SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PMV65ENEAR Nexperia USA Inc. pmv65enear 0.5200
RFQ
ECAD 1757 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv65 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 2.7A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 2.7a, 10V 2.5V @ 250µA 6 nc @ 10 v ± 20V 160 pf @ 20 v - 490MW (TA), 6.25W (TC)
PBRP113ET-QR Nexperia USA Inc. PBRP113ET-QR 0.0687
RFQ
ECAD 6544 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRP113 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBRP113ET-QRTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 MA 500NA pnp- 사전- 750mv @ 6ma, 600ma 140 @ 600ma, 5V 1 KOHMS 1 KOHMS
BUK9M20-40HX Nexperia USA Inc. BUK9M20-40HX 0.7700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M20 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 25A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 10a, 10V 2.2v @ 1ma 12.6 NC @ 10 v +16V, -10V 763 pf @ 25 v - 38W (TA)
PDTC123JT-QVL Nexperia USA Inc. PDTC123JT-QVL 0.0254
RFQ
ECAD 3970 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PDTC123JT-QVLTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 230MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
PMV30UN2VL Nexperia USA Inc. pmv30un2vl 0.0941
RFQ
ECAD 9411 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV30 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068491235 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 5.4A (TA) 1.2V, 4.5V 32mohm @ 4.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 12V 655 pf @ 10 v - 490MW (TA)
BUK9640-100A/C1,118 Nexperia USA Inc. BUK9640-100A/C1,118 0.4300
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PMV160UPVL Nexperia USA Inc. pmv160upvl 0.0789
RFQ
ECAD 2722 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV160 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 1.2A (TA) 1.8V, 4.5V 210mohm @ 1.2a, 4.5v 950MV @ 250µA 4 NC @ 4.5 v ± 8V 365 pf @ 10 v - 335MW (TA)
PMV48XPVL Nexperia USA Inc. pmv48xpvl 0.1715
RFQ
ECAD 9236 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv48 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065361235 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 2.4a, 4.5v 1.25V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 12V 1000 pf @ 10 v - 510MW (TA)
PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLC, 115 2.2300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1R0 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.15mohm @ 25a, 10V 1.95v @ 1ma 103.5 nc @ 10 v ± 20V 6645 pf @ 15 v - 272W (TC)
ON5233,118 Nexperia USA Inc. on5233,118 0.2000
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 - - DPAK - 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - -
PSMN011-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN011-80ys, 115 1.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN011 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 67A (TC) 10V 11mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 40 v - 117W (TC)
BCP55-16,115 Nexperia USA Inc. BCP55-16,115 0.4700
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP55 1.35 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 180MHz
PMPB15XPZ Nexperia USA Inc. PMPB15XPZ 0.1711
RFQ
ECAD 7002 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB15 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934066615184 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 8.2A (TA) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 8.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 100 nc @ 4.5 v ± 12V 2875 pf @ 6 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BC857W-QX Nexperia USA Inc. BC857W-QX 0.0322
RFQ
ECAD 9871 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1727-BC857W-QXTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
PDTC114ET-QVL Nexperia USA Inc. PDTC114ET-QVL 0.0247
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
PSMN033-100HLX Nexperia USA Inc. PSMN033-100HLX 1.9000
RFQ
ECAD 9394 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 PSMN033 MOSFET (금속 (() 64W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 100V 26A (TA) 31mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 27.3NC @ 5V 3168pf @ 25v 논리 논리 게이트
BUK7E1R8-40E,127 Nexperia USA Inc. buk7e1r8-40e, 127 -
RFQ
ECAD 2414 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 1.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 145 NC @ 10 v ± 20V 11340 pf @ 25 v - 349W (TC)
PSMN1R5-40YSDX Nexperia USA Inc. PSMN1R5-40YSDX 2.3100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1R5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 240A (TA) 10V 1.5mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 99 NC @ 10 v ± 20V 7752 pf @ 20 v Schottky Diode (Body) 238W (TA)
PHKD3NQ10T,518 Nexperia USA Inc. phkd3nq10t, 518 -
RFQ
ECAD 6186 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) phkd3 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 934055906518 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 100V 3A 90mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 1MA 21NC @ 10V 633pf @ 20V 논리 논리 게이트
BUK9107-40ATC,118 Nexperia USA Inc. BUK9107-40ATC, 118 -
RFQ
ECAD 1270 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 50a, 10V 2V @ 1mA ± 15V 5836 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 272W (TC)
MMBTA42-QR Nexperia USA Inc. MMBTA42-QR 0.0463
RFQ
ECAD 8099 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
PMCM440VNE/S500Z Nexperia USA Inc. PMCM440VNE/S500Z -
RFQ
ECAD 1377 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, WLCSP MOSFET (금속 (() 4-WLCSP (0.78x0.78) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069563084 귀 99 8541.29.0095 9,000 n 채널 12 v 5A (TA) 1.5V, 4.5V 67mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 8.2 NC @ 4.5 v ± 8V 360 pf @ 6 v - 12.5W (TC)
BUK7226-75A,118 Nexperia USA Inc. BUK7226-75A, 118 -
RFQ
ECAD 6351 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 75 v 45A (TC) 10V 26mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 48 NC @ 10 v ± 20V 2385 pf @ 25 v - 158W (TC)
PH1330AL,115 Nexperia USA Inc. ph1330al, 115 -
RFQ
ECAD 3712 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK PH1330 MOSFET (금속 (() LFPAK56; Power-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934064142115 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 1.3mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 100 nc @ 10 v 6227 pf @ 12 v - -
PMZB290UNE2YL Nexperia USA Inc. PMZB290UNE2YL 0.4100
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMZB290 MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 1.2A (TA) 1.5V, 4.5V 320mohm @ 1.2a, 4.5v 950MV @ 250µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 8V 46 pf @ 10 v - 350MW (TA), 5.43W (TC)
BUK9MJJ-55PSS/A,51 Nexperia USA Inc. buk9mjj-55pss/a, 51 -
RFQ
ECAD 7152 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
PMPB10XNEAX Nexperia USA Inc. pmpb10xneax 0.1676
RFQ
ECAD 2484 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB10 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070922115 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 9A (TA) 1.8V, 4.5V 14mohm @ 9a, 4.5v 900MV @ 250µA 34 NC @ 4.5 v ± 12V 2175 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BUK6226-75C,118 Nexperia USA Inc. BUK6226-75C, 118 -
RFQ
ECAD 2566 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 75 v 33A (TC) 10V 29mohm @ 12a, 10V 2.8V @ 1MA 34 NC @ 10 v ± 16V 2000 pf @ 25 v - 80W (TC)
PSMN7R0-100ES,127 Nexperia USA Inc. PSMN7R0-100ES, 127 -
RFQ
ECAD 5074 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 100A (TC) 10V 6.8mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 125 nc @ 10 v ± 20V 6686 pf @ 50 v - 269W (TC)
NX3008CBKV,115 Nexperia USA Inc. NX3008CBKV, 115 0.4300
RFQ
ECAD 225 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NX3008 MOSFET (금속 (() 500MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 및 p 채널 30V 400ma, 220ma 1.4ohm @ 350ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.68NC @ 4.5V 50pf @ 15V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고