RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

트랜지스터 (4003)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BFU730F, 115	0.6700	RFQ	89	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-343F	BFU730			197MW	4-DFP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000						-												2.8V	30ma			NPN		205 @ 2MA, 2V	55GHz			0.8db ~ 1.3db @ 5.8ghz ~ 12GHz
MRF8P18265HR6	-	RFQ	7638	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	65 v		섀시 섀시	SOT-1110A	MRF8	1.88GHz	LDMOS		NI1230-8	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	935317268128	귀 99	8541.29.0075	150	이중		-	800 MA	72W	16db											-			30 v
PUMD48,115	-	RFQ	7402	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PUMD48					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000
MRFG35020AR1	-	RFQ	8870	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	15 v		섀시 섀시	NI-360	MRFG35	3.5GHz	Phemt Fet		NI-360	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	500			-	300 MA	2W	11.5dB											-			12 v
MRF101AN	26.4000	RFQ	836	NXP USA Inc.	-	튜브	활동적인	133 v			TO-220-3	MRF101	1.8MHz ~ 250MHz	LDMOS		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	50			10µA	100 MA	115W	21.1db											-			50 v
PBSS5140V, 315	-	RFQ	7983	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	PBSS5			500MW	SOT-666	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934056817315	귀 99	8541.21.0075	8,000																		40 v	1 a		100NA	PNP	310mv @ 100ma, 1a	300 @ 100MA, 5V	150MHz
buk7y12-100ex	-	RFQ	1251	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669			MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1		n 채널					100 v	85A (TC)	10V	12MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA	68 NC @ 10 v	± 20V	5067 pf @ 25 v	-	238W (TC)
PMBS3904,235	0.0200	RFQ	820	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PMBS3904					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000
PDTA143ZU, 115	-	RFQ	2838	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PDTA14					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000
J2A020YXS/T0BY425,	-	RFQ	5955	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-	-	-	J2A0				-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	935295719118	쓸모없는	0000.00.0000	12,500		-												-
MRFE6VP8600HSR5	-	RFQ	3050	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	130 v		섀시 섀시	NI-1230S	mrfe6	860MHz	LDMOS		NI-1230S	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		5A991G	8541.29.0075	50	이중		-	1.4 a	125W	19.3db											-			50 v
BFU520AR	0.6100	RFQ	8617	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BFU520			450MW	SOT-23 (TO-236AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000						18db												12V	30ma			NPN		60 @ 5MA, 8V	10GHz			0.7dB @ 900MHz
MRF373ALR1	-	RFQ	4883	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	70 v		섀시 섀시	NI-360	MRF37	860MHz	LDMOS		NI-360	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	500			-	200 MA	75W	18.2db											-			32 v
PDTB113ZS, 126	-	RFQ	8465	NXP USA Inc.	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	PDTB113			500MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000																		50 v	500 MA		500NA	pnp- 사전-	300mv @ 2.5ma, 50ma	70 @ 50MA, 5V		1 KOHMS	10 KOHMS
MRF6S9045NBR1	-	RFQ	1294	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	68 v		섀시 섀시	TO-272BC	MRF6	880MHz	LDMOS		TO-272-2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	500			-	350 MA	10W	22.7dB											-			28 v
PSMN4R6-100XS, 127	-	RFQ	9597	NXP USA Inc.	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	psmn4		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널					100 v	70.4A (TC)	10V	4.6mohm @ 15a, 10V	4V @ 1MA	153 NC @ 10 v	± 20V	9900 pf @ 50 v	-	63.8W (TC)
BC337-16,112	-	RFQ	2142	NXP USA Inc.	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	BC33			625 MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	1,000																		45 v	500 MA		100NA (ICBO)	NPN	700mv @ 50ma, 500ma	100 @ 100ma, 1V	100MHz
2PA1015Y, 126	-	RFQ	1960	NXP USA Inc.	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	2PA10			500MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000																		50 v	150 MA		100NA (ICBO)	PNP	300mv @ 10ma, 100ma	120 @ 2MA, 6V	80MHz
MRFG35010AR1	-	RFQ	3633	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	15 v		섀시 섀시	NI-360HF	MRFG35	3.55GHz	Phemt Fet		NI-360HF	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	500			-	140 MA	1W	10db											-			12 v
PBLS4001Y, 115	0.0700	RFQ	345	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PBLS40					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000
PDTA114EE, 115	-	RFQ	8240	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-75, SOT-416	PDTA114			150 MW	SC-75	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																		50 v	100 MA		100NA (ICBO)	pnp- 사전-	150mv @ 500µa, 10ma	30 @ 5MA, 5V	180MHz	10 KOHMS	10 KOHMS
2PA1774SMB, 315	0.0600	RFQ	127	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-101, SOT-883				250 MW	DFN1006-3	다운로드					귀 99	8541.21.0075	1																		40 v	100 MA		100NA (ICBO)	PNP	200mv @ 5ma, 50ma	270 @ 1ma, 6V	100MHz
BF1108R, 215	-	RFQ	2811	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	3 v		표면 표면	SOT-143R	BF110	-	MOSFET		SOT-143R	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000	n 채널		10MA		-	-											-
PDTD113ZS, 126	-	RFQ	3923	NXP USA Inc.	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	PDTD113			500MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000																		50 v	500 MA		500NA	npn-사전-	300mv @ 2.5ma, 50ma	70 @ 50MA, 5V		1 KOHMS	10 KOHMS
PBSS4120T/S500,215	-	RFQ	3055	NXP USA Inc.	*	대부분	쓸모없는					PBSS4					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1
MMRF5018HSR5	278.3694	RFQ	2606	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	125 v		표면 표면	NI-400S-2SA		1MHz ~ 2.7GHz	-		NI-400S-2SA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	568-mmrf5018hsr5tr	귀 99	8541.29.0095	50	-		-		125W	17.3db											-
BFU520AVL	0.1208	RFQ	6790	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BFU520			450MW	SOT-23 (TO-236AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934067697235	귀 99	8541.21.0075	10,000						12.5dB												12V	30ma			NPN		60 @ 5MA, 8V	10GHz			1DB @ 1.8GHz
BUK6C2R1-55C, 118-NX	-	RFQ	1965	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)			MOSFET (금속 (()		D2PAK-7	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	0000.00.0000	1		n 채널					55 v	228A (TC)	10V	2.3MOHM @ 90A, 10V	2.8V @ 1MA	253 NC @ 10 v	± 16V	16000 pf @ 25 v	-	300W (TC)
MRF6S19200HSR5	-	RFQ	7514	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	66 v		섀시 섀시	NI-780S	MRF6	1.93GHz ~ 1.99GHz	LDMOS		NI-780S	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	50			-	1.6 a	56W	17.9dB											-			28 v
MRF6S27085HR3	-	RFQ	2562	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	68 v		섀시 섀시	SOT-957A	MRF6	2.66GHz	LDMOS		NI-780H-2L	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	250			-	900 MA	20W	15.5dB											-			28 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²