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트랜지스터 (4003)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
MRF9030NR1 NXP USA Inc. MRF9030NR1 -
RFQ
 ECAD 9739 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 TO-270AA MRF90 945MHz LDMOS TO-270-2 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 - 250 MA 30W 20dB - 26 v
MRF7S21150HSR5 NXP USA Inc. MRF7S21150HSR5 -
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-780S MRF7 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 1.35 a 44W 17.5dB - 28 v
BUK7Y13-40B,115 NXP USA Inc. BUK7Y13-40B, 115 -
RFQ
 ECAD 4067 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 buk7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500
PMEM4020AND,115 NXP USA Inc. PMEM4020 20 115 -
RFQ
 ECAD 9664 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 pmem4 600MW SC-74 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 950 MA 100NA NPN + 다이오드 (분리) 400mv @ 200ma, 2a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
BC846A,215 NXP USA Inc. BC846A, 215 -
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BC84 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
PDTA114ET/DG/B2215 NXP USA Inc. PDTA114ET/DG/B2215 0.0200
RFQ
 ECAD 1650 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 6,000
2PC1815GR,116 NXP USA Inc. 2PC1815GR, 116 -
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2pc18 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
BUK7614-55,118 NXP USA Inc. BUK7614-55,118 -
RFQ
 ECAD 5258 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk76 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 55 v 68A (TC) 10V 14mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 16V 2900 pf @ 25 v - 142W (TC)
BUK7C1R8-60EJ NXP USA Inc. buk7c1r8-60ej -
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) buk7c1 MOSFET (금속 (() D2PAK-7 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934067491118 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v - - - - -
MMRF5018HS-450 NXP USA Inc. MMRF5018HS-450 1.0000
RFQ
 ECAD 4775 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 활동적인 125 v 표면 표면 NI-400S-2SA MMRF5018 1MHz ~ 2.7GHz - NI-400S-2SA - 1 - - 125W 17.3db -
BF1201WR,135 NXP USA Inc. BF1201WR, 135 -
RFQ
 ECAD 1275 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 10 v 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BF120 400MHz MOSFET CMPAK-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 게이트 게이트 듀얼 30ma 15 MA - 29db 1db 5 v
PSMN013-30LL,115 NXP USA Inc. PSMN013-30LL, 115 -
RFQ
 ECAD 4757 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 PSMN0 MOSFET (금속 (() 8-DFN3333 (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,400 n 채널 30 v 21A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 5a, 10V 2.15v @ 1ma 12.2 NC @ 10 v ± 20V 768 pf @ 15 v - 41W (TC)
BUK7C5R4-100EJ NXP USA Inc. buk7c5r4-100ej -
RFQ
 ECAD 4331 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) buk7c5 MOSFET (금속 (() D2PAK-7 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934067496118 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v - - - - -
PMDPB85UPE,115 NXP USA Inc. PMDPB85UPE, 115 -
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PMDPB85 MOSFET (금속 (() 515MW 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 2 p 채널 (채널) 20V 2.9A 103mohm @ 1.3a, 4.5v 950MV @ 250µA 8.1NC @ 4.5V 514pf @ 10V 논리 논리 게이트
MRF9120LR5 NXP USA Inc. MRF9120LR5 -
RFQ
 ECAD 6870 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-860 MRF91 880MHz LDMOS NI-860 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.31.0001 50 - 1 a 120W 16.5dB - 26 v
BUK9E2R8-60E,127 NXP USA Inc. buk9e2r8-60e, 127 -
RFQ
 ECAD 1078 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA buk9 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 120A (TC) 5V, 10V 2.6mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 120 nc @ 5 v ± 10V 17450 pf @ 25 v - 349W (TC)
PDTC124TMB315 NXP USA Inc. PDTC124TMB315 0.0300
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1
BUK9Y25-60E/GFX NXP USA Inc. BUK9Y25-60E/GFX -
RFQ
 ECAD 4980 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 buk9 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,500
PDTA124TE,115 NXP USA Inc. PDTA124TE, 115 -
RFQ
 ECAD 6158 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 PDTA124 150 MW SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V 22 KOHMS
PMV130ENEA/DG/B2215 NXP USA Inc. PMV130ENEA/DG/B2215 0.0700
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1,121
MRFG35005MT1 NXP USA Inc. MRFG35005MT1 -
RFQ
 ECAD 8125 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 15 v 표면 표면 PLD-1.5 MRFG35 3.55GHz Phemt Fet PLD-1.5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 - 80 MA 4.5W 11db - 12 v
MRF21085LSR5 NXP USA Inc. MRF21085LSR5 -
RFQ
 ECAD 3550 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v NI-780S MRF21 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.31.0001 50 - 1 a 19W 13.6dB - 28 v
MMRF1311HR5 NXP USA Inc. MMRF1311HR5 -
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 50 v 섀시 섀시 SOT-979A MMRF1 470MHz ~ 860MHz LDMOS NI-1230-4H 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935312262178 귀 99 8541.29.0075 50 - 140W 20dB -
PN2222A,126 NXP USA Inc. PN2222A, 126 -
RFQ
 ECAD 1582 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN22 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
PEMD30,115 NXP USA Inc. PEMD30,115 -
RFQ
 ECAD 7080 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PEMD3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000
2PD601AQW,115 NXP USA Inc. 2pd601aqw, 115 -
RFQ
 ECAD 4297 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2pd60 200 MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 10NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 160 @ 2MA, 10V 100MHz
MRF7S27130HSR5 NXP USA Inc. MRF7S27130HSR5 -
RFQ
 ECAD 1156 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-780S MRF7 2.7GHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 1.5 a 23W 16.5dB - 28 v
PUMD9/L115 NXP USA Inc. PUMD9/L115 0.0200
RFQ
 ECAD 7383 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
PH4030DLV115 NXP USA Inc. ph4030dlv115 1.0000
RFQ
 ECAD 5673 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1,500
BUK7Y29-40EX NXP USA Inc. BUK7Y29-40EX -
RFQ
 ECAD 7819 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 26A (TC) 10V 29mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 7.9 NC @ 10 v ± 20V 492 pf @ 25 v - 37W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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