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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
BUK7619-100B,118 NXP USA Inc. BUK7619-100B,118 -
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ECAD 6862 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB BUK76 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 100V 64A(티씨) 10V 19m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 53nC @ 10V ±20V 3400pF @ 25V - 200W(Tc)
MRF8P23080HSR3 NXP USA Inc. MRF8P23080HSR3 -
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ECAD 7619 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 표면 실장 NI-780S-4L MRF8 2.3GHz LDMOS NI-780S-4L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935321471128 EAR99 8541.29.0075 250 2개 - 280mA 16W 14.6dB - 28V
BLF988S,112 NXP USA Inc. BLF988S,112 509.2500
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ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 활동적인 110V SOT539B 860MHz LDMOS SOT539B 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 더블, 세션 소스 - 1.3A 250W 20.8dB - 50V
BUK7230-55A NXP USA Inc. BUK7230-55A -
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ECAD 5164 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BUK7230 - 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 -
PMR370XN,115 NXP USA Inc. PMR370XN,115 -
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ECAD 4559 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 PMR3 MOSFET(금속) SC-75 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 840mA(Tc) 2.5V, 4.5V 440m옴 @ 200mA, 4.5V 250μA에서 1.5V 0.65nC @ 4.5V ±12V 37pF @ 25V - 530mW(Tc)
PBSS4032ND,115 NXP USA Inc. PBSS4032ND,115 0.1500
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ECAD 31 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PBSS4 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000
PHK12NQ03LT,518 NXP USA Inc. PHK12NQ03LT,518 -
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ECAD 3662 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PHK12 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500
BUK653R7-30C,127 NXP USA Inc. BUK653R7-30C,127 -
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ECAD 4875 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 북65 MOSFET(금속) TO-220AB - RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 30V 100A(Tc) 4.5V, 10V 3.9m옴 @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 78nC @ 10V ±16V 4707pF @ 25V - 158W(Tc)
BUK9609-75A,118 NXP USA Inc. BUK9609-75A,118 1.5200
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ECAD 760 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 EAR99 8541.29.0095 198 N채널 75V 75A(Tc) 4.5V, 10V 8.5m옴 @ 25A, 10V 2V @ 1mA ±10V 25V에서 8840pF - 230W(Tc)
PHP54N06T,127 NXP USA Inc. PHP54N06T,127 -
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ECAD 5698 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 PHP54 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 55V 54A(티씨) 10V 20m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 36nC @ 10V ±20V 25V에서 1592pF - 118W(Tc)
BFU550215 NXP USA Inc. BFU550215 0.2500
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ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 3,000
PDTC123JQA147 NXP USA Inc. PDTC123JQA147 0.0300
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ECAD 143 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTC123 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 5,000
BUK7Y12-100EX NXP USA Inc. BUK7Y12-100EX -
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ECAD 1251 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 SC-100, SOT-669 MOSFET(금속) LFPAK56, 전원-SO8 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 85A(Tc) 10V 12m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 68nC @ 10V ±20V 5067pF @ 25V - 238W(Tc)
BF245B,126 NXP USA Inc. BF245B,126 -
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ECAD 7708 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 30V 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 BF245 100MHz JFET TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 15mA - - 1.5dB 15V
PMXB56EN147 NXP USA Inc. PMXB56EN147 -
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ECAD 1146 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 5,000
BCX19,235 NXP USA Inc. BCX19,235 -
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ECAD 4304 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW SOT-23 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 45V 500mA 100nA(ICBO) NPN 620mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
PHB21N06LT,118 NXP USA Inc. PHB21N06LT,118 0.3700
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ECAD 978 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1 N채널 55V 19A(TC) 5V, 10V 70m옴 @ 10A, 10V 2V @ 1mA 9.4nC @ 5V ±15V 25V에서 650pF - 56W(Tc)
PDTC123ET,215 NXP USA Inc. PDTC123ET,215 0.0200
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ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC123 250mW SOT-23 다운로드 EAR99 8541.21.0095 15,000 50V 100mA 1μA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 10mA 30 @ 20mA, 5V 2.2kΩ 2.2kΩ
MRF1535FNT1 NXP USA Inc. MRF1535FNT1 -
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ECAD 9304 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 40V 방역 TO-272BA MRF15 520MHz LDMOS TO-272-6 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 500 6A 500mA 35W 13.5dB - 12.5V
PHP45NQ15T,127 NXP USA Inc. PHP45NQ15T,127 -
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ECAD 4535 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 PHP45 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 150V 45.1A(Tc) 10V 42m옴 @ 20A, 10V 4V @ 1mA 32nC @ 10V ±20V 1770pF @ 25V - 230W(Tc)
BUK762R6-40E118 NXP USA Inc. BUK762R6-40E118 -
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ECAD 3400 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
BUK9508-55B,127 NXP USA Inc. BUK9508-55B,127 -
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ECAD 5827 0.00000000 NXP USA Inc. * 튜브 활동적인 BUK95 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000
BF1208,115 NXP USA Inc. BF1208,115 -
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ECAD 8171 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 6V 표면 실장 SOT-563, SOT-666 BF120 400MHz MOSFET SOT-666 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 듀얼 모듈 30mA 19mA - 32dB 1.3dB 5V
BUK9880-55/CU135 NXP USA Inc. BUK9880-55/CU135 -
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ECAD 2269 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 4,000
MRF5S21150HSR5 NXP USA Inc. MRF5S21150HSR5 -
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ECAD 2179 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V NI-880S MRF5 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS NI-880S 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 50 - 1.3A 33W 12.5dB - 28V
BUK969R0-60E,118 NXP USA Inc. BUK969R0-60E,118 -
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ECAD 8852 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 75A(Tc) 5V 8m옴 @ 20A, 10V 2.1V @ 1mA 29.8nC @ 5V ±10V 4350pF @ 25V - 137W(Tc)
MRF8S19140HR3 NXP USA Inc. MRF8S19140HR3 -
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ECAD 2512 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 SOT-957A MRF8 1.96GHz LDMOS NI-780H-2L - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935321462128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.1A 34W 19.1dB - 28V
PDTC123TMB,315 NXP USA Inc. PDTC123TMB,315 0.0300
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ECAD 100 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 실장 SC-101, SOT-883 PDTC123 250mW DFN1006B-3 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100mA 1μA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 10mA 30 @ 20mA, 5V 230MHz 2.2kΩ
BUK7608-40B,118 NXP USA Inc. BUK7608-40B,118 0.7600
보상요청
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BUK76 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800
PBSS4160PAN,115 NXP USA Inc. PBSS4160PAN,115 0.1300
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ECAD 22 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFDFN 옆형 패드 PBSS4160 510mW 6-휴슨(2x2) 다운로드 EAR99 8541.29.0075 2,314 60V 1A 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 120mV @ 50mA, 500mA 150 @ 500mA, 2V 175MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고