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트랜지스터 (4003)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
PHM10030DLS115	0.3600	RFQ	24	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8541.29.0095	1,500
PHB21N06LT, 118	0.3700	RFQ	978	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1		n 채널	55 v	19A (TC)	5V, 10V	70mohm @ 10a, 10V	2V @ 1mA	9.4 NC @ 5 v	± 15V	650 pf @ 25 v	-	56W (TC)
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PMZB350UPE, 315	-	RFQ	1157	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn		MOSFET (금속 (()		DFN1006B-3	다운로드					0000.00.0000	1		p 채널	20 v	1A (TA)	1.8V, 4.5V	450mohm @ 300ma, 4.5v	950MV @ 250µA	1.9 NC @ 4.5 v	± 8V	127 pf @ 10 v	-	360MW (TA), 3.125W (TC)
PSMN015-110P, 127	-	RFQ	5936	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인				PSMN0				다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²