SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PSMN3R3-80ES,127 Nexperia USA Inc. PSMN3R3-80ES, 127 -
RFQ
ECAD 8693 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 120A (TC) 10V 3.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 139 NC @ 10 v ± 20V 9961 pf @ 40 v - 338W (TC)
BUK7Y19-100EX Nexperia USA Inc. buk7y19-100ex 1.4000
RFQ
ECAD 3839 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y19 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 56A (TC) 10V - - ± 20V - 169W (TC)
PDTA124EQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTA124EQB-QZ 0.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTA124 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V 180MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
BC847W-QF Nexperia USA Inc. BC847W-QF 0.0252
RFQ
ECAD 7356 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BC847W-QFTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BCM847QAS Nexperia USA Inc. BCM847QAS 1.0000
RFQ
ECAD 1772 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BCM847 다운로드 0000.00.0000 1
BUK7909-75AIE,127 Nexperia USA Inc. BUK7909-75AIE, 127 -
RFQ
ECAD 8022 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 121 NC @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v 현재 현재 272W (TC)
BSH105,235 Nexperia USA Inc. BSH105,235 0.3700
RFQ
ECAD 81 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSH105 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 1.05A (TA) 1.8V, 4.5V 200mohm @ 600ma, 4.5v 570mv @ 1ma (유형) 3.9 NC @ 4.5 v ± 8V 152 pf @ 16 v - 417MW (TA)
NX3020NAKS,115 Nexperia USA Inc. NX3020NAKS, 115 0.4000
RFQ
ECAD 96 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX3020 MOSFET (금속 (() 375MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 180ma 4.5ohm @ 100ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.44NC @ 4.5V 13pf @ 10V 논리 논리 게이트
NX7002BKSX Nexperia USA Inc. NX7002BKSX 0.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX7002 MOSFET (금속 (() 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 270MA (TA) 5V, 10V 2.8ohm @ 200ma, 10V 2.1V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 23.6 pf @ 10 v - 310MW (TA), 1.67W (TC)
BF821-QR Nexperia USA Inc. BF821-QR 0.0914
RFQ
ECAD 6339 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BF821 250 MW TO-236AB - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BF821-QRTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 50 MA 10NA (ICBO) PNP 800mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
BCP56-10-QX Nexperia USA Inc. BCP56-10-QX 0.1038
RFQ
ECAD 7936 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BCP56-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BCP53-10T,115 Nexperia USA Inc. BCP53-10T, 115 -
RFQ
ECAD 9902 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 600MW SOT-223 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 140MHz
PUMD10-QH Nexperia USA Inc. PUMD10-QH 0.0544
RFQ
ECAD 1720 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD10 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PUMD10-QHTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 230MHz, 180MHz 2.2kohms 47kohms
BCP51-16TF Nexperia USA Inc. BCP51-16TF 0.4800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP51 1.3 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 140MHz
PMPB09R1XNX Nexperia USA Inc. pmpb09r1xnx 0.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB09 MOSFET (금속 (() DFN2020M-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9.3A (TA) 1.8V, 4.5V 11.2mohm @ 9.3a, 4.5v 900MV @ 250µA 12.2 NC @ 4.5 v ± 12V 940 pf @ 15 v - 1.5W (TA), 21W (TC)
BUK9M156-100EX Nexperia USA Inc. BUK9M156-100EX 0.6900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M156 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 9.3A (TC) 5V 150mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 7.4 NC @ 5 v ± 10V 695 pf @ 25 v - 36W (TC)
PBSM5240PF,115 Nexperia USA Inc. PBSM5240pf, 115 0.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 40V PNP, 30V N- 채널 로드로드 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PBSM5240 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 1.8A PNP, 660MA N- 채널 PNP, N-,
BUK6213-30C,118 Nexperia USA Inc. BUK6213-30C, 118 -
RFQ
ECAD 9006 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 47A (TC) 10V 14mohm @ 10a, 10V 2.8V @ 1MA 19.5 nc @ 10 v ± 16V 1108 pf @ 25 v - 60W (TC)
BSS138P,215 Nexperia USA Inc. BSS138P, 215 0.2600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 360MA (TA) 10V 1.6ohm @ 300ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.8 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 10 v - 350MW (TA), 1.14W (TC)
BCV61B,235 Nexperia USA Inc. BCV61B, 235 0.4100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV61 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 100ma 2 npn (() 현재 미러
BCV61B,215 Nexperia USA Inc. BCV61B, 215 0.5000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV61 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100ma 2 npn (() 현재 미러
PHM10030DLSX Nexperia USA Inc. PHM10030DLSX -
RFQ
ECAD 1521 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) PHM10030 LFPAK33 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934067985115 귀 99 8541.21.0095 1,500
BUK9MRR-55PGG/A,51 Nexperia USA Inc. BUK9MRR-55PGG/A, 51 -
RFQ
ECAD 6034 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
BC857-QVL Nexperia USA Inc. BC857-QVL 0.0163
RFQ
ECAD 5111 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BC847CQCZ Nexperia USA Inc. BC847CQCZ -
RFQ
ECAD 5513 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BC846A-QVL Nexperia USA Inc. BC846A-QVL 0.0163
RFQ
ECAD 8791 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC846X-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BC847AQCZ Nexperia USA Inc. BC847AQCZ -
RFQ
ECAD 9643 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BC857CQAZ Nexperia USA Inc. BC857CQAZ 0.3100
RFQ
ECAD 9012 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 BC857 280 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BUK9629-100B,118 Nexperia USA Inc. BUK9629-100B, 118 1.7500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK9629 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 46A (TC) 5V, 10V 27mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 33 NC @ 5 v ± 15V 4360 pf @ 25 v - 157W (TC)
BUK761R7-40E,118 Nexperia USA Inc. BUK761R7-40E, 118 -
RFQ
ECAD 4779 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 1.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 118 NC @ 10 v ± 20V 9700 pf @ 25 v - 324W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고