SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BUK9J0R9-40HX Nexperia USA Inc. BUK9J0R9-40HX 2.0893
RFQ
 ECAD 1653 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - buk9j0 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660369115 귀 99 8541.29.0095 1,500 - 220A (TC) - - - +16V, -10V - -
BC857BQC-QZ Nexperia USA Inc. BC857BQC-QZ 0.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC857XQC-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC857 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BC847AQC-QZ Nexperia USA Inc. BC847AQC-QZ 0.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BUK9Y1R3-40HX Nexperia USA Inc. BUK9Y1R3-40HX 3.2600
RFQ
 ECAD 4869 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - buk9y1 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 - 190a (TJ) - - - +16V, -10V - -
PMZB600UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB600UNYL 0.3900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMZB600 MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 600MA (TA) 1.2V, 4.5V 620mohm @ 600ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 8V 21.3 pf @ 10 v - 360MW (TA), 2.7W (TC)
PDTB123YT/APGR Nexperia USA Inc. PDTB123YT/APGR -
RFQ
 ECAD 3122 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모 쓸모 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTB123 250 MW TO-236AB - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 1 50 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 2.2 Kohms 10 KOHMS
BUK7E8R3-40E127 Nexperia USA Inc. BUK7E8R3-40E127 1.0000
RFQ
 ECAD 6857 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 buk7e8 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1 -
BCP53T,115 Nexperia USA Inc. BCP53T, 115 -
RFQ
 ECAD 7410 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1
BUK9615-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK9615-100A, 118 -
RFQ
 ECAD 7883 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 75A (TC) 5V, 10V 14.4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 8600 pf @ 25 v - 230W (TC)
BUK9M17-30EX Nexperia USA Inc. BUK9M17-30EX 0.7500
RFQ
 ECAD 1936 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M17 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 37A (TC) 5V 14mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 8 nc @ 5 v ± 10V 725 pf @ 25 v - 44W (TC)
NX7002AKS,115 Nexperia USA Inc. NX7002AKS, 115 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX7002 MOSFET (금속 (() 220MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 170ma 4.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.43NC @ 4.5V 17pf @ 10V 논리 논리 게이트
BC55-16PAS-QX Nexperia USA Inc. BC55-16PAS-QX 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC55XPAS-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 180MHz
PH6325L,115 Nexperia USA Inc. pH6325L, 115 -
RFQ
 ECAD 2333 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PH6325 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 78.7A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 13.3 NC @ 4.5 v ± 20V 1871 pf @ 12 v - 62.5W (TC)
BUK9624-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9624-55A, 118 1.5200
RFQ
 ECAD 323 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 46A (TC) 4.5V, 10V 21.7mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 1815 pf @ 25 v - 105W (TC)
PMPB100XPEAX Nexperia USA Inc. PMPB100XPEAX 0.4100
RFQ
 ECAD 8474 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB100 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.2A (TA) 3V, 4.5V 122mohm @ 3.2a, 4.5v 1.25V @ 250µA 5 nc @ 4.5 v +8V, -10V 388 pf @ 10 v - 550MW (TA)
PSMN057-200P,127 Nexperia USA Inc. PSMN057-200p, 127 1.5056
RFQ
 ECAD 1523 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMN057 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 39A (TC) 10V 57mohm @ 17a, 10V 4V @ 1MA 96 NC @ 10 v ± 20V 3750 pf @ 25 v - 250W (TC)
GAN190-650EBEZ Nexperia USA Inc. GAN190-650EBEZ 4.9900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-vdfn d 패드 GAN190 Ganfet ((갈륨) DFN8080-8 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 11.5A (TA) 6V 190mohm @ 3.9a, 6v 2.5V @ 12.2ma 2.8 NC @ 6 v +7V, -1.4V 96 PF @ 400 v - 125W (TA)
PDTC143EQCZ Nexperia USA Inc. PDTC143EQCZ 0.2600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC143 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V 230MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
NHUMD3X Nexperia USA Inc. nhumd3x 0.3900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumd3 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 170MHz, 150MHz 10kohms 10kohms
PSMN2R0-30YLDX Nexperia USA Inc. psmn2r0-30yldx 1.5000
RFQ
 ECAD 7813 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN2R0 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 25A, 10V 2.2v @ 1ma 46 NC @ 10 v ± 20V 2969 pf @ 15 v - 142W (TC)
PHP28NQ15T,127 Nexperia USA Inc. php28nq15t, 127 2.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 php28nq15 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 28.5A (TJ) 10V 65mohm @ 18a, 10V 4V @ 1MA 24 nc @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 30 v - 150W (TC)
PXN8R3-30QLJ Nexperia USA Inc. PXN8R3-30QLJ 0.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11.4A (TA), 31A (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 11.4a, 10V 2.2V @ 250µA 15.9 NC @ 10 v ± 20V 760 pf @ 15 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BUK9Y6R0-60E,115 Nexperia USA Inc. buk9y6r0-60e, 115 1.6500
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y6 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 100A (TC) 5V 5.2MOHM @ 25A, 10V 2.1v @ 1ma 39.4 NC @ 5 v ± 10V 6319 pf @ 25 v - 195W (TC)
PEMH30,115 Nexperia USA Inc. PEMH30,115 -
RFQ
 ECAD 6184 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMH30 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V - 2.2kohms -
BUK9216-100EJ Nexperia USA Inc. BUK9216-100EJ -
RFQ
 ECAD 8370 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069874118 귀 99 8541.29.0095 2,500 -
2PA1576S-QX Nexperia USA Inc. 2PA1576S-QX 0.0360
RFQ
 ECAD 9654 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-2PA1576S-QXTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 270 @ 1ma, 6V 100MHz
PUMD2,125 Nexperia USA Inc. PUMD2,125 0.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumd2 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V - 22kohms 22kohms
BUK9C10-55BIT/A,11 Nexperia USA Inc. BUK9C10-55 비트/a, 11 -
RFQ
 ECAD 5757 0.00000000 Nexperia USA Inc. 트렌치 트렌치 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 75A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA 51 NC @ 5 v ± 15V 4667 pf @ 25 v - 194W (TA)
2N7002CK Nexperia USA Inc. 2N7002CK -
RFQ
 ECAD 5429 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 2N7002 다운로드 0000.00.0000 1
PDTC114EU/ZLX Nexperia USA Inc. PDTC114EU/ZLX -
RFQ
 ECAD 2074 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 쓸모 쓸모 PDTC114 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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