SIC
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트랜지스터 (4003)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BUK7K89-100EX NXP USA Inc. BUK7K89-100EX 1.0000
RFQ
 ECAD 3505 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK7K89 MOSFET (금속 (() 38W LFPAK56D 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 100V 13A 82.5mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 13.6NC @ 10V 811pf @ 25v -
MRF5S19150HR3 NXP USA Inc. MRF5S19150HR3 -
RFQ
 ECAD 4104 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-957A MRF5 1.99GHz LDMOS NI-880H-2L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.4 a 32W 14db - 28 v
BFU710F,115 NXP USA Inc. BFU710F, 115 0.6100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-343F BFU710 136MW 4-DFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 - 2.8V 10MA NPN 200 @ 1ma, 2v 43GHz 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
PDTC144VM,315 NXP USA Inc. PDTC144VM, 315 0.0300
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTC14 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000
MRF9030NBR1 NXP USA Inc. MRF9030NBR1 -
RFQ
 ECAD 8867 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v TO-270-2 MRF90 945MHz LDMOS TO-270-2 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 - 250 MA 30W 20dB - 26 v
PMBT5551,215 NXP USA Inc. PMBT5551,215 -
RFQ
 ECAD 6613 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PMBT5 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
PMV65UN,215 NXP USA Inc. PMV65UN, 215 -
RFQ
 ECAD 3930 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv6 MOSFET (금속 (() SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 2.2A (TA) 1.8V, 4.5V 76mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 3.9 NC @ 4.5 v ± 8V 183 pf @ 10 v - 310MW (TA), 2.17W (TC)
BF1205C,115 NXP USA Inc. BF1205C, 115 -
RFQ
 ECAD 7411 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 6 v 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BF120 400MHz MOSFET 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 게이트 게이트 듀얼 30ma 19 MA - 30db 1.3db 5 v
PDTA143ZQA147 NXP USA Inc. PDTA143ZQA147 0.0300
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 5,000
PMXB65UPE147 NXP USA Inc. pmxb65upe147 0.0500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 5,000
BUK762R7-30B118 NXP USA Inc. BUK762R7-30B118 0.8500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
PMDPB42UN,115 NXP USA Inc. PMDPB42UN, 115 -
RFQ
 ECAD 6612 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMDPB MOSFET (금속 (() 510MW 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 3.9a 50mohm @ 3.9a, 4.5v 1V @ 250µA 3.5NC @ 4.5V 185pf @ 10V 논리 논리 게이트
PDTC144EE,115 NXP USA Inc. PDTC144EE, 115 -
RFQ
 ECAD 7136 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 PDTC144 150 MW SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 47 Kohms 47 Kohms
BUK652R1-30C,127 NXP USA Inc. BUK652R1-30C, 127 -
RFQ
 ECAD 8008 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buk65 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 120A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 168 NC @ 10 v ± 16V 10918 pf @ 25 v - 263W (TC)
BLF7G24L-160P,112 NXP USA Inc. BLF7G24L-160p, 112 123.3100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-539A 2.3GHz ~ 2.4GHz LDMOS SOT539A 다운로드 Rohs3 준수 5A991G 8541.29.0075 20 이중, 소스 일반적인 - 1.2 a 30W 18.5dB - 28 v
PSMN7R6-60XSQ NXP USA Inc. PSMN7R6-60XSQ -
RFQ
 ECAD 9771 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 psmn7 MOSFET (금속 (() TO-220F - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 51.5A (TC) 10V 7.8mohm @ 25a, 10V 4.6V @ 1mA 38.7 NC @ 10 v ± 20V 2651 pf @ 30 v - 46W (TC)
BSS84AKT,115 NXP USA Inc. BSS84AKT, 115 -
RFQ
 ECAD 1216 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 BSS8 MOSFET (금속 (() SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 150MA (TA) 10V 7.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.35 nc @ 5 v ± 20V 36 pf @ 25 v - 250MW (TA), 770MW (TC)
BFR94A,215 NXP USA Inc. BFR94A, 215 -
RFQ
 ECAD 9348 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFR94 300MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 - 15V 25MA NPN 65 @ 15ma, 10V 5GHz 2.1db ~ 3db @ 1GHz ~ 2GHz
BC639,112 NXP USA Inc. BC639,112 -
RFQ
 ECAD 7631 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC63 830 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BCM857DS115 NXP USA Inc. BCM857DS115 1.0000
RFQ
 ECAD 7787 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 BCM857 380MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz
A3T18H400W23SR6 NXP USA Inc. A3T18H400W23SR6 87.3411
RFQ
 ECAD 7198 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 65 v 섀시 섀시 ACP-1230S-4L2 A3T18 1.805GHz ~ 1.88GHz LDMOS ACP-1230S-4L2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935360345128 귀 99 8541.29.0075 150 이중 10µA 300 MA 170W 16.8dB - 28 v
MRFX600HR5 NXP USA Inc. MRFX600HR5 156.0300
RFQ
 ECAD 5945 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 179 v 섀시 섀시 NI-780-4 MRFX600 1.8MHz ~ 400MHz LDMOS NI-780-4 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 이중 10µA 100 MA 600W 26.4dB - 65 v
PHD3055E,118 NXP USA Inc. PhD3055E, 118 -
RFQ
 ECAD 8423 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PhD30 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 10.3A (TC) 10V 150mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 1MA 5.8 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 33W (TC)
BLF6G27LS-75,112 NXP USA Inc. BLF6G27LS-75,112 83.4300
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-502B - LDMOS SOT502B 다운로드 Rohs3 준수 5A991G 8541.29.0075 20 18a 600 MA 9W - - 28 v
PMBT4401,215 NXP USA Inc. PMBT4401,215 0.0200
RFQ
 ECAD 4172 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PMBT4 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
PHP27NQ11T,127 NXP USA Inc. php27nq11t, 127 -
RFQ
 ECAD 7740 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PHP27 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
PEMB18,115 NXP USA Inc. PEMB18,115 -
RFQ
 ECAD 8907 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PEMB1 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000
MRF6S21140HR5 NXP USA Inc. MRF6S21140HR5 -
RFQ
 ECAD 6775 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v 섀시 섀시 SOT-957A MRF6 2.12GHz LDMOS NI-880H-2L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 1.2 a 30W 15.5dB - 28 v
BLT80,115 NXP USA Inc. BLT80,115 -
RFQ
 ECAD 5252 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA blt8 2W SC-73 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 - 10V 250ma NPN 25 @ 150ma, 5V 900MHz -
BC817-25/DG/B4215 NXP USA Inc. BC817-25/DG/B4215 -
RFQ
 ECAD 1873 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BC817 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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