R5-30C Nexperia USA Inc. BUK624R5-30C 0.4300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1
PBSS4130PAN,115 Nexperia USA Inc. PBSS4130PAN, 115 0.5200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PBSS4130 510MW 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30V 1A 100NA (ICBO) 2 NPN (() 100mv @ 50ma, 500ma 210 @ 500ma, 2V 165MHz
PBSS301NZ,135 Nexperia USA Inc. PBSS301NZ, 135 0.2529
RFQ
ECAD 5552 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBSS301 2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 12 v 5.8 a 100NA (ICBO) NPN 235mv @ 290ma, 5.8a 250 @ 2A, 2V 140MHz
PRMH11Z Nexperia USA Inc. prmh11z 0.3500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PRMH11 480MW DFN1412-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz 10kohms 10kohms
PH6030AL,115 Nexperia USA Inc. PH6030AL, 115 -
RFQ
ECAD 1064 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 SC-100, SOT-669 PH6030 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934063089115 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 79A (TC) 6MOHM @ 15A, 10V 2.15v @ 1ma 24 nc @ 10 v 1425 pf @ 12 v - -
BC54PA-QX Nexperia USA Inc. BC54PA-QX 0.0923
RFQ
ECAD 2720 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn 420 MW 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-BC54PA-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PMH550UNEH Nexperia USA Inc. PMH550UNH 0.4000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMH550 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 770MA (TA) 1.5V, 4.5V 670mohm @ 770ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.4 nc @ 4 v ± 8V 30.3 pf @ 15 v - 380MW (TA), 2.8W (TC)
MJD2873J Nexperia USA Inc. MJD2873J 0.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD2873 1.6 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 50 v 2 a 100NA NPN 300mv @ 50ma, 1a 120 @ 500ma, 2V 65MHz
BUK7Y2R5-40H,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y2R5-40H, 115 -
RFQ
ECAD 2753 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
BUK7Y3R0-40HX Nexperia USA Inc. BUK7Y3R0-40HX 2.0500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y3 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 120A (TA) 10V 3MOHM @ 25A, 10V 3.6v @ 1ma 59 NC @ 10 v +20V, -10V 5449 pf @ 25 v - 172W (TA)
BC846AQBZ Nexperia USA Inc. BC846AQBZ 0.2400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC846XQB 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC846 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BUK9D23-40EX Nexperia USA Inc. BUK9D23-40EX 0.4200
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk9d23 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 8A (TA) 4.5V, 10V 23mohm @ 8a, 10V 2.1V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 15V 637 pf @ 20 v - 15W (TC)
PBSS304PD,115 Nexperia USA Inc. PBSS304PD, 115 0.1499
RFQ
ECAD 8825 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS304 1.1 w 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 80 v 1 a 100NA PNP 540mv @ 500ma, 5a 155 @ 500ma, 2V 110MHz
BC847CW/MIF Nexperia USA Inc. BC847CW/MIF -
RFQ
ECAD 9128 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068904135 귀 99 8541.21.0075 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
2PD602ARL,215 Nexperia USA Inc. 2pd602arl, 215 0.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2pd602 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 30ma, 300ma 120 @ 150ma, 10V 160MHz
PEMD14,115 Nexperia USA Inc. PEMD14,115 0.4700
RFQ
ECAD 1219 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMD14 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V - 47kohms -
BC806-25HR Nexperia USA Inc. BC806-25HR 0.2800
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC806 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
PSMN1R0-30YLEX Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLEX 2.8000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 275A (TA) 7V, 10V 1.11mohm @ 25a, 10V 2.2V @ 2MA 119 NC @ 10 v ± 20V 7389 pf @ 15 v - 224W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고