 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | ON5239,135 | - |  | 2729 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | ON52 | - | - | SC-73 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934056911135 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
|  | MRF18085BLR3 | - |  | 2443 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | NI-780 | MRF18 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | LDMOS | NI-780 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 800mA | 90W | 12.5dB | - | 26V | |||||||||||||||||||||||||
|  | J3E082EUA/S0BE503V | - |  | 3758 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | J3E0 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MMRF5016HSR5 | - |  | 7750 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 48V | 표면 실장 | NI-400S-2S | MMRF5 | 1.8GHz ~ 2.2GHz | HEMT | NI-400S-2S | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935331343528 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 250 | - | 32W | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
|  | MRF21045LSR3 | - |  | 7349 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-400S | MRF21 | 2.17GHz | LDMOS | NI-400S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8542.31.0001 | 250 | - | 500mA | 10W | 15dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
|  | PMN22XN,115 | - |  | 6116 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-74, SOT-457 | PMN2 | MOSFET(금속) | SC-74 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 5.7A(타) | 2.5V, 4.5V | 27m옴 @ 5.7A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 10nC @ 4.5V | ±12V | 585pF @ 15V | - | 545mW(Ta), 6.25W(Tc) | ||||||||||||||||||||
|  | MRF5S21130HSR5 | - |  | 8762 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | NI-880S | MRF5 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | LDMOS | NI-880S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.2A | 28W | 13.5dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
|  | PDTC143EU,115 | - |  | 4960 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTC14 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MMRF1024HSR5 | - |  | 3737 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-1230-4LS2L | MMRF1024 | 2.5GHz | LDMOS | NI-1230-4LS2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935316174178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 2개 | - | 700mA | 50W | 14.1dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||
|  | A5G26S008NT6 | 13.0200 |  | 5713 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 125V | 표면 실장 | 6-LDFN 옆형 패드 | 2.496GHz ~ 2.69GHz | - | 6-PDFN(4x4.5) | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | - | - | 17mA | 27dBm | 18.4dB | - | 48V | |||||||||||||||||||||||||||
|  | BUK961R7-40E,118 | - |  | 7882 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK96 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 40V | 120A(Tc) | 5V, 10V | 1.5m옴 @ 25A, 10V | 2.1V @ 1mA | 105.4nC @ 5V | ±10V | 25V에서 15010pF | - | 324W(Tc) | ||||||||||||||||||||
|  | BF904AWR,115 | - |  | 4937 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 7V | 표면 실장 | SC-82A, SOT-343 | BF904 | 200MHz | MOSFET | CMPAK-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 듀얼 모듈 | 30mA | 10mA | - | - | 1dB | 5V | |||||||||||||||||||||||
|  | BUK7508-55A,127 | - |  | 6763 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 55V | 75A(타) | 8m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 76nC @ 0V | ±20V | 25V에서 4352pF | - | 254W(타) | ||||||||||||||||||||||
|  | BF998R,215 | - |  | 7525 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 12V | 표면 실장 | SOT-143R | BF998 | 200MHz | MOSFET | SOT-143R | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 듀얼 모듈 | 30mA | 10mA | - | - | 0.6dB | 8V | |||||||||||||||||||||||
|  | PMF63UN,115 | - |  | 8604 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | PMF63 | MOSFET(금속) | SC-70 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 1.8A(타) | 1.8V, 4.5V | 74m옴 @ 1.8A, 4.5V | 1V @ 250μA | 3.3nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 185pF | - | 275mW(Ta), 1.785W(Tc) | ||||||||||||||||||||
|  | PHD16N03LT,118 | - |  | 5240 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | PHD16 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 16A(티씨) | 4.5V, 10V | 67m옴 @ 16A, 10V | 2V @ 1mA | 8.5nC @ 10V | ±15V | 30V에서 210pF | - | 32.6W(Tc) | ||||||||||||||||||||
|  | BSN304,126 | - |  | 9918 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BSN3 | MOSFET(금속) | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 300V | 300mA(타) | 2.4V, 10V | 6옴 @ 250mA, 10V | 2V @ 1mA | ±20V | 25V에서 120pF | - | 1W(타) | |||||||||||||||||||||
|  | BUK6C2R1-55C,118-NX | - |  | 1965년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) | MOSFET(금속) | D2PAK-7 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 55V | 228A(TC) | 10V | 2.3m옴 @ 90A, 10V | 2.8V @ 1mA | 253nC @ 10V | ±16V | 16000pF @ 25V | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||
|  | A2V09H525-04NR6 | 110.3487 |  | 3941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 105V | 표면 실장 | OM-1230-4L | A2V09 | 720MHz ~ 960MHz | LDMOS | OM-1230-4L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935330045528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 10μA | 688mA | 120W | 18.9dB | - | 48V | |||||||||||||||||||||||
|  | PBRN123YS,126 | - |  | 4755 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PBRN123 | 700mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 40V | 800mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 1.15V @ 8mA, 800mA | 500 @ 300mA, 5V | 2.2kΩ | 10kΩ | ||||||||||||||||||||||||
|  | CLF1G0035-200PU | - |  | 6477 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | - | - | - | - | 해당 없음 | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MHT1004NR3 | - |  | 9097 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | OM-780-2 | MHT10 | 2.45GHz | LDMOS | OM-780-2 | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935316281528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 10μA | 100mA | 280W | 15.2dB | - | 32V | |||||||||||||||||||||||
|  | MRF6V2300NR5578 | - |  | 2038년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | MRF6V2300 | - | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PDTB123YU115 | 0.0300 |  | 75 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PMBT2907A/MIGR | - |  | 9968 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | PMBT2907 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934068471215 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BC807-40/S500215 | - |  | 4227 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PHB45NQ10T,118 | - |  | 5158 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PHB45 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BLF6G10LS-135RN112 | 76.1800 |  | 92 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PSMN015-110P,127 | - |  | 5936 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PSMN0 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S19080HSR3 | - |  | 6781 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-780S | MRF7 | 1.99GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935319237128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 750mA | 24W | 18dB | - | 28V | 

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