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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 저항 - RDS(켜짐) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1)
PDTC124XE/DG/B2115 NXP USA Inc. PDTC124XE/DG/B2115 0.0500
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ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 6,662
BF1101WR,115 NXP USA Inc. BF1101WR,115 -
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ECAD 5654 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 7V 표면 실장 SC-82A, SOT-343 BF110 800MHz MOSFET CMPAK-4 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 듀얼 모듈 30mA 12mA - - 1.7dB 5V
PDTA123TK,115 NXP USA Inc. PDTA123TK,115 -
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ECAD 7315 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA123 250mW SMT3; MPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 1μA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 10mA 30 @ 20mA, 5V 2.2kΩ
AFT21S230SR3 NXP USA Inc. AFT21S230SR3 -
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ECAD 7962 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V NI-780S AFT21 2.11GHz LDMOS NI-780S-6 - ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 935314997128 5A991G 8541.29.0095 250 - 1.5A 50W 16.7dB - 28V
BUK764R0-75C,118 NXP USA Inc. BUK764R0-75C,118 -
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ECAD 3523 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK - 해당 없음 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 75V 100A(Tc) 10V 4m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 142nC @ 10V ±20V 25V에서 11659pF - 333W(Tc)
BUK9Y153-100E,115 NXP USA Inc. BUK9Y153-100E,115 1.0000
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ECAD 2230 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 SC-100, SOT-669 MOSFET(금속) LFPAK56, 전원-SO8 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 9.4A(Tc) 5V 146m옴 @ 2A, 10V 2.1V @ 1mA 6.8nC @ 5V ±10V 25V에서 716pF - 37W(Tc)
BST15,115 NXP USA Inc. BST15,115 -
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ECAD 5330 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA BST1 1.3W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 200V 200mA 100nA(ICBO) PNP 750mV @ 5mA, 50mA 30 @ 50mA, 10V 15MHz
BC846BW/DG/B3115 NXP USA Inc. BC846BW/DG/B3115 0.0200
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ECAD 186 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 3,000
MRF7S19170HR5 NXP USA Inc. MRF7S19170HR5 -
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ECAD 4331 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 SOT-957A MRF7 1.99GHz LDMOS NI-880H-2L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 50 - 1.4A 50W 17.2dB - 28V
MRF8S19260HR6 NXP USA Inc. MRF8S19260HR6 -
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ECAD 8837 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 SOT-1110A MRF8 1.99GHz LDMOS NI1230-8 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935310435128 EAR99 8541.29.0075 150 2개 - 1.6A 74W 18.2dB - 30V
BF1216,115 NXP USA Inc. BF1216,115 -
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ECAD 1224 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 6V 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BF121 400MHz MOSFET 6-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 듀얼 모듈 30mA 19mA - 30dB 1dB 5V
PHD14NQ20T,118 NXP USA Inc. PHD14NQ20T,118 -
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ECAD 4157 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 PHD14 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 200V 14A(TC) 5V, 10V 230m옴 @ 7A, 10V 4V @ 1mA 38nC @ 10V ±20V 25V에서 1500pF - 125W(Tc)
PMBF4391,215 NXP USA Inc. PMBF4391,215 -
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ECAD 4454 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBF4 250mW SOT-23(TO-236AB) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 40V 14pF @ 20V 40V 20V에서 50mA 4V @ 1nA 30옴
A2T18S260W12NR3 NXP USA Inc. A2T18S260W12NR3 -
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ECAD 7418 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 OM-880X-2L2L A2T18 1.805GHz ~ 1.88GHz LDMOS OM-880X-2L2L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935313167528 EAR99 8541.29.0075 250 10μA 1.5A 280W 18.7dB - 28V
MRF18060ALR3 NXP USA Inc. MRF18060ALR3 -
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ECAD 5791 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 SOT-957A MRF18 1.81GHz ~ 1.88GHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 250 - 500mA 60W 13dB - 26V
PSMN7R5-30YLD115 NXP USA Inc. PSMN7R5-30YLD115 -
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ECAD 2826 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1,500
MRF1K50NR5578 NXP USA Inc. MRF1K50NR5578 -
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ECAD 3983 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.29.0075 1
BC327-25,116 NXP USA Inc. BC327-25,116 -
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ECAD 7568 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 32년 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 45V 500mA 100nA(ICBO) PNP 700mV @ 50mA, 500mA 160 @ 100mA, 1V 80MHz
A3V09H521-24SR6 NXP USA Inc. A3V09H521-24SR6 -
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ECAD 6352 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 A3V09 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 150
BUK6211-75C,118 NXP USA Inc. BUK6211-75C,118 -
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ECAD 2638 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK - ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 75V 74A(타) 11m옴 @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 81nC @ 10V ±16V 5251pF @ 25V - 158W(타)
BUK624R5-30C,118 NXP USA Inc. BUK624R5-30C,118 0.4400
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ECAD 24 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 2,500 N채널 30V 90A(Tc) 10V 4.5m옴 @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 78nC @ 10V ±16V 4707pF @ 25V - 158W(Tc)
MRF8P20140WHSR3 NXP USA Inc. MRF8P20140WHSR3 -
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ECAD 1400 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 표면 실장 NI-780S-4L MRF8P20140 1.88GHz ~ 1.91GHz LDMOS NI-780S-4L 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 935323134128 5A991G 8541.29.0075 250 2개 - 500mA 24W 16dB - 28V
PDTC114TMB315 NXP USA Inc. PDTC114TMB315 0.0200
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ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1
BFU550W135 NXP USA Inc. BFU550W135 -
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ECAD 8609 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 10,000
PHD77NQ03T,118 NXP USA Inc. PHD77NQ03T,118 -
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ECAD 8697 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 PHD77 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 75A(Tc) 10V 9.5m옴 @ 25A, 10V 3.2V @ 1mA 17.1nC @ 10V ±20V 860pF @ 12V - 107W(Tc)
BF1201R,215 NXP USA Inc. BF1201R,215 -
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ECAD 5254 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 10V 표면 실장 SOT-143R BF120 400MHz MOSFET SOT-143R 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 듀얼 모듈 30mA 15mA - 29dB 1dB 5V
BUK9507-30B,127 NXP USA Inc. BUK9507-30B,127 0.3900
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ECAD 11 0.00000000 NXP USA Inc. * 튜브 활동적인 BUK95 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000
PDTB113ZQA147 NXP USA Inc. PDTB113ZQA147 -
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ECAD 7763 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 1
BUK954R8-60E,127 NXP USA Inc. BUK954R8-60E,127 1.0000
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ECAD 6060 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 100A(Tc) 5V, 10V 4.5m옴 @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 65nC @ 5V ±10V 9710pF @ 25V - 234W(Tc)
PBSS9110D,115 NXP USA Inc. PBSS9110D,115 0.0700
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ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 700mW 6-TSOP 다운로드 EAR99 8541.21.0075 4,092 100V 1A 100nA PNP 320mV @ 100mA, 1A 150 @ 500mA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고