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트랜지스터 (4628)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
nhumb9f	0.0503	RFQ	5468	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	nhumb9		350MW	6-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000													80V	100ma	100NA	2 pnp--바이어스 (듀얼)	100mv @ 500µa, 10ma	100 @ 10ma, 5V	150MHz	10kohms	47kohms
NHDTA114ET	0.2200	RFQ	32	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	NHDTA114		250 MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													80 v	100 MA	100NA	pnp- 사전-	100mv @ 500µa, 10ma	50 @ 10ma, 5V	150MHz	10 KOHMS	10 KOHMS
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PSMN4R2-40VSHX	2.9800	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-1205, 8-LFPAK56	psmn4r2	MOSFET (금속 (()	85W (TA)	LFPAK56D	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500	2 n 채널 (채널 교량)		40V	98A (TA)		4.2MOHM @ 20A, 10V	3.6v @ 1ma	37NC @ 10V		2590pf @ 25v	-
pmpb12r5epx	0.5800	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	PMPB12	MOSFET (금속 (()		DFN2020M-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	8.8A (TA)	4.5V, 10V	15mohm @ 8.8a, 10V	2V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	1392 pf @ 15 v	-	1.9W (TA), 12.5W (TC)
GAN190-650FBEZ	4.4900	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	GAN190	Ganfet ((갈륨)		DFN5060-5	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	650 v	11.5A (TA)	6V	190mohm @ 3.9a, 6v	2.5V @ 12.2ma	2.8 NC @ 6 v	+7V, -1.4V	96 PF @ 400 v	-	125W (TA)
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BUK7575-100A, 127	-	RFQ	3399	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	23A (TC)	10V	75mohm @ 13a, 10V	4V @ 1MA		± 20V	1210 pf @ 25 v	-	99W (TC)
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BUK9277-55A/CDJ	-	RFQ	8305	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63				DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500
NX7002BKR	0.2100	RFQ	210	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	NX7002	MOSFET (금속 (()		TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	270MA (TA)	5V, 10V	2.8ohm @ 200ma, 10V	2.1V @ 250µA	1 nc @ 10 v	± 20V	23.6 pf @ 10 v	-	310MW (TA), 1.67W (TC)
BUK9Y11-30B, 115	-	RFQ	8410	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	buk9y11	MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널	30 v	59A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 25a, 10V	2V @ 1mA	16.5 nc @ 5 v	± 15V	1614 pf @ 25 v	-	75W (TC)
PSMN2R0-30PL, 127	2.5700	RFQ	8908	Nexperia USA Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	PSMN2R0	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	30 v	100A (TC)	4.5V, 10V	2.1mohm @ 15a, 10V	2.15v @ 1ma	117 NC @ 10 v	± 20V	6810 pf @ 12 v	-	211W (TC)
PSMN018-80ys, 115	0.9400	RFQ	27	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	PSMN018	MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널	80 v	45A (TC)	10V	18mohm @ 5a, 10V	4V @ 1MA	26 NC @ 10 v	± 20V	1640 pf @ 40 v	-	89W (TC)
BUK764R4-60E, 118	2.8300	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	BUK764	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	60 v	100A (TC)	10V	4.5mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	82 NC @ 10 v	± 20V	6230 pf @ 25 v	-	234W (TC)
BUK9Y22-100E, 115	1.3300	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	buk9y22	MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널	100 v	49A (TC)	5V	21.5mohm @ 15a, 10V	2.1v @ 1ma	35.8 nc @ 5 v	± 10V	4640 pf @ 25 v	-	147W (TC)
BUK7609-75A, 118	-	RFQ	1799	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	75 v	75A (TC)	10V	9mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA		± 20V	6760 pf @ 25 v	-	230W (TC)
BSP122,115	0.6200	RFQ	7	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BSP122	MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	200 v	550MA (TA)	2.4V, 10V	2.5ohm @ 750ma, 10V	2V @ 1mA		± 20V	100 pf @ 25 v	-	1.5W (TA)
PMV280ENEAR	0.4800	RFQ	42	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV280	MOSFET (금속 (()		TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	100 v	1.1A (TA)	4.5V, 10V	385mohm @ 1.1a, 10V	2.7V @ 250µA	6.8 NC @ 10 v	± 20V	190 pf @ 50 v	-	580MW (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (4628)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²