전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NX6020NBKS115 | 0.0900 | ![]() | 162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK752R7-60E, 127 | - | ![]() | 9417 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BUK75 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.6mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 158 NC @ 10 v | ± 20V | 11180 pf @ 25 v | - | 349W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | BFS17,235 | - | ![]() | 3944 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFS17 | 300MW | SOT-23 (TO-236AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 933082771235 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | - | 15V | 25MA | NPN | 25 @ 2MA, 1V | 1GHz | 4.5dB @ 500MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG480W, 115 | - | ![]() | 1415 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | BFG48 | 360MW | CMPAK-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 16db | 4.5V | 250ma | NPN | 40 @ 80MA, 2V | 21GHz | 1.2dB ~ 1.8db @ 900MHz ~ 2GHz | |||||||||||||||||||||||||
MRF7S18125BHR3 | - | ![]() | 6660 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-957A | MRF7 | 1.93GHz | LDMOS | NI-780H-2L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.1 a | 125W | 16.5dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7605-30A, 118 | - | ![]() | 4846 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | buk76 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 75A (TC) | 10V | 5MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 6000 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1310HSR5 | 95.4608 | ![]() | 4906 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 133 v | 표면 표면 | NI-780S-4L | MMRF1310 | 230MHz | LDMOS | NI-780S-4L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 935320331178 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | 이중 | - | 100 MA | 300W | 26.5dB | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS3515E, 115 | - | ![]() | 8085 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | PBSS3 | 250 MW | SC-75 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 15 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 50ma, 500ma | 150 @ 100MA, 2V | 280MHz | |||||||||||||||||||||||||
MRFX035HR5 | 74.0700 | ![]() | 1672 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 179 v | 섀시 섀시 | NI-360H-2SB | MRFX035 | 1.8MHz ~ 512MHz | LDMOS | NI-360H-2SB | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | 10µA | 15 MA | 35W | 24.8dB | - | 65 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMP4201V, 115 | - | ![]() | 9047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMP4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114TS, 126 | - | ![]() | 9551 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | PDTC114 | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 v | 100 MA | 1µA | npn-사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 200 @ 1ma, 5V | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT18S260W31SR3 | - | ![]() | 8987 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | NI-780S-2L2LA | Aft18 | 1.88GHz | LDMOS | NI-780S-2L2LA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 935322334128 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.8 a | 50W | 19.6dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG520,235 | - | ![]() | 2089 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BFG52 | 300MW | SOT-143B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934018800235 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | - | 15V | 70ma | NPN | 60 @ 20MA, 6V | 9GHz | 1.1db ~ 2.1db @ 900MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1320GNR1 | 33.0939 | ![]() | 4371 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 133 v | 표면 표면 | TO-270BB | MMRF1320 | 230MHz | LDMOS | TO-270 WB-4 GULL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 935312501528 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 500 | 이중 | - | 100 MA | 150W | 26.1db | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P20140WHSR5 | - | ![]() | 9860 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 65 v | 표면 표면 | NI-780S-4L | MRF8 | 1.88GHz ~ 1.91GHz | LDMOS | NI-780S-4L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | 이중 | - | 500 MA | 24W | 16db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||
MRFE6S9130HR5 | - | ![]() | 4332 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 66 v | 섀시 섀시 | SOT-957A | mrfe6 | 880MHz | LDMOS | NI-780H-2L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 950 MA | 27W | 19.2db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX138BKR | - | ![]() | 7679 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 265MA (TA) | 2.5V, 10V | 3.5ohm @ 200ma, 10V | 1.5V @ 250µA | 0.49 nc @ 4.5 v | ± 20V | 20.2 pf @ 30 v | - | 310MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | A3G26D055N-2600 | 315.0000 | ![]() | 3192 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 125 v | 표면 표면 | 6-ldfn n 패드 | 100MHz ~ 2.69GHz | - | 6-PDFN (7x6.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | - | - | 40 MA | 8W | 13.9dB | - | 48 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU520R | 0.4900 | ![]() | 93 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BFU520 | 450MW | SOT-143B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 20dB | 12V | 30ma | NPN | 60 @ 5MA, 8V | 10.5GHz | 0.65dB @ 900MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP45N03LTA, 127 | - | ![]() | 7718 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PHP45 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 25 v | 40A (TC) | 3.5V, 10V | 21mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 19 NC @ 5 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP11KHR6 | - | ![]() | 3706 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 110 v | 섀시 섀시 | NI-1230 | MRF6 | 130MHz | LDMOS | NI-1230 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 150 | 이중 | - | 150 MA | 1000W | 26db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK751R6-30E, 127 | - | ![]() | 6333 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BUK75 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 120A (TC) | 10V | 1.6mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 154 NC @ 10 v | ± 20V | 11960 pf @ 25 v | - | 349W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Ph5030als, 115 | - | ![]() | 5660 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | pH50 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934065185115 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR93A, 215 | - | ![]() | 8135 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFR93 | 300MW | SOT-23 (TO-236AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 12V | 35MA | NPN | 40 @ 30MA, 5V | 6GHz | 1.9dB ~ 3db @ 1GHz ~ 2GHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | blc8g27ls-245avj | - | ![]() | 2532 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 65 v | 표면 표면 | SOT-1251-2 | blc8 | 2.5GHz ~ 2.69GHz | LDMOS | 8-DFM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 934068216118 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 100 | 이중, 소스 일반적인 | - | 500 MA | 56W | 14.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||
MRF8S9100HR5 | - | ![]() | 2498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 70 v | 섀시 섀시 | SOT-957A | MRF8 | 920MHz | LDMOS | NI-780H-2L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 935314124178 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 500 MA | 72W | 19.3db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847AW | - | ![]() | 4678 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9875-100A, 115 | - | ![]() | 7976 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | buk98 | MOSFET (금속 (() | SC-73 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 7A (TC) | 4.5V, 10V | 72mohm @ 8a, 10V | 2V @ 1mA | ± 10V | 1690 pf @ 25 v | - | 8W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BFU590GX | 1.2100 | ![]() | 1009 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BFU590 | 2W | SC-73 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 8db | 12V | 200ma | NPN | 60 @ 80MA, 8V | 8.5GHz | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA42,412 | - | ![]() | 2626 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | MPSA42 | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 300 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2ma, 20ma | 40 @ 30MA, 10V | 50MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고