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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BUK7511-55A,127 NXP USA Inc. BUK7511-55A, 127 -
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BUK75 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 11mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 3093 pf @ 25 v - 166W (TC)
PH2369,116 NXP USA Inc. PH2369,116 -
RFQ
ECAD 2145 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 ph23 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 15 v 200 MA 400NA (ICBO) NPN 250mv @ 1ma, 10ma 40 @ 10ma, 1v 500MHz
PUMD48,125 NXP USA Inc. PUMD48,125 -
RFQ
ECAD 3841 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PUMD48 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
PMEM4020APD,115 NXP USA Inc. PMEM4020APD, 115 -
RFQ
ECAD 8123 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 pmem4 500MW SC-74 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 750 MA 100NA pnp + 다이오드 (분리) 530mv @ 200ma, 2a 250 @ 500ma, 5V 150MHz
MRF21045LSR3 NXP USA Inc. MRF21045LSR3 -
RFQ
ECAD 7349 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-400S MRF21 2.17GHz LDMOS NI-400S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8542.31.0001 250 - 500 MA 10W 15db - 28 v
MRF6VP21KHR5 NXP USA Inc. MRF6VP21KHR5 883.3100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 110 v 섀시 섀시 NI-1230 MRF6 225MHz LDMOS NI-1230 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 이중 - 150 MA 1000W 24dB - 50 v
PMV170UN,215 NXP USA Inc. PMV170UN, 215 -
RFQ
ECAD 9261 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV1 MOSFET (금속 (() SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 1A (TA) 1.8V, 4.5V 165mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 1.65 nc @ 4.5 v ± 8V 83 pf @ 10 v - 325MW (TA), 1.14W (TC)
PHPT60610NY115 NXP USA Inc. PHPT60610NY115 0.2200
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ECAD 38 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1,343
BUK9Y12-55B,115 NXP USA Inc. BUK9Y12-55B, 115 -
RFQ
ECAD 8017 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 55 v 61.8A (TC) 5V, 10V 11mohm @ 20a, 10V 2.15v @ 1ma 32 NC @ 5 v ± 15V 2880 pf @ 25 v - 106W (TC)
PHP110NQ08T,127 NXP USA Inc. PHP110NQ08T, 127 -
RFQ
ECAD 4764 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP11 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 113.1 NC @ 10 v ± 20V 4860 pf @ 25 v - 230W (TC)
BF422,116 NXP USA Inc. BF422,116 -
RFQ
ECAD 8206 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BF422 830 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 250 v 50 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
PMEM1505NG,115 NXP USA Inc. PMEM1505NG, 115 -
RFQ
ECAD 8981 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 pmem1 300MW 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 15 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN + 다이오드 (분리) 250mv @ 50ma, 500ma 150 @ 100MA, 2V 420MHz
MRF5S4140HSR3 NXP USA Inc. MRF5S4140HSR3 -
RFQ
ECAD 3654 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-780S MRF5 465MHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 - 1.25 a 28W 21db - 28 v
MRF6S19100NBR1 NXP USA Inc. MRF6S19100NBR1 -
RFQ
ECAD 2162 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v 섀시 섀시 TO-272BB MRF6 1.99GHz LDMOS TO-272 WB-4 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 - 950 MA 22W 14.5dB - 28 v
BLS2731-10,114 NXP USA Inc. BLS2731-10,114 -
RFQ
ECAD 9526 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 쓸모없는 200 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-445C bls2 145W CDFM2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4 10db 75V 1.5A NPN 40 @ 250ma, 5V 3.1GHz -
MRF6S19060MR1 NXP USA Inc. MRF6S19060MR1 -
RFQ
ECAD 7994 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v TO-270-4 MRF6 1.93GHz LDMOS TO-270 WB-4 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 - 610 MA 12W 16db - 28 v
BCX71K,215 NXP USA Inc. BCX71K, 215 0.0200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 45 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V 100MHz
BSP126,115 NXP USA Inc. BSP126,115 -
RFQ
ECAD 7230 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BSP1 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
BUK9509-40B,127 NXP USA Inc. BUK9509-40B, 127 0.4400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. * 튜브 활동적인 buk95 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
PDTB123EK,115 NXP USA Inc. PDTB123EK, 115 -
RFQ
ECAD 6446 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTB123 250 MW smt3; mpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 40 @ 50MA, 5V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
PDTC124EE,115 NXP USA Inc. PDTC124EE, 115 -
RFQ
ECAD 9408 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 PDTC124 150 MW SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V 22 KOHMS 22 KOHMS
PDTA144EE,115 NXP USA Inc. PDTA144EE, 115 -
RFQ
ECAD 1657 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 PDTA144 150 MW SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 47 Kohms 47 Kohms
BLF8G09LS-400PGWQ NXP USA Inc. BLF8G09LS-400PGWQ 80.1400
RFQ
ECAD 29 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 65 v 섀시 섀시 SOT-1242C 718.5MHz ~ 725.5MHz LDMOS CDFM8 다운로드 귀 99 8541.29.0075 4 이중, 소스 일반적인 - 3.4 a 95W 20.6dB - 28 v
BFR520,215 NXP USA Inc. BFR520,215 -
RFQ
ECAD 7196 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFR52 300MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 - 15V 70ma NPN 60 @ 20MA, 6V 9GHz 1.1db ~ 2.1db @ 900MHz
BUK764R3-40B,118 NXP USA Inc. BUK764R3-40B, 118 -
RFQ
ECAD 7936 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk76 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 69 NC @ 10 v ± 20V 4824 pf @ 25 v - 254W (TC)
MRFG35020AR1 NXP USA Inc. MRFG35020AR1 -
RFQ
ECAD 8870 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 15 v 섀시 섀시 NI-360 MRFG35 3.5GHz Phemt Fet NI-360 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 - 300 MA 2W 11.5dB - 12 v
MRF6S9125NBR1 NXP USA Inc. MRF6S9125NBR1 -
RFQ
ECAD 5330 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v 섀시 섀시 TO-272BB MRF6 880MHz LDMOS TO-272 WB-4 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 - 950 MA 27W 20.2db - 28 v
PSMN6R5-25YLC/GFX NXP USA Inc. psmn6r5-25ylc/gfx -
RFQ
ECAD 5456 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 쓸모없는 psmn6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
MRF6S27085HR5 NXP USA Inc. MRF6S27085HR5 -
RFQ
ECAD 5305 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v 섀시 섀시 SOT-957A MRF6 2.66GHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 900 MA 20W 15.5dB - 28 v
MRFE6VP8600HSR5 NXP USA Inc. MRFE6VP8600HSR5 -
RFQ
ECAD 3050 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 130 v 섀시 섀시 NI-1230S mrfe6 860MHz LDMOS NI-1230S 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0075 50 이중 - 1.4 a 125W 19.3db - 50 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고