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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 저항 -rds (on) 전류 전류 (ID) - 최대
J2E120EUA/S0BE3A4V NXP USA Inc. J2E120EUA/S0BE3A4V -
RFQ
ECAD 1352 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 J2E1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
J3A081GUA/T1AG8VYV NXP USA Inc. J3A081GUA/T1AG8VYV -
RFQ
ECAD 7372 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 J3A0 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
J3C145CUA/T0BC792V NXP USA Inc. J3C145CUA/T0BC792V -
RFQ
ECAD 3474 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 J3C1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
J3C145CX1/T0BC776J NXP USA Inc. J3C145CX1/T0BC776J -
RFQ
ECAD 4260 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 J3C1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
J3D081VXU/T1AV5ADJ NXP USA Inc. J3D081VXU/T1AV5ADJ -
RFQ
ECAD 6285 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 J3d0 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
J3D081YXU/T1AY5E4J NXP USA Inc. J3D081YXU/T1AY5E4J -
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ECAD 1088 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 J3d0 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
J3E082EA6/S0BE503J NXP USA Inc. J3E082EA6/S0BE503J -
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ECAD 5499 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 J3E0 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
J3E082EA6/S0BE547J NXP USA Inc. J3E082EA6/S0BE547J -
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ECAD 5843 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 J3E0 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
J3E145GXS/S0BGCA5J NXP USA Inc. J3E145GXS/S0BGCA5J -
RFQ
ECAD 7070 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 J3E1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
BUK961R5-30E,118 NXP USA Inc. BUK961R5-30E, 118 -
RFQ
ECAD 3018 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk96 MOSFET (금속 (() D2PAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 120A (TC) 5V, 10V 1.3mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 93.4 NC @ 5 v ± 10V 14500 pf @ 25 v - 324W (TC)
BUK9E4R4-80E,127 NXP USA Inc. buk9e4r4-80e, 127 -
RFQ
ECAD 3574 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA buk9 MOSFET (금속 (() i2pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 120A (TC) 5V, 10V 4.2MOHM @ 25A, 10V 2.1v @ 1ma 123 NC @ 5 v ± 10V 17130 pf @ 25 v - 349W (TC)
J1A012YXS/T1AY404, NXP USA Inc. J1A012YXS/T1AY404, -
RFQ
ECAD 5538 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - J1A0 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935296263118 쓸모없는 0000.00.0000 12,500 - -
J2A040YXS/T0BY424, NXP USA Inc. J2A040YXS/T0BY424, -
RFQ
ECAD 4614 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - J2A0 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935295603118 쓸모없는 0000.00.0000 12,500 - -
J3A040YXS/T0BY4571 NXP USA Inc. J3A040YXS/T0BY4571 -
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ECAD 2177 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - J3A0 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935295601118 쓸모없는 0000.00.0000 12,500 - -
J3A080YXS/T0BY4AG0 NXP USA Inc. J3A080YXS/T0BY4AG0 -
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ECAD 9807 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - J3A0 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935295485118 쓸모없는 0000.00.0000 12,500 - -
AFT18H356-24SR6 NXP USA Inc. AFT18H356-24SR6 -
RFQ
ECAD 8530 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-1230-4LS2L Aft18 1.88GHz - NI-1230-4LS2L - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935311199128 귀 99 8541.29.0075 150 - - 1.1 a 63W 15db - 28 v
A2T09D400-23NR6 NXP USA Inc. A2T09D400-23NR6 95.1720
RFQ
ECAD 4344 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 70 v 섀시 섀시 OM-1230-4L2S A2T09 716MHz ~ 960MHz LDMOS OM-1230-4L2S 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935318726528 귀 99 8541.29.0075 150 10µA 1.2 a 400W 17.8dB - 28 v
A2T27S020NR1 NXP USA Inc. A2T27S020NR1 8.4350
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 65 v 표면 표면 TO-270-2 A2T27 400MHz ~ 2.7GHz LDMOS TO-270-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935331771528 귀 99 8541.29.0075 500 10µA 185 MA 20W 21db - 28 v
MHT1803B NXP USA Inc. MHT1803B 18.9000
RFQ
ECAD 2041 0.00000000 NXP USA Inc. * 쟁반 활동적인 MHT1803 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 240
BSR58,215 NXP USA Inc. BSR58,215 -
RFQ
ECAD 9109 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSR5 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v - 40 v 8 ma @ 15 v 800 mV @ 0.5 NA 60 옴
BUK7608-55,118 NXP USA Inc. BUK7608-55,118 -
RFQ
ECAD 4884 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk76 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 16V 4500 pf @ 25 v - 187W (TC)
PHP119NQ06T,127 NXP USA Inc. php119nq06t, 127 -
RFQ
ECAD 8987 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP11 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7.1mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 53 NC @ 10 v ± 20V 2820 pf @ 25 v - 200W (TC)
PHU66NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHU66NQ03LT, 127 -
RFQ
ECAD 9126 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA phu66 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 66A (TC) 5V, 10V 10.5mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 12 nc @ 5 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 93W (TC)
PMBF4391,215 NXP USA Inc. PMBF4391,215 -
RFQ
ECAD 4454 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBF4 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 14pf @ 20V 40 v 50 ma @ 20 v 4 v @ 1 na 30 옴
PMBFJ308,215 NXP USA Inc. PMBFJ308,215 -
RFQ
ECAD 9690 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmbfj3 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 25 v 5pf @ 10V 25 v 12 ma @ 10 v 1 V @ 1 µA 50 옴
PHX18NQ20T,127 NXP USA Inc. PHX18NQ20T, 127 -
RFQ
ECAD 1895 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 phx18 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 8.2A (TC) 10V 180mohm @ 8a, 10V 4V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 25 v - 30W (TC)
BUK7E2R7-30B,127 NXP USA Inc. BUK7E2R7-30B, 127 -
RFQ
ECAD 6208 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA buk7 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 75A (TC) 10V 2.7mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 91 NC @ 10 v ± 20V 6212 pf @ 25 v - 300W (TC)
BUK9E4R4-40B,127 NXP USA Inc. buk9e4r4-40b, 127 -
RFQ
ECAD 6907 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA buk9 MOSFET (금속 (() i2pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 64 NC @ 5 v ± 15V 7124 pf @ 25 v - 254W (TC)
BFT46,215 NXP USA Inc. BFT46,215 -
RFQ
ECAD 8664 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFT46 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 25 v 5pf @ 10V 200 µa @ 10 v 1.2 V @ 0.5 NA 10 MA
BLF4G10-160,112 NXP USA Inc. BLF4G10-160,112 -
RFQ
ECAD 6208 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-502A blf4 894mhz LDMOS 가장 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 60 15a 900 MA 160W 19.7dB - 28 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고