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트랜지스터 (4003)

제품 번호	가격 (USD)	수량	사용 가능한 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 상태	전압 - 평가	작동 온도	장착 유형	패키지 / 케이스	기본 제품 번호	빈도	기술	전원 - 최대	공급 업체 장치 패키지	데이터 시트	ROHS 상태	수분 감도 수준 (MSL)	상태에 도달하십시오	ECCN	HTSUS	표준 패키지	구성	FET 유형	현재 등급 (AMP)	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 전압 (VDS)으로 배수	전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 ° C	구동 전압 (최대 RDS 켜짐, 최소 RDS)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 충전 (QG) (Max) @ Vgs	VGS (Max)	입력 커패시턴스 (CISS) (max) @ vds	FET 기능	전력 소실 (최대)	노이즈 피겨	전압 - 수집기 이미 터 고장 (최대)	Current -Collector (IC) (Max)	전압 - 테스트	현재 - 수집기 컷오프 (최대)	트랜지스터 유형	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, VCE	주파수 - 전환
PMDPB70EN, 115	0.1900	RFQ	39	NXP USA Inc.	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 마운트	6-UFDFN 노출 패드	PMDPB70		MOSFET (금속 산화물)	510MW	6- 휴슨 (2x2)	다운로드	ROHS3 준수			귀 99	8541.21.0095	3,000	2 N 채널 (듀얼)						30V	3.5a		57mohm @ 3.5a, 10V	2.5V @ 250µA	4.5NC @ 10V		130pf @ 15V	논리 레벨 게이트
pumb2,115	-	RFQ	1278	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					pumb2					다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 않습니다	귀 99	8541.21.0095	3,000
A2T26H165-24SR3128	127.1600	RFQ	497	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드				귀 99	8541.29.0075	1
BUK663R5-30C, 118	0.4300	RFQ	8	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					buk66					-	ROHS3 준수		영향을받지 않습니다	귀 99	8541.29.0075	800
PEMF21,115	-	RFQ	7225	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PEMF2					다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 않습니다	귀 99	8541.21.0095	4,000
PEMT1,315	1.0000	RFQ	8345	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 마운트	SOT-563, SOT-666	PEMT1			300MW	SOT-666	다운로드				귀 99	8541.21.0075	1																		40V	100ma		100NA (ICBO)	2 PNP (듀얼)	200mv @ 5ma, 50ma	120 @ 1ma, 6V	100MHz
BUK6228-55C, 118	0.2400	RFQ	2	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 마운트	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 산화물)		DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	귀 99	0000.00.0000	1,268		n 채널					55 v	31A (TC)	10V	29mohm @ 10a, 10V	2.8V @ 1MA	20.2 NC @ 10 v	± 16V	1340 pf @ 25 v	-	60W (TC)
BUK7E11-55B, 127	-	RFQ	6209	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 통해	TO-262-3 긴 리드, I²PAK, TO-262AA	buk7		MOSFET (금속 산화물)		i2pak	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널					55 v	75A (TC)	10V	11mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	37 NC @ 10 v	± 20V	2604 pf @ 25 v	-	157W (TC)
PBHV8515QA147	0.1000	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드	적용 할 수 없습니다	1 (무제한)	공급 업체는 정의되지 않았습니다	귀 99	8541.21.0095	5,000
BUK9635-100A, 118	-	RFQ	5660	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 마운트	TO-263-3, D²PAK (2 리드 + 탭), TO-263AB	buk96		MOSFET (금속 산화물)		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	귀 99	8541.29.0095	800		n 채널					100 v	41A (TC)	4.5V, 10V	34mohm @ 25a, 10V	2V @ 1mA		± 10V	3573 pf @ 25 v	-	149W (TC)
BCX52,115	0.0700	RFQ	17	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					BCX52					-	ROHS3 준수		영향을받지 않습니다	귀 99	8541.29.0075	1,000
BUK9510-100B, 127	0.7700	RFQ	10	NXP USA Inc.	*	튜브	활동적인					buk95					다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 않습니다	귀 99	8541.29.0095	1,000
BUK953R5-60E, 127	0.9000	RFQ	2	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 통해	TO-220-3			MOSFET (금속 산화물)		TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	귀 99	0000.00.0000	1		n 채널					60 v	120A (TA)		3.4mohm @ 25a, 10V	2.1v @ 1ma	95 NC @ 5 v	± 10V	13490 pf @ 25 v	-	293W (TA)
