| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 자연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | 저항 - RDS(켜짐) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PDTC124XE/DG/B2115 | 0.0500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 6,662 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1101WR,115 | - | ![]() | 5654 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 7V | 표면 실장 | SC-82A, SOT-343 | BF110 | 800MHz | MOSFET | CMPAK-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 듀얼 모듈 | 30mA | 12mA | - | - | 1.7dB | 5V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123TK,115 | - | ![]() | 7315 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTA123 | 250mW | SMT3; MPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 1μA | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 150mV, 10mA | 30 @ 20mA, 5V | 2.2kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT21S230SR3 | - | ![]() | 7962 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | NI-780S | AFT21 | 2.11GHz | LDMOS | NI-780S-6 | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935314997128 | 5A991G | 8541.29.0095 | 250 | - | 1.5A | 50W | 16.7dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK764R0-75C,118 | - | ![]() | 3523 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | - | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 75V | 100A(Tc) | 10V | 4m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 142nC @ 10V | ±20V | 25V에서 11659pF | - | 333W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9Y153-100E,115 | 1.0000 | ![]() | 2230 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 9.4A(Tc) | 5V | 146m옴 @ 2A, 10V | 2.1V @ 1mA | 6.8nC @ 5V | ±10V | 25V에서 716pF | - | 37W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BST15,115 | - | ![]() | 5330 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | BST1 | 1.3W | SOT-89-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 200V | 200mA | 100nA(ICBO) | PNP | 750mV @ 5mA, 50mA | 30 @ 50mA, 10V | 15MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846BW/DG/B3115 | 0.0200 | ![]() | 186 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S19170HR5 | - | ![]() | 4331 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-957A | MRF7 | 1.99GHz | LDMOS | NI-880H-2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 1.4A | 50W | 17.2dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S19260HR6 | - | ![]() | 8837 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-1110A | MRF8 | 1.99GHz | LDMOS | NI1230-8 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935310435128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 2개 | - | 1.6A | 74W | 18.2dB | - | 30V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1216,115 | - | ![]() | 1224 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 6V | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF121 | 400MHz | MOSFET | 6-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 듀얼 모듈 | 30mA | 19mA | - | 30dB | 1dB | 5V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHD14NQ20T,118 | - | ![]() | 4157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | PHD14 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 200V | 14A(TC) | 5V, 10V | 230m옴 @ 7A, 10V | 4V @ 1mA | 38nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1500pF | - | 125W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBF4391,215 | - | ![]() | 4454 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBF4 | 250mW | SOT-23(TO-236AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 40V | 14pF @ 20V | 40V | 20V에서 50mA | 4V @ 1nA | 30옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T18S260W12NR3 | - | ![]() | 7418 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | OM-880X-2L2L | A2T18 | 1.805GHz ~ 1.88GHz | LDMOS | OM-880X-2L2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935313167528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 10μA | 1.5A | 280W | 18.7dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||
| MRF18060ALR3 | - | ![]() | 5791 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-957A | MRF18 | 1.81GHz ~ 1.88GHz | LDMOS | NI-780H-2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 250 | - | 500mA | 60W | 13dB | - | 26V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN7R5-30YLD115 | - | ![]() | 2826 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF1K50NR5578 | - | ![]() | 3983 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC327-25,116 | - | ![]() | 7568 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 32년 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 45V | 500mA | 100nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3V09H521-24SR6 | - | ![]() | 6352 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | A3V09 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6211-75C,118 | - | ![]() | 2638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | DPAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 75V | 74A(타) | 11m옴 @ 25A, 10V | 2.8V @ 1mA | 81nC @ 10V | ±16V | 5251pF @ 25V | - | 158W(타) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK624R5-30C,118 | 0.4400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,500 | N채널 | 30V | 90A(Tc) | 10V | 4.5m옴 @ 25A, 10V | 2.8V @ 1mA | 78nC @ 10V | ±16V | 4707pF @ 25V | - | 158W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P20140WHSR3 | - | ![]() | 1400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | NI-780S-4L | MRF8P20140 | 1.88GHz ~ 1.91GHz | LDMOS | NI-780S-4L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935323134128 | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | 2개 | - | 500mA | 24W | 16dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114TMB315 | 0.0200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU550W135 | - | ![]() | 8609 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHD77NQ03T,118 | - | ![]() | 8697 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | PHD77 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 75A(Tc) | 10V | 9.5m옴 @ 25A, 10V | 3.2V @ 1mA | 17.1nC @ 10V | ±20V | 860pF @ 12V | - | 107W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1201R,215 | - | ![]() | 5254 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 10V | 표면 실장 | SOT-143R | BF120 | 400MHz | MOSFET | SOT-143R | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 듀얼 모듈 | 30mA | 15mA | - | 29dB | 1dB | 5V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9507-30B,127 | 0.3900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 튜브 | 활동적인 | BUK95 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTB113ZQA147 | - | ![]() | 7763 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK954R8-60E,127 | 1.0000 | ![]() | 6060 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 100A(Tc) | 5V, 10V | 4.5m옴 @ 25A, 10V | 2.1V @ 1mA | 65nC @ 5V | ±10V | 9710pF @ 25V | - | 234W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS9110D,115 | 0.0700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-74, SOT-457 | 700mW | 6-TSOP | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,092 | 100V | 1A | 100nA | PNP | 320mV @ 100mA, 1A | 150 @ 500mA, 5V | 100MHz |

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