SIC
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트랜지스터 (4003)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
PSMN8R0-30YLC115 NXP USA Inc. PSMN8R0-30YLC115 -
RFQ
 ECAD 4904 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 54A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 15a, 10V 1.95v @ 1ma 15 nc @ 10 v ± 20V 848 pf @ 15 v - 42W (TC)
MRF6S9130HR3 NXP USA Inc. MRF6S9130HR3 -
RFQ
 ECAD 6872 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v 섀시 섀시 SOT-957A MRF6 880MHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 - 950 MA 27W 19.2db - 28 v
BUK9245-55A,118 NXP USA Inc. BUK9245-55A, 118 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 28A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 5a, 10V 2V @ 1mA 14 nc @ 5 v ± 15V 1006 pf @ 25 v - 70W (TC)
MRF1K50HR5 NXP USA Inc. MRF1K50HR5 190.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 50 v 섀시 섀시 SOT-979A MRF1K50 1.8MHz ~ 500MHz LDMOS NI-1230-4H 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 1500W 22.5dB -
PBRP123YT,215 NXP USA Inc. PBRP123YT, 215 -
RFQ
 ECAD 8169 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PBRP12 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
MRF5S9101NBR1 NXP USA Inc. MRF5S9101NBR1 -
RFQ
 ECAD 7547 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v 섀시 섀시 TO-272BB MRF5 960MHz LDMOS TO-272 WB-4 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 - 700 MA 100W 17.5dB - 26 v
BUK7Y28-75B,115 NXP USA Inc. BUK7Y28-75B, 115 0.4000
RFQ
 ECAD 2672 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 귀 99 8541.29.0095 166 n 채널 75 v 35.5A (TC) 10V 28mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 21.2 NC @ 10 v ± 20V 1417 pf @ 25 v - 85W (TC)
MRF6V4300NBR1 NXP USA Inc. MRF6V4300NBR1 -
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 110 v 섀시 섀시 TO-272BB MRF6 450MHz LDMOS TO-272 WB-4 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935317035528 귀 99 8541.29.0075 500 - 900 MA 300W 22db - 50 v
MPSA43,116 NXP USA Inc. MPSA43,116 -
RFQ
 ECAD 2082 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPSA43 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 200 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
BC817-25/DG/B2235 NXP USA Inc. BC817-25/DG/B2235 -
RFQ
 ECAD 4155 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BC817 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 10,000
PDTC323TK,115 NXP USA Inc. PDTC323TK, 115 -
RFQ
 ECAD 6429 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC32 250 MW smt3; mpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 15 v 500 MA 500NA npn-사전- 80MV @ 2.5MA, 50MA 100 @ 50MA, 5V 2.2 Kohms
A3G18D510-04SR3 NXP USA Inc. A3G18D510-04SR3 114.4650
RFQ
 ECAD 6841 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 v 표면 표면 NI-780S-4L 1.805GHz ~ 2.2GHz - NI-780S-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 - - 250 MA 56W 16db - 48 v
MRFE6VP61K25HR5178 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25HR5178 -
RFQ
 ECAD 6516 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0075 1
PDTA115TU,115 NXP USA Inc. PDTA115TU, 115 0.0200
RFQ
 ECAD 206 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA11 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
2PA1576R/ZL115 NXP USA Inc. 2PA1576R/ZL115 1.0000
RFQ
 ECAD 6097 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
PSMN8R0-30YL,115 NXP USA Inc. PSMN8R0-30YL, 115 -
RFQ
 ECAD 3295 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn8 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 62A (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 18.3 NC @ 10 v ± 20V 1005 pf @ 15 v - 56W (TC)
A2V09H400-04NR3528 NXP USA Inc. A2V09H400-04NR3528 103.4700
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0075 1
MRF9030NR1 NXP USA Inc. MRF9030NR1 -
RFQ
 ECAD 9739 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 TO-270AA MRF90 945MHz LDMOS TO-270-2 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 - 250 MA 30W 20dB - 26 v
MRF7S21150HSR5 NXP USA Inc. MRF7S21150HSR5 -
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-780S MRF7 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 1.35 a 44W 17.5dB - 28 v
BUK7Y13-40B,115 NXP USA Inc. BUK7Y13-40B, 115 -
RFQ
 ECAD 4067 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 buk7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500
PMEM4020AND,115 NXP USA Inc. PMEM4020 20 115 -
RFQ
 ECAD 9664 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 pmem4 600MW SC-74 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 950 MA 100NA NPN + 다이오드 (분리) 400mv @ 200ma, 2a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
BC846A,215 NXP USA Inc. BC846A, 215 -
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BC84 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
PDTA114ET/DG/B2215 NXP USA Inc. PDTA114ET/DG/B2215 0.0200
RFQ
 ECAD 1650 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 6,000
2PC1815GR,116 NXP USA Inc. 2PC1815GR, 116 -
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2pc18 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
BUK7614-55,118 NXP USA Inc. BUK7614-55,118 -
RFQ
 ECAD 5258 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk76 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 55 v 68A (TC) 10V 14mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 16V 2900 pf @ 25 v - 142W (TC)
BUK7C1R8-60EJ NXP USA Inc. buk7c1r8-60ej -
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) buk7c1 MOSFET (금속 (() D2PAK-7 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934067491118 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v - - - - -
MMRF5018HS-450 NXP USA Inc. MMRF5018HS-450 1.0000
RFQ
 ECAD 4775 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 활동적인 125 v 표면 표면 NI-400S-2SA MMRF5018 1MHz ~ 2.7GHz - NI-400S-2SA - 1 - - 125W 17.3db -
BF1201WR,135 NXP USA Inc. BF1201WR, 135 -
RFQ
 ECAD 1275 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 10 v 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BF120 400MHz MOSFET CMPAK-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 게이트 게이트 듀얼 30ma 15 MA - 29db 1db 5 v
PSMN013-30LL,115 NXP USA Inc. PSMN013-30LL, 115 -
RFQ
 ECAD 4757 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 PSMN0 MOSFET (금속 (() 8-DFN3333 (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,400 n 채널 30 v 21A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 5a, 10V 2.15v @ 1ma 12.2 NC @ 10 v ± 20V 768 pf @ 15 v - 41W (TC)
BUK7C5R4-100EJ NXP USA Inc. buk7c5r4-100ej -
RFQ
 ECAD 4331 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) buk7c5 MOSFET (금속 (() D2PAK-7 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934067496118 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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