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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | MRF8P20140WHR3 | - | ![]() | 2326 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | NI-780-4 | MRF8P20140 | 1.88GHz ~ 1.91GHz | LDMOS | NI-780-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 935310716128 | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | 이중 | - | 500 MA | 24W | 16db | - | 28 v | |||||||||||||
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![]() | BSV52,215 | - | ![]() | 8639 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BSV5 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF545A, 215 | - | ![]() | 5567 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 30 v | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BF545 | - | JFET | SOT-23 (TO-236AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 6.5MA | - | - | - | ||||||||||||||||
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![]() | BUK9637-100E, 118 | 0.5600 | ![]() | 5896 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | n 채널 | 100 v | 31A (TC) | 5V, 10V | 36mohm @ 10a, 10V | 2.1v @ 1ma | 22.8 nc @ 5 v | ± 10V | 2681 pf @ 25 v | - | 96W (TC) | ||||||||||||
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ph9030al, 115 | - | ![]() | 2505 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | ph90 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 61A (TC) | 8mohm @ 15a, 10V | 2.15v @ 1ma | 17.8 nc @ 10 v | 1006 pf @ 12 v | - | - | ||||||||||||||
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![]() | BS108/01,126 | - | ![]() | 4910 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BS10 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 300MA (TA) | 2.8V | 5ohm @ 100ma, 2.8v | 1.8V @ 1mA | ± 20V | 120 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | ||||||||||||
![]() | BUK7524-55A, 127 | - | ![]() | 4840 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BUK75 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 47A (TC) | 10V | 24mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 1310 pf @ 25 v | - | 106W (TC) | ||||||||||||
![]() | BCW72,215 | - | ![]() | 1959 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BCW72 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT09S200W02GNR3 | - | ![]() | 8295 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 70 v | 섀시 섀시 | OM-780-2G | AFT09 | 960MHz | LDMOS | OM-780-2 8 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 935320369528 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.4 a | 56W | 19.2db | - | 28 v | ||||||||||||||
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MRF8S21120HSR3 | - | ![]() | 1489 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | NI-780S | MRF8 | 2.17GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 935314227128 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 850 MA | 28W | 17.6dB | - | 28 v | |||||||||||||||
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![]() | BUK625R0-40C, 118-NXP | - | ![]() | 5150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 90A (TA) | 5MOHM @ 25A, 10V | 2.8V @ 1MA | 88 NC @ 10 v | ± 16V | 5200 pf @ 25 v | - | 158W (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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