SIC
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트랜지스터 (4003)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
PMWD16UN,518 NXP USA Inc. PMWD16UN, 518 -
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) PMWD16 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 9.9A 19mohm @ 3.5a, 4.5v 700mv @ 1ma 23.6NC @ 4.5V 1366pf @ 16v 논리 논리 게이트
MRFE6S9046NR1 NXP USA Inc. MRFE6S9046NR1 -
RFQ
 ECAD 8864 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 66 v 표면 표면 TO-270AB mrfe6 960MHz LDMOS TO-270 WB-4 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0075 500 - 300 MA 35.5W 19db - 28 v
PMWD26UN,518 NXP USA Inc. PMWD26UN, 518 -
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) PMWD26 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 7.8a 30mohm @ 3.5a, 4.5v 700mv @ 1ma 23.6NC @ 4.5V 1366pf @ 16v 논리 논리 게이트
BUK9635-55A118 NXP USA Inc. BUK9635-55A118 -
RFQ
 ECAD 1744 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
MRF8P9040NBR1 NXP USA Inc. MRF8P9040NBR1 -
RFQ
 ECAD 4499 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 70 v 섀시 섀시 TO-272BB MRF8 960MHz LDMOS TO-272 WB-4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935319636528 귀 99 8541.29.0095 500 이중 - 320 MA 4W 19.1db - 28 v
2PB710AR,115 NXP USA Inc. 2PB710AR, 115 -
RFQ
 ECAD 6269 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2pb71 250 MW smt3; mpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 12,000 50 v 500 MA 10NA (ICBO) PNP 600mv @ 30ma, 300ma 120 @ 150ma, 10V 120MHz
MRF5S19100HR3 NXP USA Inc. MRF5S19100HR3 -
RFQ
 ECAD 1934 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v NI-780 MRF5 1.93GHz ~ 1.99GHz LDMOS NI-780 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0075 250 - 1 a 22W 13.9dB - 28 v
PSMN2R2-40BS,118 NXP USA Inc. PSMN2R2-40BS, 118 1.0000
RFQ
 ECAD 7847 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 v ± 20V 8423 pf @ 20 v - 306W (TC)
A5G35S004N-3400 NXP USA Inc. A5G35S004N-3400 105.4700
RFQ
 ECAD 7639 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 v 표면 표면 6-ldfn n 패드 3.3GHz ~ 4.3GHz - 6-PDFN (4x4.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - - 12 MA 24.5dBm 16.9dB - 48 v
PDTC124EMB,315 NXP USA Inc. PDTC124EMB, 315 0.0200
RFQ
 ECAD 289 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTC124 250 MW DFN1006B-3 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V 230MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
MMRF1018NR1 NXP USA Inc. MMRF1018NR1 -
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 120 v 표면 표면 TO-270-4 MMRF1 860MHz LDMOS TO-270 WB-4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935320384528 귀 99 8541.29.0075 500 - 350 MA 18W 22db - 50 v
BUK663R2-40C,118 NXP USA Inc. BUK663R2-40C, 118 -
RFQ
 ECAD 7644 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 buk66 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 800
MPS3906,126 NXP USA Inc. MPS3906,126 -
RFQ
 ECAD 8438 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPS39 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 40 v 100 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 150MHz
BUK761R7-40E/GFJ NXP USA Inc. BUK761R7-40E/GFJ -
RFQ
 ECAD 2888 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk76 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 800 - 10V ± 20V
BUK9505-30A,127 NXP USA Inc. BUK9505-30A, 127 -
RFQ
 ECAD 9657 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buk95 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 8600 pf @ 25 v - 230W (TC)
BC847AT,115 NXP USA Inc. BC847AT, 115 -
RFQ
 ECAD 9295 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 BC84 150 MW SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PMN40LN,135 NXP USA Inc. PMN40LN, 135 -
RFQ
 ECAD 6909 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN4 MOSFET (금속 (() SC-74 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 5.4A (TC) 4.5V, 10V 38mohm @ 2.5a, 10V 2V @ 1mA 13.8 nc @ 10 v ± 15V 555 pf @ 25 v - 1.75W (TC)
2N7002BKV,115 NXP USA Inc. 2N7002BKV, 115 -
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 2N70 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000
BC54-10PA,115 NXP USA Inc. BC54-10PA, 115 0.0500
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn 420 MW 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 귀 99 8541.29.0075 1 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
A3T09S100NR1 NXP USA Inc. A3T09S100NR1 22.0500
RFQ
 ECAD 6684 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 65 v 표면 표면 TO-270-2 136MHz ~ 941MHz LDMOS TO-270-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 10µA 450 MA 100W 22.8dB - 28 v
MRF6S27085HSR5 NXP USA Inc. MRF6S27085HSR5 -
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v 섀시 섀시 NI-780S MRF6 2.66GHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 900 MA 20W 15.5dB - 28 v
PMBT3946YPN/ZL115 NXP USA Inc. PMBT3946YPN/ZL115 -
RFQ
 ECAD 1389 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
PMZB420UN,315 NXP USA Inc. PMZB420UN, 315 0.0900
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 900MA (TA) 1.8V, 4.5V 490mohm @ 200ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.98 nc @ 4.5 v ± 8V 65 pf @ 25 v - 360MW (TA), 2.7W (TC)
PDTA143EM,315 NXP USA Inc. PDTA143EM, 315 0.0300
RFQ
 ECAD 189 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA14 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000
BFS17,215 NXP USA Inc. BFS17,215 -
RFQ
 ECAD 5533 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFS17 300MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 - 15V 25MA NPN 25 @ 2MA, 1V 1GHz 4.5dB @ 500MHz
MRF7P20040HSR5 NXP USA Inc. MRF7P20040HSR5 -
RFQ
 ECAD 8023 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 NI-780S-4L MRF7 2.03GHz LDMOS NI-780S-4L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 이중 - 150 MA 10W 18.2db - 32 v
BCV63B,215 NXP USA Inc. BCV63B, 215 0.0800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BCV63 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
PDTC115TMB315 NXP USA Inc. PDTC115TMB315 0.0200
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1
PSMN013-100PS,127 NXP USA Inc. PSMN013-100PS, 127 0.9700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PSMN0 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
A3T21H455W23SR6 NXP USA Inc. A3T21H455W23SR6 89.5761
RFQ
 ECAD 8014 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 65 v 섀시 섀시 ACP-1230S-4L2 A3T21 2.11GHz ~ 2.2GHz LDMOS ACP-1230S-4L2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935368316128 귀 99 8541.29.0075 150 이중 10µA 400 MA 87W 15db - 30 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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