| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BUK7619-100B,118 | - | ![]() | 6862 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK76 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 100V | 64A(티씨) | 10V | 19m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 53nC @ 10V | ±20V | 3400pF @ 25V | - | 200W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P23080HSR3 | - | ![]() | 7619 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | NI-780S-4L | MRF8 | 2.3GHz | LDMOS | NI-780S-4L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935321471128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 2개 | - | 280mA | 16W | 14.6dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||
![]() | BLF988S,112 | 509.2500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 110V | SOT539B | 860MHz | LDMOS | SOT539B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 더블, 세션 소스 | - | 1.3A | 250W | 20.8dB | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7230-55A | - | ![]() | 5164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK7230 | - | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMR370XN,115 | - | ![]() | 4559 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | PMR3 | MOSFET(금속) | SC-75 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 840mA(Tc) | 2.5V, 4.5V | 440m옴 @ 200mA, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 0.65nC @ 4.5V | ±12V | 37pF @ 25V | - | 530mW(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4032ND,115 | 0.1500 | ![]() | 31 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PBSS4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHK12NQ03LT,518 | - | ![]() | 3662 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PHK12 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK653R7-30C,127 | - | ![]() | 4875 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 북65 | MOSFET(금속) | TO-220AB | - | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 30V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.9m옴 @ 25A, 10V | 2.8V @ 1mA | 78nC @ 10V | ±16V | 4707pF @ 25V | - | 158W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | BUK9609-75A,118 | 1.5200 | ![]() | 760 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 198 | N채널 | 75V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 8.5m옴 @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | ±10V | 25V에서 8840pF | - | 230W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP54N06T,127 | - | ![]() | 5698 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | PHP54 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 54A(티씨) | 10V | 20m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 36nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1592pF | - | 118W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | BFU550215 | 0.2500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123JQA147 | 0.0300 | ![]() | 143 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTC123 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y12-100EX | - | ![]() | 1251 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 85A(Tc) | 10V | 12m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 68nC @ 10V | ±20V | 5067pF @ 25V | - | 238W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BF245B,126 | - | ![]() | 7708 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 30V | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BF245 | 100MHz | JFET | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N채널 | 15mA | - | - | 1.5dB | 15V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PMXB56EN147 | - | ![]() | 1146 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX19,235 | - | ![]() | 4304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | SOT-23 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN | 620mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB21N06LT,118 | 0.3700 | ![]() | 978 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N채널 | 55V | 19A(TC) | 5V, 10V | 70m옴 @ 10A, 10V | 2V @ 1mA | 9.4nC @ 5V | ±15V | 25V에서 650pF | - | 56W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123ET,215 | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC123 | 250mW | SOT-23 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 15,000 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 150mV, 10mA | 30 @ 20mA, 5V | 2.2kΩ | 2.2kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF1535FNT1 | - | ![]() | 9304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 40V | 방역 | TO-272BA | MRF15 | 520MHz | LDMOS | TO-272-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | 6A | 500mA | 35W | 13.5dB | - | 12.5V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP45NQ15T,127 | - | ![]() | 4535 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | PHP45 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 150V | 45.1A(Tc) | 10V | 42m옴 @ 20A, 10V | 4V @ 1mA | 32nC @ 10V | ±20V | 1770pF @ 25V | - | 230W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | BUK762R6-40E118 | - | ![]() | 3400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9508-55B,127 | - | ![]() | 5827 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 튜브 | 활동적인 | BUK95 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1208,115 | - | ![]() | 8171 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 6V | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | BF120 | 400MHz | MOSFET | SOT-666 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | N채널 듀얼 모듈 | 30mA | 19mA | - | 32dB | 1.3dB | 5V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9880-55/CU135 | - | ![]() | 2269 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5S21150HSR5 | - | ![]() | 2179 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | NI-880S | MRF5 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | LDMOS | NI-880S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.3A | 33W | 12.5dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK969R0-60E,118 | - | ![]() | 8852 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 75A(Tc) | 5V | 8m옴 @ 20A, 10V | 2.1V @ 1mA | 29.8nC @ 5V | ±10V | 4350pF @ 25V | - | 137W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| MRF8S19140HR3 | - | ![]() | 2512 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-957A | MRF8 | 1.96GHz | LDMOS | NI-780H-2L | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935321462128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.1A | 34W | 19.1dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123TMB,315 | 0.0300 | ![]() | 100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | PDTC123 | 250mW | DFN1006B-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 150mV, 10mA | 30 @ 20mA, 5V | 230MHz | 2.2kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7608-40B,118 | 0.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK76 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4160PAN,115 | 0.1300 | ![]() | 22 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-UFDFN 옆형 패드 | PBSS4160 | 510mW | 6-휴슨(2x2) | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,314 | 60V | 1A | 100nA(ICBO) | 2 NPN(이중) | 120mV @ 50mA, 500mA | 150 @ 500mA, 2V | 175MHz |

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