PMZB200UN315	0.0600	RFQ	156	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드	적용 할 수 없습니다	1 (무제한)	공급 업체는 정의되지 않았습니다	귀 99	8541.21.0095	10,000
PHP191NQ06LT, 127	1.5700	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PHP19					다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 않습니다	귀 99	8541.29.0095	1,000
Bujd203a, 127	0.3000	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 통해	TO-220-3				80 W.	TO-220AB	다운로드				귀 99	8541.29.0095	875																		425 v	4 a		100µA	NPN	1V @ 600MA, 3A	11 @ 2a, 5V	-
PSMN7R6-60BS118	-	RFQ	8977	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드				귀 99	8541.29.0095	1
BUK9607-30B, 118	0.4200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					buk96					-	ROHS3 준수		영향을받지 않습니다	귀 99	8541.29.0095	800
BUK7Y153-100E115	-	RFQ	1495	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드	적용 할 수 없습니다	1 (무제한)	공급 업체는 정의되지 않았습니다	귀 99	8541.29.0095	1,500
PSMN3R3-80ES, 127	1.4700	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 통해	TO-262-3 긴 리드, I²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 산화물)		i2pak	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	귀 99	0000.00.0000	1		n 채널					80 v	120A (TC)	10V	3.3mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	139 NC @ 10 v	± 20V	9961 pf @ 40 v	-	338W (TC)
PHB27NQ10T, 118	-	RFQ	7872	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PHB27					다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 않습니다	귀 99	8541.29.0095	800
PSMN3R2-30YLC, 115	-	RFQ	9850	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					psmn3					다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 않습니다	귀 99	8541.29.0075	1,500
psmn5r3-25mldx	1.0000	RFQ	5003	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 마운트	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드)			MOSFET (금속 산화물)		LFPAK33	다운로드				귀 99	8541.29.0095	1		n 채널					25 v	70A (TC)	4.5V, 10V	5.9mohm @ 15a, 10V	2.2v @ 1ma	12.7 NC @ 10 v	± 20V	858 pf @ 12 v	Schottky Diode (Body)	51W (TC)
A2G35S200-01SR3	139.2100	RFQ	129	NXP USA Inc.	-	테이프 & 릴 (TR)	활동적인	125 v		표면 마운트	NI-400S-2S	A2G35	3.4GHz ~ 3.6GHz	간 헴		NI-400S-2S	다운로드	ROHS3 준수	적용 할 수 없습니다	영향을받지 않습니다	디스크 3A001B3	8541.29.0075	250			-	291 MA	180W	16.1db											-			48 v
BLF7G24LS-140,118	68.7500	RFQ	970	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	65 v			SOT-502B	BLF7	2.3GHz ~ 2.4GHz	LDMOS		SOT502B	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	공급 업체는 정의되지 않았습니다	귀 99	0000.00.0000	1			28a	1.3 a	30W	18.5dB											-			28 v
PMBT3906/DG215	0.0200	RFQ	249	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PMBT3906					다운로드	적용 할 수 없습니다	1 (무제한)	공급 업체는 정의되지 않았습니다	귀 99	8541.21.0075	3,000
pH6325L, 115	-	RFQ	7306	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					pH63					다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 않습니다	귀 99	8541.29.0095	1,500
BC847CW/ZL115	0.0300	RFQ	180	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드	적용 할 수 없습니다	1 (무제한)	공급 업체는 정의되지 않았습니다	귀 99	8541.21.0075	3,000
php18nq10t, 127	0.6000	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PHP18					다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 않습니다	귀 99	8541.29.0095	1,000
NX602NBKS115	-	RFQ	5279	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										-	적용 할 수 없습니다	1 (무제한)	공급 업체는 정의되지 않았습니다	귀 99	8541.21.0075	1

2000+
Daily average RFQ Volume
30,000,000
Standard Product Unit
2800+
Worldwide Manufacturers
15,000 m²
In-stock Warehouse

트랜지스터 (4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²