 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | PUMX1,115 | - |  | 5735 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PUMX1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PMBT4403YS115 | 1.0000 |  | 8445 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BC857BW,135 | 0.0200 |  | 23 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BC857 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MRF6V2300NBR1 | - |  | 1329 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 110V | 방역 | TO-272BB | MRF6 | 220MHz | LDMOS | TO-272 WB-4 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | - | 900mA | 300W | 25.5dB | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||
|  | MRF24300NR3 | - |  | 4591 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | OM-780-2 | MRF24 | 2.45GHz | LDMOS | OM-780-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 100mA | 330W | 13.1dB | - | 32V | |||||||||||||||||||||||||
|  | BUK958R5-40E,127 | - |  | 3037 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BUK95 | MOSFET(금속) | TO-220AB | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 75A(Tc) | 5V, 10V | 6.6m옴 @ 20A, 10V | 2.1V @ 1mA | 20.9nC @ 5V | ±10V | 25V에서 2600pF | - | 96W(Tc) | |||||||||||||||||||||
|  | MMRF1008GHR5 | 271.0700 |  | 7256 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | 100V | 방역 | NI-780GH-2L | MMRF1008 | 900MHz ~ 1.215GHz | LDMOS | NI-780GH-2L | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935320879178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 100μA | 100mA | 275W | 20.3dB | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||
|  | PMCPB5530X | 1.0000 |  | 5685 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MRF8HP21130HSR3 | - |  | 6037 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | NI-780S-4L | MRF8 | 2.17GHz | LDMOS | NI-780S-4L | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935321595128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 2개 | - | 360mA | 28W | 14dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||
|  | MHT2025NR1 | - |  | 4929 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | MHT20 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935341634528 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | NXP3875G,215 | 0.0200 |  | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | A2T23H160-24SR3 | 132.9651 |  | 4413 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 65V | 방역 | NI-780S-4L2L | A2T23 | 2.3GHz | LDMOS | NI-780S-4L2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935326016128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 2개 | - | 350mA | 28W | 17.7dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||
|  | BUK9E04-40A,127 | - |  | 7608 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 84 | N채널 | 40V | 75A(Tc) | 4.3V, 10V | 4m옴 @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | 128nC @ 5V | ±15V | 8260pF @ 25V | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | BUK6C3R3-75C,118 | - |  | 3614 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) | MOSFET(금속) | D2PAK-7 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 75V | 181A (Tc) | 10V | 3.4m옴 @ 90A, 10V | 2.8V @ 1mA | 253nC @ 10V | ±16V | 25V에서 15800pF | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | BC69-16PASX | 0.0700 |  | 63 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-UDFN 옆패드 | 420mW | DFN2020D-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 20V | 2A | 100nA(ICBO) | PNP | 600mV @ 200mA, 2A | 85 @ 500mA, 1V | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S18120HSR3 | - |  | 7139 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-780S | MRF8 | 1.81GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 800mA | 72W | 18.2dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
|  | ON5451,518 | - |  | 1667년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | ON5451 | - | - | - | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934063297518 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
|  | BCX51-10115 | 1.0000 |  | 3209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BLF10H6600P112 | 238.3900 |  | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PDTB113ZS,126 | - |  | 8465 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PDTB113 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 500mA | 500nA | PNP - 사전 바이어스됨 | 300mV @ 2.5mA, 50mA | 70 @ 50mA, 5V | 1kΩ | 10kΩ | |||||||||||||||||||||||||
|  | BC817,215 | - |  | 9704 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BC817 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-16W,135 | 0.0200 |  | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | BC53-16PA,115 | - |  | 8453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-PowerUDFN | BC53 | 420mW | 3-휴슨(2x2) | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 80V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | BUK7511-55B,127 | 0.4000 |  | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 11m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 37nC @ 10V | ±20V | 25V에서 2604pF | - | 157W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
|  | MRFE8VP8600HR5 | 154.7816 |  | 5941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | MRFE8 | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935318365178 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BUK969R3-100E,118 | 1.1100 |  | 8475 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 100A(Tc) | 5V, 10V | 8.9m옴 @ 25A, 10V | 2.1V @ 1mA | 94.3nC @ 5V | ±10V | 25V에서 11650pF | - | 263W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | MRF5P20180HR5 | - |  | 1260 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | NI-1230 | MRF5 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | LDMOS | NI-1230 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.6A | 38W | 14dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
|  | PH4030AL115 | 0.0800 |  | 7571 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | N채널 | 30V | 100A(Tc) | 4m옴 @ 15A, 10V | 2.15V @ 1mA | 36.6nC @ 10V | 2090pF @ 12V | - | - | ||||||||||||||||||||||||
|  | AFT18H357-24SR6 | - |  | 6672 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-1230-4LS2L | AFT18 | 1.81GHz | LDMOS | NI-1230-4LS2L | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8541.29.0075 | 150 | 2개 | - | 800mA | 63W | 17.3dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
|  | BLF7G24LS-140,118 | 68.7500 |  | 970 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 65V | SOT-502B | BLF7 | 2.3GHz ~ 2.4GHz | LDMOS | SOT502B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 28A | 1.3A | 30W | 18.5dB | - | 28V | 

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