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트랜지스터 (4003)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
MRF6VP11KHR6	-	RFQ	3706	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	110 v		섀시 섀시	NI-1230	MRF6	130MHz	LDMOS		NI-1230	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	150	이중		-	150 MA	1000W	26db											-			50 v
BLS3135-65,114	-	RFQ	5490	NXP USA Inc.	-	쟁반	쓸모없는		200 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-422A	bls3			200W	CDFM2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	4						7db												75V	8a			NPN		40 @ 2a, 5V	3.5GHz			-
BFG520,235	-	RFQ	2089	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	BFG52			300MW	SOT-143B	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934018800235	귀 99	8541.21.0075	10,000						-												15V	70ma			NPN		60 @ 20MA, 6V	9GHz			1.1db ~ 2.1db @ 900MHz
MRF8S9100HR5	-	RFQ	2498	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	70 v		섀시 섀시	SOT-957A	MRF8	920MHz	LDMOS		NI-780H-2L	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	935314124178	5A991G	8541.29.0075	50			-	500 MA	72W	19.3db											-			28 v
BC857QAS147	-	RFQ	8449	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					BC857					다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	1
MRF6S23140HSR3	-	RFQ	9844	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	68 v		표면 표면	NI-880S	MRF6	2.39GHz	LDMOS		NI-880S	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	250			-	1.3 a	28W	15.2db											-			28 v
PDTC124XU, 115	0.0200	RFQ	1735	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PDTC12					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000
pht6n06lt, 135	-	RFQ	1208	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	pht6		MOSFET (금속 (()		SC-73	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널					55 v	2.5A (TA)	5V	150mohm @ 5a, 5V	2V @ 1mA	4.5 nc @ 5 v	± 13V	330 pf @ 25 v	-	1.8W (TA), 8.3W (TC)
PZT3904,115	-	RFQ	5492	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	PZT39			1.05 w	SC-73	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																		40 v	200 MA		50NA (ICBO)	NPN	200mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz
AFT18HW355SR6	-	RFQ	7340	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	65 v		섀시 섀시	NI-1230S	Aft18	1.88GHz	LDMOS		NI-1230S	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	935320115128	5A991G	8541.29.0040	150	이중		-	1.1 a	63W	15.2db											-			28 v
MPSA42,412	-	RFQ	2626	NXP USA Inc.	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	MPSA42			500MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1,000																		300 v	100 MA		100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 2ma, 20ma	40 @ 30MA, 10V	50MHz
PBSS5160V, 115	-	RFQ	9917	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PBSS5					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	4,000
PBLS1504Y, 115	-	RFQ	2927	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PBLS15					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000
PEMD2,315	-	RFQ	5356	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PEMD2					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	8,000
A2T18S160W31GSR3	-	RFQ	7894	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	65 v		섀시 섀시	NI-780GS-2L2LA	A2T18	1.88GHz	LDMOS		NI-780GS-2L2LA	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	935312705128	귀 99	8541.29.0075	250			-	1 a	32W	19.9dB											-			28 v
BUK9M6R6-30EX	-	RFQ	9083	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드)			MOSFET (금속 (()		LFPAK33	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1		n 채널					30 v	70A (TC)	5V	5.3MOHM @ 20A, 10V	2.1v @ 1ma	18 nc @ 5 v	± 10V	2001 pf @ 25 v	-	75W (TC)
A2T21S160-12SR3	113.6220	RFQ	2983	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	65 v		섀시 섀시	NI-780-2S2L	A2T21	2.17GHz	LDMOS		NI-780-2S2L	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	935323736128	귀 99	8541.29.0075	250			-	600 MA	38W	18.4dB											-			28 v
MRF7S35120HSR3	-	RFQ	8855	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	65 v		섀시 섀시	NI-780S	MRF7	3.1GHz ~ 3.5GHz	LDMOS		NI-780S	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	250			-	150 MA	120W	12db											-			32 v
BLF7G27L-150P, 112	111.3300	RFQ	35	NXP USA Inc.	-	튜브	쓸모없는	65 v		섀시 섀시	SOT-539A		2.5GHz ~ 2.7GHz	LDMOS		SOT539A	다운로드	Rohs3 준수				5A991G	8541.29.0075	20	이중, 소스 일반적인		37a	1.2 a	30W	16.5dB											-			28 v
BFG425W, 115	-	RFQ	8364	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-82A, SOT-343	BFG42			135MW	CMPAK-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000						20dB												4.5V	30ma			NPN		50 @ 25MA, 2V	25GHz			0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
on5264,127	-	RFQ	6893	NXP USA Inc.	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	on52	-	-		TO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934058223127	귀 99	8541.29.0095	1,000	-		-		-	-											-
2N4401,116	-	RFQ	2551	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	2N44			630 MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,000																		40 v	600 MA		50NA (ICBO)	NPN	750mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 1V	250MHz
bfu910fx	0.4600	RFQ	58	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-343F	BFU91			300MW	4-DFP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000						13.5dB												9.5V	15MA			NPN
PMR400UN, 115	-	RFQ	8815	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-75, SOT-416	PMR4		MOSFET (금속 (()		SC-75	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널					30 v	800MA (TC)	1.8V, 4.5V	480mohm @ 200ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.89 nc @ 4.5 v	± 8V	43 pf @ 25 v	-	530MW (TC)
Bfr92aw, 135	-	RFQ	1304	NXP USA Inc.	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BFR92			300MW	SC-70	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000						-												15V	25MA			NPN		65 @ 15ma, 10V	5GHz			2DB ~ 3db @ 1GHz ~ 2GHz
PDTA123TE, 115	-	RFQ	9139	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-75, SOT-416	PDTA123			150 MW	SC-75	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																		50 v	100 MA		1µA	pnp- 사전-	150mv @ 500µa, 10ma	30 @ 20MA, 5V		2.2 Kohms
PBSS4350SPN, 115	0.1500	RFQ	5764	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	PBSS4350			750MW	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	189																		50V	2.7a		100NA	NPN, PNP	340mv @ 270ma, 2.7a / 370mv @ 270ma, 2.7a	300 @ 1a, 2v / 180 @ 1a, 2v	-
2PA1576S, 135	0.0200	RFQ	270	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323				200 MW	SOT-323	다운로드					귀 99	8541.21.0075	1																		50 v	150 MA		100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 5ma, 50ma	270 @ 1ma, 6V	100MHz
PEMD20,115	0.0600	RFQ	9180	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOT-563, SOT-666	PEMD20			300MW	SOT-666	다운로드					귀 99	8541.21.0095	411																		50V	100ma		1µA	1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	150mv @ 500µa, 10ma	30 @ 20MA, 5V	-	2.2kohms	2.2kohms
PDTA124XS, 126	-	RFQ	2982	NXP USA Inc.	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	PDTA124			500MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000																		50 v	100 MA		1µA	pnp- 사전-	150mv @ 500µa, 10ma	80 @ 5ma, 5V		22 KOHMS	47 Kohms

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²