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트랜지스터 (4003)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
2N7002pm, 315	-	RFQ	2556	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	2N70		MOSFET (금속 (()		DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934064133315	귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널					60 v	300MA (TA)	5V, 10V	-	-		± 20V		-	250MW (TA)
BFS505,115	-	RFQ	5155	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BFS50			150MW	SC-70	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000						-												15V	18MA			NPN		60 @ 5MA, 6V	9GHz			1.2dB ~ 2.1db @ 900MHz
MMRF5300NR5	-	RFQ	3800	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	125 v		표면 표면	TO-270AA	MMRF5	2.7GHz ~ 3.5GHz	헴		OM-270-2	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	935322537528	쓸모없는		50			-	70 MA	60W	17dB											-			50 v
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PMZB300XN, 315	0.0900	RFQ	230	NXP USA Inc.	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-101, SOT-883			MOSFET (금속 (()		DFN1006B-3	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널					20 v	1A (TA)	2.5V, 4.5V	380mohm @ 200ma, 4.5v	1.5V @ 250µA	0.94 nc @ 4.5 v	± 12V	51 pf @ 20 v	-	360MW (TA), 2.7W (TC)
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BF556A, 215	-	RFQ	2188	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	30 v		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BF556	-	JFET		SOT-23 (TO-236AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 채널		7ma		-	-											-
BUK6213-30A, 118	0.2400	RFQ	4	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	0000.00.0000	1		n 채널					30 v	55A (TC)	10V	13mohm @ 10a, 10V	3V @ 1mA	44 NC @ 10 v	± 16V	1986 pf @ 25 v	-	102W (TC)
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PhD13005AD, 127	-	RFQ	8989	NXP USA Inc.	-	튜브	쓸모없는		-	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	PhD13				DPAK	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934064309127	귀 99	8541.29.0095	2,500																		700 v	4 a		-	NPN	-	-	-
BF1201WR, 135	-	RFQ	1275	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	10 v		표면 표면	SC-82A, SOT-343	BF120	400MHz	MOSFET		CMPAK-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000	n 게이트 게이트 듀얼		30ma	15 MA	-	29db											1db			5 v
BUK9222-55A/C1,118	-	RFQ	5293	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	BUK9222		MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널					55 v	48A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 25a, 10V	2V @ 1mA		± 15V	2210 pf @ 25 v	-	103W (TC)
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ph5525L, 115	-	RFQ	6378	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	ph55		MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널					25 v	81.7A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 25a, 10V	2.15v @ 1ma	16.6 NC @ 4.5 v	± 20V	2150 pf @ 12 v	-	62.5W (TC)
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PDTC114EK, 135	-	RFQ	4217	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTC114			250 MW	smt3; mpak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000																		50 v	100 MA		1µA	npn-사전-	150mv @ 500µa, 10ma	30 @ 5MA, 5V		10 KOHMS	10 KOHMS
PDTC123TE, 115	-	RFQ	5072	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-75, SOT-416	PDTC123			150 MW	SC-75	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																		50 v	100 MA		1µA	npn-사전-	150mv @ 500µa, 10ma	30 @ 20MA, 5V		2.2 Kohms
ph7030als, 115	-	RFQ	2954	NXP USA Inc.	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					ph70					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934065186115	귀 99	8541.29.0095	1,500
BFR520,235	-	RFQ	9712	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BFR52			300MW	SOT-23 (TO-236AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934018790235	귀 99	8541.21.0075	10,000						-												15V	70ma			NPN		60 @ 20MA, 6V	9GHz			1.1db ~ 2.1db @ 900MHz
MRF6V12500HSR3	-	RFQ	1586	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	110 v		섀시 섀시	NI-780S	MRF6	1.03GHz	LDMOS		NI-780S	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	250			-	200 MA	500W	19.7dB											-			50 v
A3T18H455W23SR6	98.0184	RFQ	7499	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	65 v		섀시 섀시	ACP-1230S-4L2	A3T18	1.805GHz ~ 1.88GHz	LDMOS		ACP-1230S-4L2	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	935354975128	귀 99	8541.29.0075	150	이중		10µA	600 MA	192w	16.7dB											-			30 v
MRFE6S8046GNR1	-	RFQ	2832	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	66 v		표면 표면	TO-270BB	mrfe6	894mhz	LDMOS		TO-270 WB-4 GULL	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		5A991G	8541.29.0075	500			-	300 MA	35.5W	19.8dB											-			28 v
PHT6N06T, 135	-	RFQ	3416	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	pht6		MOSFET (금속 (()		SC-73	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널					55 v	5.5A (TC)	10V	150mohm @ 5a, 10V	4V @ 1MA	5.6 NC @ 10 v	± 20V	175 pf @ 25 v	-	8.3W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²