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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | BUK7511-55A, 127 | - | ![]() | 5183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BUK75 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 11mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 3093 pf @ 25 v | - | 166W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PH2369,116 | - | ![]() | 2145 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | ph23 | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 15 v | 200 MA | 400NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 1ma, 10ma | 40 @ 10ma, 1v | 500MHz | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | PMEM4020APD, 115 | - | ![]() | 8123 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | pmem4 | 500MW | SC-74 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 750 MA | 100NA | pnp + 다이오드 (분리) | 530mv @ 200ma, 2a | 250 @ 500ma, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | BUK9Y12-55B, 115 | - | ![]() | 8017 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | n 채널 | 55 v | 61.8A (TC) | 5V, 10V | 11mohm @ 20a, 10V | 2.15v @ 1ma | 32 NC @ 5 v | ± 15V | 2880 pf @ 25 v | - | 106W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PHP110NQ08T, 127 | - | ![]() | 4764 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PHP11 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 75 v | 75A (TC) | 10V | 9mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 113.1 NC @ 10 v | ± 20V | 4860 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||
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![]() | BCX71K, 215 | 0.0200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 MA | 20NA (ICBO) | PNP | 550MV @ 1.25ma, 50ma | 380 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP126,115 | - | ![]() | 7230 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BSP1 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9509-40B, 127 | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 튜브 | 활동적인 | buk95 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTB123EK, 115 | - | ![]() | 6446 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTB123 | 250 MW | smt3; mpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 500 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 40 @ 50MA, 5V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | BLF8G09LS-400PGWQ | 80.1400 | ![]() | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-1242C | 718.5MHz ~ 725.5MHz | LDMOS | CDFM8 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4 | 이중, 소스 일반적인 | - | 3.4 a | 95W | 20.6dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR520,215 | - | ![]() | 7196 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFR52 | 300MW | SOT-23 (TO-236AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 15V | 70ma | NPN | 60 @ 20MA, 6V | 9GHz | 1.1db ~ 2.1db @ 900MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK764R3-40B, 118 | - | ![]() | 7936 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | buk76 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 10V | 4.3mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 69 NC @ 10 v | ± 20V | 4824 pf @ 25 v | - | 254W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | MRFG35020AR1 | - | ![]() | 8870 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 15 v | 섀시 섀시 | NI-360 | MRFG35 | 3.5GHz | Phemt Fet | NI-360 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 300 MA | 2W | 11.5dB | - | 12 v | |||||||||||||||||||||||||
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