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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BUK954R4-40B127 NXP USA Inc. BUK954R4-40B127 0.7200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 75A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 64 NC @ 5 v ± 15V 7124 pf @ 25 v - 254W (TC)
BLF4G10LS-120,112 NXP USA Inc. BLF4G10LS-12,112 -
RFQ
ECAD 6038 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-502B blf4 920MHz ~ 960MHz LDMOS SOT502B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 20 12a 650 MA 48W 19db - 28 v
PBHV9515QA147 NXP USA Inc. PBHV9515QA147 0.0800
RFQ
ECAD 55 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,974
MRF5P21045NR1 NXP USA Inc. MRF5P21045NR1 -
RFQ
ECAD 7304 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 TO-270AB MRF5 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS TO-270 WB-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 이중 - 500 MA 10W 14.5dB - 28 v
PHP52N06T,127 NXP USA Inc. PHP52N06T, 127 -
RFQ
ECAD 1863 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP52 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 52A (TC) 10V 25A, 25A, 10V 4V @ 1MA 36 nc @ 10 v ± 20V 1592 pf @ 25 v - 120W (TC)
BFU550AR NXP USA Inc. BFU550AR 0.3800
RFQ
ECAD 138 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFU550 450MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 18db 12V 50ma NPN 60 @ 15ma, 8v 11GHz 0.6dB @ 900MHz
BUK9K29-100E/CX NXP USA Inc. BUK9K29-100E/CX -
RFQ
ECAD 8972 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 buk9k29 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,500
PHP75NQ08T,127 NXP USA Inc. php75nq08t, 127 -
RFQ
ECAD 6949 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP75 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 13mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 1985 pf @ 25 v - 157W (TC)
PBLS2003D,115 NXP USA Inc. PBLS2003D, 115 -
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ECAD 7127 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PBLS20 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
MRF21010LSR1 NXP USA Inc. MRF21010LSR1 -
RFQ
ECAD 3872 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-360S MRF21 2.17GHz LDMOS NI-360S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 - 100 MA 10W 13.5dB - 28 v
MRF7S19080HSR3 NXP USA Inc. MRF7S19080HSR3 -
RFQ
ECAD 6781 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-780S MRF7 1.99GHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935319237128 귀 99 8541.29.0075 250 - 750 MA 24W 18db - 28 v
BUK9675-100A/C1J NXP USA Inc. BUK9675-100A/C1J -
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ECAD 2570 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 buk96 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500
BC847A,235 NXP USA Inc. BC847A, 235 0.0200
RFQ
ECAD 198 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BUK7Y25-40B/C3115 NXP USA Inc. BUK7Y25-40B/C3115 -
RFQ
ECAD 9326 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,500
AFIC31025NR1 NXP USA Inc. AFIC31025NR1 45.0303
RFQ
ECAD 8614 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 32 v 표면 표면 to-270-17 0, 플랫 리드 AFIC31025 2.7GHz ~ 3.1GHz LDMOS TO-270WB-17 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935343962528 귀 99 8541.29.0075 500 - 25W 30db -
MRF7S19170HSR5 NXP USA Inc. MRF7S19170HSR5 -
RFQ
ECAD 7511 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 NI-880S MRF7 1.99GHz LDMOS NI-880S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 50 - 1.4 a 50W 17.2db - 28 v
BUK652R0-30C,127 NXP USA Inc. BUK652R0-30C, 127 -
RFQ
ECAD 3607 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buk65 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 120A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 25A, 10V 2.8V @ 1MA 229 NC @ 10 v ± 16V 14964 pf @ 25 v - 306W (TC)
PDTC123EE,115 NXP USA Inc. PDTC123EE, 115 -
RFQ
ECAD 3304 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 PDTC123 150 MW SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
BC546B,126 NXP USA Inc. BC546B, 126 -
RFQ
ECAD 7004 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC54 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
MRF7S38010HR3 NXP USA Inc. MRF7S38010HR3 -
RFQ
ECAD 1700 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-400-240 MRF7 3.4GHz ~ 3.6GHz LDMOS NI-400-240 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 - 160 MA 2W 15db - 30 v
PMEM4010ND,115 NXP USA Inc. PMEM4010nd, 115 -
RFQ
ECAD 1322 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 pmem4 600MW SC-74 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 1 a 100NA NPN + 다이오드 (분리) 210mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
BFG97,115 NXP USA Inc. BFG97,115 -
RFQ
ECAD 4153 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BFG97 1W SC-73 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 - 15V 100ma NPN 25 @ 70ma, 10V 5.5GHz -
PEMB11,115 NXP USA Inc. PEMB11,115 -
RFQ
ECAD 3258 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PEMB1 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000
MRF24G300HSR5 NXP USA Inc. MRF24G300HSR5 136.8900
RFQ
ECAD 153 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 v 표면 표면 NI-780S-4L MRF24 2.4GHz ~ 2.5GHz MOSFET NI-780S-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 2 n 채널 (채널) - 300W 15.3db - 48 v
BUK9E15-60E,127 NXP USA Inc. buk9e15-60e, 127 -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA buk9 MOSFET (금속 (() i2pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 54A (TC) 5V, 10V 13mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 20.5 nc @ 5 v ± 10V 2651 pf @ 25 v - 96W (TC)
BUK7624-55,118 NXP USA Inc. BUK7624-55,118 -
RFQ
ECAD 2846 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk76 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 45A (TC) 10V 24mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 16V 1500 pf @ 25 v - 103W (TC)
BC848B/DG/B4215 NXP USA Inc. BC848B/DG/B4215 0.0200
RFQ
ECAD 3047 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 6,000
A5G35S008N-3400 NXP USA Inc. A5G35S008N-3400 105.4700
RFQ
ECAD 8662 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 v 표면 표면 6-ldfn n 패드 3.3GHz ~ 3.8GHz - 6-PDFN (4x4.5) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 - - 24 MA 27dBM 18.6dB - 48 v
AFT23H201-24SR6 NXP USA Inc. AFT23H201-24SR6 -
RFQ
ECAD 4541 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 ACP-1230S-4L2L AFT23 2.3GHz ~ 2.4GHz LDMOS ACP-1230S-4L2L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935320889128 귀 99 8541.29.0075 150 10µA 500 MA 210W 15.6dB - 28 v
BC859CW/ZL115 NXP USA Inc. BC859CW/ZL115 0.0200
RFQ
ECAD 280 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고