- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (4628)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDTA124XT/APG215 | - |  | 6468 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTA124 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | psmn8r5-60ys, 115 | 1.4000 | | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | psmn8r5 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 76A (TC) | 10V | 8mohm @ 15a, 10V | 4V @ 1MA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 2370 pf @ 30 v | - | 106W (TC) | |||||||||||||
 | BUK962R8-60E, 118 | 3.3100 | | 38 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK962 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 5V | 2.5mohm @ 25a, 10V | 2.1v @ 1ma | 92 NC @ 5 v | ± 10V | 15600 pf @ 25 v | - | 324W (TC) | |||||||||||||
 | BC847QAPN147 | - | | 2988 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BC847QAPN147-1727 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSH108,215 | 0.4100 | | 119 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSH108 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 1.9A (TC) | 5V, 10V | 120mohm @ 1a, 10V | 2V @ 1mA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 190 pf @ 10 v | - | 830MW (TC) | |||||||||||||
| NXV55UNR | 0.4400 | | 44 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 1.9A (TA) | 1.5V, 4.5V | 66mohm @ 1.9a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 8.7 NC @ 4.5 v | ± 8V | 352 pf @ 15 v | - | 340MW (TA), 2.1W (TC) | ||||||||||||||
| PBHV8118T, 215 | 0.4600 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PBHV8118 | 300MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 180 v | 1 a | 100NA | NPN | 50MV @ 20MA, 100mA | 50 @ 500ma, 10V | 30MHz | |||||||||||||||||
 | PMBT2907AYSX | 0.3900 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PMBT2907 | 250 MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 v | 600 MA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 10ma, 1v | 200MHz | |||||||||||||||||
| ph5030al, 115 | - | | 1422 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934063088115 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 91A (TC) | 5mohm @ 15a, 10V | 2.15v @ 1ma | 29 NC @ 10 v | 1760 pf @ 12 v | - | - | |||||||||||||||
 | phkd13n03lt, 118 | - | | 7022 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | phkd13 | MOSFET (금속 (() | 3.57W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934057755118 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 10.4a | 20mohm @ 8a, 10V | 2V @ 250µA | 10.7nc @ 5v | 752pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
 | php27nq11t, 127 | - | | 4918 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | php27nq11 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 110 v | 27.6A (TC) | 10V | 50mohm @ 14a, 10V | 4V @ 1MA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1240 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | |||||||||||||
| BUK7613-100E, 118 | 2.3600 | | 173 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK7613 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 72A (TC) | 10V | 13mohm @ 20a, 10V | 4V @ 1MA | 97.2 NC @ 10 v | ± 20V | 4533 PF @ 20 v | - | 182W (TC) | |||||||||||||
| phk18nq03lt, 518 | - | | 5443 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 20.3A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 25a, 10V | 2.15v @ 1ma | 10.6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1380 pf @ 12 v | - | 6.25W (TC) | ||||||||||||||
| PSMN041-80YLX | 0.7200 | | 6484 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | PSMN041 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 80 v | 25A (TC) | 5V, 10V | 41mohm @ 5a, 10V | 2.1v @ 1ma | 21.9 NC @ 10 v | ± 20V | 1108 pf @ 25 v | - | 64W (TC) | |||||||||||||
| PSMN038-100K, 518 | - | | 8639 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 6.3A (TJ) | 10V | 38mohm @ 5.2a, 10V | 4V @ 1MA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 1740 pf @ 25 v | - | 3.5W (TC) | ||||||||||||||
| pmv30un2r | 0.4900 | | 172 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV30 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4.2A (TA) | 1.2V, 4.5V | 32mohm @ 4.2a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 12V | 655 pf @ 10 v | - | 490MW (TA), 5W (TC) | |||||||||||||
 | PMPB07R0UNX | 0.4900 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB07 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 11.6A (TA) | 9mohm @ 11.6a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 30 nc @ 4.5 v | ± 12V | 1696 pf @ 10 v | - | 1.9W (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||||
 | PMZB1200UPEYL | 0.3800 | | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | PMZB1200 | MOSFET (금속 (() | DFN1006B-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | p 채널 | 30 v | 410MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 1.4ohm @ 410ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 1.2 NC @ 4.5 v | ± 8V | 43.2 pf @ 15 v | - | 310MW (TA), 1.67W (TC) | |||||||||||||
| BUK9Y7R2-60E, 115 | 1.4000 | | 6696 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk9y7 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 100A (TC) | 5V | 5.6mohm @ 25a, 10V | 2.1v @ 1ma | 35 NC @ 5 v | ± 10V | 5026 pf @ 25 v | - | 167W (TC) | |||||||||||||
| PSMN1R5-40PS, 127 | 4.3100 | | 7110 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PSMN1R5 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 1.6mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 136 NC @ 10 v | ± 20V | 9710 pf @ 20 v | - | 338W (TC) | |||||||||||||
 | NHDTA123JUX | 0.0310 | | 7355 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | NHDTA123 | 235 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 80 v | 100 MA | 100NA | pnp- 사전- | 100mv @ 500µa, 10ma | 100 @ 10ma, 5V | 150MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
 | PMN28UNEX | 0.1339 | | 7477 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | PMN28 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934660263115 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 5.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 5.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 8V | 490 pf @ 10 v | - | 570MW (TA), 6.25W (TC) | ||||||||||||
| BUK4D38-20PX | 0.1572 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | buk4d | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 6A (TA), 18A (TC) | 2.5V, 8V | 33mohm @ 6a, 8v | 1.3V @ 250µA | 16 nc @ 4.5 v | ± 12V | 1025 pf @ 10 v | - | 2W (TA), 19W (TC) | |||||||||||||
| BUK7Y72-80EX | 0.7000 | | 7111 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk7y72 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 80 v | 16A (TC) | 10V | 72mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 9.8 nc @ 10 v | ± 20V | 633 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||
| pmn16xnex | 0.3800 | | 20 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | PMN16 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6.9A (TA) | 1.5V, 4.5V | 19mohm @ 6.9a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1136 pf @ 10 v | - | 550MW (TA), 6.25W (TC) | |||||||||||||
| PSMN014-40ys, 115 | 0.6800 | | 5333 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | PSMN014 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 46A (TC) | 10V | 14mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 702 pf @ 20 v | - | 56W (TC) | |||||||||||||
| pmv100epar | 0.5100 | | 22 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV100 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 2.2A (TA) | 4.5V, 10V | 130mohm @ 2.2a, 10V | 3.2V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 616 pf @ 30 v | - | 710MW (TA), 8.3W (TC) | |||||||||||||
| BUK664R4-55C, 118 | - | | 4163 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 100A (TC) | 5V, 10V | 4.9mohm @ 25a, 10V | 2.8V @ 1MA | 124 NC @ 10 v | ± 16V | 7750 pf @ 25 v | - | 204W (TC) | ||||||||||||||
 | PXP6R7-30QLJ | 0.8800 | | 3389 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | mlpak33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 12.6A (TA), 66.6A (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 12.6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 133 NC @ 10 v | ± 20V | 4400 pf @ 15 v | - | 1.8W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||
| BUK7Y41-80EX | 0.8500 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk7y41 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 80 v | 25A (TC) | 10V | 41mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 16.4 NC @ 10 v | ± 20V | 1119 pf @ 25 v | - | 64W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)