SIC
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트랜지스터 (4003)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PDTA144VE,115 NXP USA Inc. PDTA144VE, 115 -
RFQ
 ECAD 1992 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 PDTA144 150 MW SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 40 @ 5MA, 5V 47 Kohms 10 KOHMS
PBSS5140S,126 NXP USA Inc. PBSS5140S, 126 -
RFQ
 ECAD 4002 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PBSS5 830 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 40 v 1 a 100NA PNP 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 100MA, 5V 150MHz
PDTC144EQA147 NXP USA Inc. PDTC144EQA147 0.0300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1
ON4970,115 NXP USA Inc. on4970,115 -
RFQ
 ECAD 4487 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA on49 - - SC-73 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934042780115 귀 99 8541.29.0095 1,000 - - - - -
2PB709AQW,115 NXP USA Inc. 2PB709AQW, 115 -
RFQ
 ECAD 6686 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2PB70 200 MW smt3; mpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 10NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 160 @ 2MA, 10V 60MHz
PHU97NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHU97NQ03LT, 127 -
RFQ
 ECAD 8021 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA phu97 MOSFET (금속 (() i-pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 75A (TC) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 11.7 NC @ 4.5 v ± 20V 1570 pf @ 12 v - 107W (TC)
PBRN123YS,126 NXP USA Inc. PBRN123YS, 126 -
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PBRN123 700 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 40 v 800 MA 500NA npn-사전- 1.15v @ 8ma, 800ma 500 @ 300ma, 5V 2.2 Kohms 10 KOHMS
BCX56-16147 NXP USA Inc. BCX56-16147 -
RFQ
 ECAD 3894 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BC638,116 NXP USA Inc. BC638,116 -
RFQ
 ECAD 5664 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC63 830 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 100MHz
MRF1517NT1 NXP USA Inc. MRF1517NT1 -
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 ECAD 4699 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 25 v 표면 표면 PLD-1.5 MRF15 520MHz LDMOS PLD-1.5 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 4a 150 MA 8W 14db - 7.5 v
MRF5S21100HSR5 NXP USA Inc. MRF5S21100HSR5 -
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v NI-780S MRF5 2.16GHz ~ 2.17GHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0075 50 - 1.05 a 23W 13.5dB - 28 v
MHE1003NR3 NXP USA Inc. MHE1003NR3 -
RFQ
 ECAD 3825 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 OM-780-2 MHE10 2.4GHz ~ 2.5GHz LDMOS OM-780-2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935316198528 귀 99 8541.29.0075 250 10µA 50 MA 53dBm 14.1db - 28 v
A2G26H280-04SR3 NXP USA Inc. A2G26H280-04SR3 -
RFQ
 ECAD 7593 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 A2G26 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 935318614128 0000.00.0000 250
PBRP123ET,215 NXP USA Inc. PBRP123ET, 215 -
RFQ
 ECAD 3083 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PBRP12 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
MRF8S18120HR5 NXP USA Inc. MRF8S18120HR5 -
RFQ
 ECAD 5615 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-957A MRF8 1.81GHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0075 50 - 800 MA 72W 18.2db - 28 v
PSMN010-55D,118 NXP USA Inc. PSMN010-55D, 118 -
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PSMN0 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 55 NC @ 5 v ± 15V 3300 pf @ 20 v - 125W (TC)
A2T07H310-24SR6 NXP USA Inc. A2T07H310-24SR6 -
RFQ
 ECAD 7187 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 70 v 섀시 섀시 NI-1230-4LS2L A2T07 880MHz LDMOS NI-1230-4LS2L - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935312272128 귀 99 8541.29.0075 150 이중 - 700 MA 47W 18.6dB - 28 v
ON5449,518 NXP USA Inc. on5449,518 -
RFQ
 ECAD 2421 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - on5449 - - - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935288031518 귀 99 8541.29.0095 600 - - - - -
2PA1576S/ZLX NXP USA Inc. 2PA1576S/ZLX -
RFQ
 ECAD 8907 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 2PA15 SC-70 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
J2A012YXS/T1AY403, NXP USA Inc. j2a012yxs/t1ay403, -
RFQ
 ECAD 5258 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - J2A0 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935296266118 쓸모없는 0000.00.0000 12,500 - -
BC547C,116 NXP USA Inc. BC547C, 116 -
RFQ
 ECAD 4767 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC54 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN7R8-120PSQ NXP USA Inc. PSMN7R8-120PSQ -
RFQ
 ECAD 2412 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 귀 99 8541.29.0095 177 n 채널 120 v 70A (TC) 10V 7.9mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 167 NC @ 10 v ± 20V 9473 pf @ 60 v - 349W (TC)
BUK7514-55A,127 NXP USA Inc. BUK7514-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 6366 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BUK75 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 73A (TC) 10V 14mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 2464 pf @ 25 v - 166W (TC)
PDTA144EQA147 NXP USA Inc. PDTA144EQA147 0.0300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 5,000
ON5238,118 NXP USA Inc. on5238,118 -
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB on52 - - D2PAK - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934056900118 귀 99 8541.29.0095 800 - - - - -
BUK9E1R8-40E,127 NXP USA Inc. buk9e1r8-40e, 127 -
RFQ
 ECAD 3772 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA buk9e1r8 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934066586127 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 5V, 10V 1.7mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 120 nc @ 5 v ± 10V 16400 pf @ 25 v - 349W (TC)
PDTC114EQA147 NXP USA Inc. PDTC114EQA147 0.0300
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1
BF420,112 NXP USA Inc. BF420,112 -
RFQ
 ECAD 8505 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BF420 830 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 300 v 50 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
NX7002BKXB147 NXP USA Inc. NX7002BKXB147 0.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 5,000
MRF7S18125AHR5 NXP USA Inc. MRF7S18125AHR5 -
RFQ
 ECAD 5185 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-957A MRF7 1.88GHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 1.1 a 125W 17dB - 28 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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