SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BC817,235 NXP USA Inc. BC817,235 0.0200
RFQ
ECAD 130 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BC817 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000
PN2907A,116 NXP USA Inc. PN2907A, 116 -
RFQ
ECAD 2751 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN29 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
BUK9508-55A,127 NXP USA Inc. BUK9508-55A, 127 -
RFQ
ECAD 7557 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buk95 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 92 NC @ 5 v ± 15V 6021 pf @ 25 v - 253W (TC)
A3G26H502W17SR3 NXP USA Inc. A3G26H502W17SR3 155.9687
RFQ
ECAD 2650 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 v 섀시 섀시 NI-780-4S2S 2.496GHz ~ 2.69GHz NI-780-4S2S - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 568-A3G26H502W17SR3TR 귀 99 8541.29.0095 250 2 n 채널 - 370 MA 80W 13.1db - 48 v
BLC8G27LS-245AVJ NXP USA Inc. blc8g27ls-245avj -
RFQ
ECAD 2532 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 65 v 표면 표면 SOT-1251-2 blc8 2.5GHz ~ 2.69GHz LDMOS 8-DFM 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 934068216118 귀 99 8541.29.0075 100 이중, 소스 일반적인 - 500 MA 56W 14.5dB - 28 v
MRF6V12500HR3 NXP USA Inc. MRF6V12500HR3 -
RFQ
ECAD 7483 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 110 v 섀시 섀시 SOT-957A MRF6 1.03GHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 - 200 MA 500W 19.7dB - 50 v
PDTA124XK,115 NXP USA Inc. PDTA124XK, 115 -
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ECAD 4759 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA124 250 MW smt3; mpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 22 KOHMS 47 Kohms
PHB160NQ08T,118 NXP USA Inc. PHB160NQ08T, 118 -
RFQ
ECAD 4796 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB16 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 5.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 91 NC @ 10 v ± 20V 5585 pf @ 25 v - 300W (TC)
PBSS5320X,135 NXP USA Inc. PBSS5320X, 135 0.0700
RFQ
ECAD 310 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PBSS5 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000
BUK761R4-30E,118 NXP USA Inc. BUK761R4-30E, 118 -
RFQ
ECAD 9390 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk76 MOSFET (금속 (() D2PAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 120A (TC) 10V 1.45mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 v ± 20V 9580 pf @ 25 v - 324W (TC)
AFT18H357-24NR6 NXP USA Inc. AFT18H357-24NR6 -
RFQ
ECAD 8649 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 OM-1230-4L2L Aft18 1.81GHz LDMOS OM-1230-4L2L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 150 이중 - 800 MA 63W 17.5dB - 28 v
MRF24300GNR3 NXP USA Inc. MRF24300GNR3 -
RFQ
ECAD 1353 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 32 v 섀시 섀시 OM-780-2G MRF24 2.45GHz OM-780-2 8 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935313135528 귀 99 8541.29.0075 250 - 300W - -
MRF282ZR1 NXP USA Inc. MRF282ZR1 -
RFQ
ECAD 2731 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-200Z MRF28 2GHz LDMOS NI-200Z 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0040 500 - 75 MA 10W 11.5dB - 26 v
BFG520,215 NXP USA Inc. BFG520,215 -
RFQ
ECAD 2668 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFG52 300MW SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 - 15V 70ma NPN 60 @ 20MA, 6V 9GHz 1.1db ~ 2.1db @ 900MHz
BC557C,126 NXP USA Inc. BC557C, 126 -
RFQ
ECAD 8780 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC55 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN4R5-40PS,127 NXP USA Inc. PSMN4R5-40PS, 127 -
RFQ
ECAD 5252 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 psmn4 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
MRF8S9100HSR3 NXP USA Inc. MRF8S9100HSR3 -
RFQ
ECAD 1390 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 70 v 섀시 섀시 NI-780S MRF8 920MHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935314122128 5A991G 8541.29.0075 250 - 500 MA 72W 19.3db - 28 v
BUK9E1R9-40E,127 NXP USA Inc. buk9e1r9-40e, 127 -
RFQ
ECAD 6351 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA buk9 MOSFET (금속 (() i2pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TJ) - - - -
MRF6S18100NR1 NXP USA Inc. MRF6S18100NR1 -
RFQ
ECAD 7079 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v 표면 표면 TO-270AB MRF6 1.99GHz LDMOS TO-270 WB-4 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 - 900 MA 100W 14.5dB - 28 v
A5G23H110NT4 NXP USA Inc. A5G23H110nt4 32.8239
RFQ
ECAD 4653 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 v 표면 표면 6-ldfn n 패드 2.3GHz ~ 2.4GHz 6-PDFN (7x6.5) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 568-A5G23H110nt4tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 - - 60 MA 13.8W 17.9dB - 48 v
AFT23S160W02SR3 NXP USA Inc. AFT23S160W02SR3 -
RFQ
ECAD 4697 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-780S AFT23 2.4GHz LDMOS NI-780S - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 - 1.1 a 45W 17.9dB - 28 v
PDTC114EE,115-NXP NXP USA Inc. PDTC114EE, 115-NXP -
RFQ
ECAD 4231 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTC114 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000
PBLS2001S,115 NXP USA Inc. PBLS2001S, 115 -
RFQ
ECAD 5228 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PBLS20 1.5W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50V, 20V 100ma, 3a 1µA, 100NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 150mv @ 500µa, 10ma / 355mv @ 300ma, 3a 30 @ 20MA, 5V / 150 @ 2A, 2V 100MHz 2.2kohms 2.2kohms
BC858W,135 NXP USA Inc. BC858W, 135 0.0200
RFQ
ECAD 65 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BC857,235 NXP USA Inc. BC857,235 0.0200
RFQ
ECAD 190 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW SOT-23 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
PHPT61006NY115 NXP USA Inc. PHPT61006NY115 -
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1
PMCXB900UEL147 NXP USA Inc. PMCXB900UEL147 -
RFQ
ECAD 7042 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 5,000
BUK7Y35-55B,115 NXP USA Inc. BUK7Y35-55B, 115 -
RFQ
ECAD 3478 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 55 v 28.43A (TC) 10V 35mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 13.1 NC @ 10 v ± 20V 781 pf @ 25 v - 60W (TC)
PDTC124TMB315 NXP USA Inc. PDTC124TMB315 0.0300
RFQ
ECAD 190 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1
PDTC144TS,126 NXP USA Inc. PDTC144TS, 126 -
RFQ
ECAD 8210 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PDTC144 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고