 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 모델 지수(dB 일반 @ f) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | BUK6607-75C,118 | - |  | 9969 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 75V | 100A(Tc) | 10V | 7m옴 @ 25A, 10V | 2.8V @ 1mA | 123nC @ 10V | ±16V | 25V에서 7600pF | - | 204W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
|  | CLF1G0035-100,112 | - |  | 2135 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150V | 방역 | SOT-467C | 3GHz | GaN HEMT | SOT467C | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | - | 330mA | 100W | 12dB | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BC51-10PASX | 0.0600 |  | 84 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-UDFN 옆패드 | 420mW | DFN2020D-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 45V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6VP61K25GNR6 | 195.5361 |  | 8842 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 133V | 방역 | OM-1230G-4L | MRFE6 | 230MHz | LDMOS | OM-1230G-4L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935315986528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 2개 | - | 100mA | 1250W | 23dB | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||
|  | PHPT610035PK115 | - |  | 3056 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MRF373ALSR1 | - |  | 9696 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 70V | 방역 | NI-360S | MRF37 | 860MHz | LDMOS | NI-360S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 200mA | 75W | 18.2dB | - | 32V | ||||||||||||||||||||||||||
|  | PBSS9110D/S911115 | 0.0800 |  | 51 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BUK7212-55B,118 | - |  | 7007 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK72 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MRF5S19150HSR5 | - |  | 1527 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | NI-880S | MRF5 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | LDMOS | NI-880S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.4A | 32W | 14dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||
|  | BFU580GX | 0.8300 |  | 999 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | BFU580 | 1W | SC-73 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 10.5dB | 12V | 60mA | NPN | 60 @ 30mA, 8V | 11GHz | 1.4dB @ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||
|  | PDTA123YS,126 | - |  | 8548 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PDTA123 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 100mA | 1μA | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 150mV, 10mA | 35 @ 5mA, 5V | 2.2kΩ | 10kΩ | ||||||||||||||||||||||||||
|  | A2T21H140-24SR3 | - |  | 7065 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | OM780-4 | A2T21 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | LDMOS | OM780-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935340104128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 2개 | 10μA | 350mA | 169W | 17.4dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||
| PH3830L,115 | - |  | 2751 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | PH38 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 30V | 98A(티씨) | 5V, 10V | 3.8m옴 @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | 33nC @ 5V | ±20V | 10V에서 3190pF | - | 62.5W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
|  | PEMB1,115 | 0.0400 |  | 62 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | PEMB1 | 300mW | SOT-666 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1μA | 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) | 500μA에서 150mV, 10mA | 60 @ 5mA, 5V | - | 22k옴 | 22k옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
|  | BC817-25QA147 | 0.0300 |  | 134 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BC817 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PBSS304ND,115 | - |  | 6444 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PBSS3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMST3906,135 | 0.0200 |  | 1006 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 14,774 | 40V | 200mA | 50nA(ICBO) | PNP | 400mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT20S015GNR1 | 26.1700 |  | 777 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 65V | 표면 실장 | TO-270BA | AFT20 | 2.17GHz | LDMOS | TO-270-2 갈매기 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8541.29.0040 | 500 | - | 132mA | 1.5W | 17.6dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||
|  | BUK7C3R1-80EJ | - |  | 8251 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) | BUK7C3 | MOSFET(금속) | D2PAK-7 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934067493118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 80V | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
|  | BFM520,115 | - |  | 7061 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BFM52 | 1W | 6-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 8V | 70mA | 2 NPN(이중) | 60 @ 20mA, 6V | 9GHz | 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz | ||||||||||||||||||||||||||
|  | PUMD48,115 | - |  | 7402 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PUMD48 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PEMF21,115 | - |  | 7225 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PEMF2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PMGD400UN,115 | - |  | 8557 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PMGD4 | MOSFET(금속) | 410mW | 6-TSSOP | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 710mA | 480m옴 @ 200mA, 4.5V | 1V @ 250μA | 0.89nC @ 4.5V | 43pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||
|  | PBSS5140U,115 | - |  | 2134 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PBSS5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PDTA123JK,115 | - |  | 1760년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTA123 | 250mW | SMT3; MPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 9,000 | 50V | 100mA | 1μA | PNP - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 100mV, 5mA | 100 @ 10mA, 5V | 2.2kΩ | 47kΩ | ||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N7002T,215 | - |  | 5316 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N70 | MOSFET(금속) | SOT-23(TO-236AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 300mA(타) | 5V, 10V | 5옴 @ 500mA, 10V | 2.5V @ 1mA | ±20V | 10V에서 40pF | - | 830mW(타) | |||||||||||||||||||||||
|  | PBSS5260QA147 | 0.0700 |  | 280 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,480 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BLF4G10LS-120,112 | - |  | 6038 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-502B | BLF4 | 920MHz ~ 960MHz | LDMOS | SOT502B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | 12A | 650mA | 48W | 19dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
|  | PSMN8R5-108ESQ | - |  | 4797 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | PSMN8 | MOSFET(금속) | I2PAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 108V | 100A(티제이) | 10V | 8.5m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 111nC @ 10V | ±20V | 5512pF @ 50V | - | 263W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
|  | PDTB123TK,115 | - |  | 3372 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTB123 | 250mW | SMT3; MPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 500mA | 500nA | PNP - 사전 바이어스됨 | 300mV @ 2.5mA, 50mA | 100 @ 50mA, 5V | 2.2kΩ | 

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