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트랜지스터 (4003)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BUK9516-55A, 127	-	RFQ	9062	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	buk95		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널					55 v	66A (TC)	5V, 10V	15mohm @ 25a, 10V	2V @ 1mA		± 10V	3085 pf @ 25 v	-	138W (TC)
2N7002T, 215	-	RFQ	5316	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N70		MOSFET (금속 (()		SOT-23 (TO-236AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널					60 v	300MA (TA)	5V, 10V	5ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 1mA		± 20V	40 pf @ 10 v	-	830MW (TA)
PBSS2540E, 115	-	RFQ	1310	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-75, SOT-416	PBSS2			250 MW	SC-75	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0075	3,000																		40 v	500 MA		100NA (ICBO)	NPN	250mv @ 50ma, 500ma	100 @ 100ma, 2v	450MHz
BFT93W, 115	-	RFQ	8537	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BFT93			300MW	SC-70	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	3,000						-												12V	50ma			PNP		20 @ 30ma, 5V	4GHz			2.4dB ~ 3db @ 500MHz ~ 1GHz
PBSS5250X, 115	-	RFQ	2155	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PBSS5					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1,000
Pumb11,135	1.0000	RFQ	8128	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	pumb11			300MW	SOT-363	다운로드				귀 99	8541.21.0095	1																		50V	100ma		1µA	2 pnp--바이어스 (듀얼)	150mv @ 500µa, 10ma	30 @ 5MA, 5V	-	10kohms	10kohms
MRF6S9160HR3	-	RFQ	6875	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	68 v		섀시 섀시	SOT-957A	MRF6	880MHz	LDMOS		NI-780H-2L	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	250			-	1.2 a	35W	20.9dB											-			28 v
PBSS4230PANP, 115	0.1600	RFQ	21	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	6-ufdfn 노출 패드	PBSS4230			510MW	6- 휴슨 (2x2)	다운로드				귀 99	8541.29.0075	1,868																		30V	2A		100NA (ICBO)	NPN, PNP	290mv @ 200ma, 2a	200 @ 1a, 2v	120MHz
pH7030L, 115	-	RFQ	6336	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	ph70		MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널					30 v	68A (TC)	4.5V, 10V	7.9mohm @ 10a, 10V	2V @ 1mA	12 nc @ 5 v	± 20V	1362 pf @ 10 v	-	62.5W (TC)
PEMT1,315	1.0000	RFQ	8345	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	PEMT1			300MW	SOT-666	다운로드				귀 99	8541.21.0075	1																		40V	100ma		100NA (ICBO)	2 PNP (()	200mv @ 5ma, 50ma	120 @ 1ma, 6V	100MHz
J3E082EUA/S0BE503V	-	RFQ	3758	NXP USA Inc.	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					J3E0					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	쓸모없는	0000.00.0000	2,500
CLF1G0035-200PU	-	RFQ	6477	NXP USA Inc.	-	쟁반	쓸모없는				-		-	-		-	-	적용 적용 수 할			귀 99	8541.29.0075	20	-		-		-	-											-
MRFG35030R5	-	RFQ	1207	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	15 v			HF-600	MRFG35	3.55GHz	Phemt Fet		-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	50			-	650 MA	3W	12db											-			12 v
BSS84AKW, 115	1.0000	RFQ	7745	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					BSS84		-			다운로드					0000.00.0000	1															-
PHB146NQ06LT, 118	-	RFQ	1453	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	PHB14		MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	800		n 채널					55 v	75A (TC)	4.5V, 10V	5.4mohm @ 25a, 10V	2V @ 1mA	60 nc @ 5 v	± 15V	5675 pf @ 25 v	-	250W (TC)
MRF9085LSR5	-	RFQ	7837	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	65 v		섀시 섀시	NI-780S	MRF90	880MHz	LDMOS		NI-780S	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.31.0001	50			-	700 MA	90W	17.9dB											-			26 v
MRF9080LR5	-	RFQ	4727	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	65 v		섀시 섀시	SOT-957A	MRF90	960MHz	LDMOS		NI-780H-2L	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0075	50			-	600 MA	70W	18.5dB											-			26 v
BUK9230-100B, 118	-	RFQ	9343	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					buk92					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	2,500
PMN27XPE115	0.2100	RFQ	34	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457			MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8541.21.0095	1		p 채널					20 v	4.4A (TA)	2.5V, 4.5V	30mohm @ 3a, 4.5v	1.25V @ 250µA	22.5 nc @ 4.5 v	± 12V	1770 pf @ 10 v	-	530MW (TA), 8.33W (TC)
BUK6213-30C, 118	-	RFQ	1984	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					buk62					-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	2,500
Buj106a, 127	0.3400	RFQ	955	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				80 W.	TO-220AB	다운로드				귀 99	8541.29.0095	642																		400 v	10 a		100µA	NPN	1V @ 1.2A, 6A	14 @ 500ma, 5V	-
MMRF1012NR1	-	RFQ	5258	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	120 v		표면 표면	TO-270-2	MMRF1	220MHz	LDMOS		TO-270-2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	500			-	30 MA	10W	23.9dB											-			50 v
MRF9135LSR3	-	RFQ	6890	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	65 v		섀시 섀시	NI-780S	MRF91	880MHz	LDMOS		NI-780S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.31.0001	250			-	1.1 a	25W	17.8dB											-			26 v
PN2222A, 412	-	RFQ	5961	NXP USA Inc.	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	PN22			500MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0075	5,000																		40 v	600 MA		10NA (ICBO)	NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	300MHz
BFU520AR	0.6100	RFQ	8617	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BFU520			450MW	SOT-23 (TO-236AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0075	3,000						18db												12V	30ma			NPN		60 @ 5MA, 8V	10GHz			0.7dB @ 900MHz
BC53-10PAS115	-	RFQ	2782	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8541.21.0075	3,000
MRF6V2150NBR5	-	RFQ	8852	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	110 v		섀시 섀시	TO-272BB	MRF6	220MHz	LDMOS		TO-272 WB-4	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	50			-	450 MA	150W	25db											-			50 v
AFT21S232SR5	-	RFQ	6854	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	65 v		섀시 섀시	NI-780S	AFT21	2.11GHz	LDMOS		NI-780S	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	5A991G	8541.29.0095	50			-	1.5 a	50W	16.7dB											-			28 v
PBLS4005V, 115	-	RFQ	8587	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOT-563, SOT-666	PBLS4005			300MW	SOT-666	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	4,000																		50V, 40V	100ma, 500ma		1µA	1 npn 프리 n, 1 pnp	150mv @ 500µa, 10ma / 350mv @ 50ma, 500ma	80 @ 5ma, 5v / 150 @ 100ma, 2v	300MHz	47kohms	47kohms
PMBS3906,235	0.0200	RFQ	38	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW	SOT-23	다운로드				귀 99	8541.21.0075	1																		40 v	100 MA		50NA (ICBO)	PNP	400mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	150MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²