- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (4003)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDTD1113ET215 | - |  | 4171 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHT6N06T, 135 | - | | 3416 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | pht6 | MOSFET (금속 (() | SC-73 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 55 v | 5.5A (TC) | 10V | 150mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 5.6 NC @ 10 v | ± 20V | 175 pf @ 25 v | - | 8.3W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | MRF5S9100MBR1 | - | | 7781 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 68 v | 섀시 섀시 | TO-272BB | MRF5 | 880MHz | LDMOS | TO-272 WB-4 | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 MA | 20W | 19.5dB | - | 26 v | |||||||||||||||||||||||||
 | A3T18H455W23SR6 | 98.0184 | | 7499 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 65 v | 섀시 섀시 | ACP-1230S-4L2 | A3T18 | 1.805GHz ~ 1.88GHz | LDMOS | ACP-1230S-4L2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 935354975128 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 150 | 이중 | 10µA | 600 MA | 192w | 16.7dB | - | 30 v | |||||||||||||||||||||||
 | MRF373ALR5 | - | | 8413 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 70 v | 섀시 섀시 | NI-360 | MRF37 | 860MHz | LDMOS | NI-360 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 200 MA | 75W | 18.2db | - | 32 v | |||||||||||||||||||||||||
 | BUK956R1-100E, 127 | - | | 3617 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | buk95 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 120A (TC) | 5V, 10V | 5.9mohm @ 25a, 10V | 2.1v @ 1ma | 133 NC @ 5 v | ± 10V | 17460 pf @ 25 v | - | 349W (TC) | |||||||||||||||||||||
| PBHV2160Z115 | - | | 4303 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MD7P19130HR3 | - | | 6039 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | NI-780-4 | MD7P1 | 1.99GHz | LDMOS | NI-780-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | 이중 | - | 1.25 a | 40W | 20dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||
 | PMV90EN, 215 | - | | 1550 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV9 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 (TO-236AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 1.9A (TA) | 4.5V, 10V | 84mohm @ 1.9a, 10V | 2.5V @ 250µA | 4 NC @ 10 v | ± 20V | 132 pf @ 15 v | - | 310MW (TA), 2.09W (TC) | |||||||||||||||||||||
| BF512,215 | - | | 5928 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 20 v | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BF512 | 100MHz | JFET | SOT-23 (TO-236AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30ma | 5 MA | - | - | 1.5dB | 10 v | ||||||||||||||||||||||||
 | MRF9085LR5 | - | | 1940 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-957A | MRF90 | 880MHz | LDMOS | NI-780H-2L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 700 MA | 90W | 17.9dB | - | 26 v | |||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144TK, 115 | - | | 5018 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC144 | 250 MW | smt3; mpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 1µA | npn-사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 100 @ 1ma, 5V | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | BC51-16PAS115 | - | | 6630 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC847CW/DG/B2115 | 0.0200 | | 121 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5ma, 100ma | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | MRF18090AR3 | - | | 2517 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-957A | MRF18 | 1.81GHz | LDMOS | NI-880H-2L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 250 | - | 750 MA | 90W | 13.5dB | - | 26 v | |||||||||||||||||||||||||
 | BFU550XVL | 0.1553 | | 8873 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BFU550 | 450MW | SOT-143B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934067708235 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 15.5dB | 12V | 50ma | NPN | 60 @ 15ma, 8v | 11GHz | 1.3dB @ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||
| BUK9880-55A, 115 | - | | 8639 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | buk98 | MOSFET (금속 (() | SC-73 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 7A (TC) | 4.5V, 10V | 73mohm @ 8a, 10V | 2V @ 1mA | 11 NC @ 5 v | ± 15V | 584 pf @ 25 v | - | 8W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | AFT09MS031GNR1 | 19.3600 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 40 v | 표면 표면 | TO-270BA | AFT09 | 870MHz | LDMOS | TO-270-2 -2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | - | 500 MA | 31W | 17.2db | - | 13.6 v | |||||||||||||||||||||||||
| BCM847DS, 115 | - | | 8047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BCM84 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6VP8600HR5 | 298.1700 | | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 130 v | 섀시 섀시 | NI-1230 | mrfe6 | 860MHz | LDMOS | NI-1230 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | 이중 | - | 1.4 a | 125W | 19.3db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||
 | BUK962R6-40E, 118 | 1.2200 | | 640 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 246 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 5V, 10V | 2.4mohm @ 25a, 10V | 2.1V @ 250µA | 80.6 NC @ 32 v | ± 10V | 10285 pf @ 25 v | - | 263W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| PDTA124TT, 215 | - | | 6418 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTA124 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX55,135 | - | | 6148 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | SOT-89 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PHL5830AL, 115 | - | | 2283 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | PHL58 | MOSFET (금속 (() | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,400 | n 채널 | 30 v | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
 | MRF8P8300HSR5 | - | | 5713 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 70 v | 섀시 섀시 | NI-1230S | MRF8 | 820mhz | LDMOS | NI-1230S | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | 이중 | - | 2 a | 96W | 20.9dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S9070MR1 | - | | 4494 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 68 v | TO-270-2 | MRF5 | 880MHz | LDMOS | TO-270-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 600 MA | 14W | 17.8dB | - | 26 v | ||||||||||||||||||||||||||
 | PHU108NQ03LT, 127 | - | | 2664 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | PHU10 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 25 v | 75A (TC) | 5V, 10V | 6MOHM @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | 16.3 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1375 pf @ 12 v | - | 187W (TC) | |||||||||||||||||||||
| BC846BW/DG/B2135 | 0.0200 | | 480 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | BF550/DG/B2215 | 1.0000 | | 9997 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S9100HR3 | - | | 5105 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 70 v | 섀시 섀시 | SOT-957A | MRF8 | 920MHz | LDMOS | NI-780H-2L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 935314124128 | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 500 MA | 72W | 19.3db | - | 28 v |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)