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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 모델 지수(dB 일반 @ f)
SI4800,518 NXP USA Inc. SI4800,518 -
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ECAD 6206 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SI4 MOSFET(금속) 8-SO - ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 9A(타) 4.5V, 10V 18.5m옴 @ 9A, 10V 250μA에서 800mV 11.8nC @ 5V ±20V - 2.5W(타)
BC847BW/MI115 NXP USA Inc. BC847BW/MI115 0.0200
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ECAD 732 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 3,000
PMBT2222,235 NXP USA Inc. PMBT2222,235 0.0200
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ECAD 60 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT2222 250mW SOT-23 - EAR99 8541.21.0075 1 30V 600mA 10nA(ICBO) NPN 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 250MHz
PDTA115TM,315 NXP USA Inc. PDTA115TM,315 0.0300
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ECAD 150 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA11 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000
BUK794R1-40BT,127 NXP USA Inc. BUK794R1-40BT,127 -
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ECAD 5785 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치플러스 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-5 BUK79 MOSFET(금속) TO-220-5 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 75A(Tc) 10V 4.1m옴 @ 50A, 10V 4V @ 1mA 83nC @ 10V ±20V 25V에서 6808pF 온도 감지 다이오드 272W(Tc)
MRF5S21090HR3 NXP USA Inc. MRF5S21090HR3 -
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ECAD 9840 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 SOT-957A MRF5 2.11GHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 5A991G 8541.29.0075 250 - 850mA 19W 14.5dB - 28V
BUK953R2-40B,127 NXP USA Inc. BUK953R2-40B,127 0.9400
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 튜브 활동적인 BUK95 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000
MMRF1306HR5 NXP USA Inc. MMRF1306HR5 197.1090
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ECAD 6339 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 133V 방역 SOT-979A MMRF1306 230MHz LDMOS NI-1230-4H 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 50 2개 - 100mA 1250W 24dB - 50V
PDTC123YM,315 NXP USA Inc. PDTC123YM,315 0.0300
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ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTC123 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000
PDTA143TE,115 NXP USA Inc. PDTA143TE,115 -
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ECAD 9162 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 PDTA143 150mW SC-75 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 200@1mA, 5V 4.7kΩ
PDTA144ET,235 NXP USA Inc. PDTA144ET,235 0.0200
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ECAD 105 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA14 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000
BFU690F,115 NXP USA Inc. BFU690F,115 0.6700
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ECAD 14 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-343F BFU690 230mW 4-DFP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 15.5dB ~ 18.5dB 5.5V 100mA NPN 90 @ 20mA, 2V 18GHz 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
BUK7E4R3-75C,127 NXP USA Inc. BUK7E4R3-75C,127 -
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ECAD 7802 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA BUK7 MOSFET(금속) I2PAK - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 75V 100A(Tc) 10V 4.3m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 142nC @ 10V ±20V 25V에서 11659pF - 333W(Tc)
AFT09MP055NR1 NXP USA Inc. AFT09MP055NR1 21.9432
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ECAD 8536 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 40V 표면 실장 TO-270AB AFT09 870MHz LDMOS TO-270 WB-4 - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935315139528 EAR99 8541.29.0075 500 - 550mA 1W 15.7dB - 12.5V
BFG410W,135 NXP USA Inc. BFG410W,135 -
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ECAD 7089 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-82A, SOT-343 BFG41 54mW CMPAK-4 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934047460135 EAR99 8541.21.0075 10,000 21dB 4.5V 12mA NPN 50 @ 10mA, 2V 22GHz 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
PDTC123YMB315 NXP USA Inc. PDTC123YMB315 0.0200
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ECAD 2063년 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTC123 다운로드 EAR99 8541.21.0075 4,895
PHPT61002PYC115 NXP USA Inc. PHPT61002PYC115 -
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ECAD 3504 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0075 1,500
BUK7C2R2-60EJ NXP USA Inc. BUK7C2R2-60EJ -
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ECAD 6677 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) BUK7C2 MOSFET(금속) D2PAK-7 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934067492118 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 60V - - - - -
MRFE6S9201HSR5 NXP USA Inc. MRFE6S9201HSR5 -
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ECAD 7713 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 66V 방역 NI-780S MRFE6 880MHz LDMOS NI-780S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 50 - 1.4A 40W 20.8dB - 28V
PMN35EN,115 NXP USA Inc. PMN35EN,115 -
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ECAD 2233 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 PMN3 MOSFET(금속) SC-74 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 5.1A(타) 4.5V, 10V 31m옴 @ 5.1A, 10V 2.5V @ 250μA 9.3nC @ 10V ±20V 15V에서 334pF - 500mW(타)
PML260SN,118 NXP USA Inc. PML260SN,118 0.3600
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ECAD 6829 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-VDFN 옆 패드 MOSFET(금속) DFN3333-8 다운로드 EAR99 8541.29.0095 636 N채널 200V 8.8A(Tc) 6V, 10V 294m옴 @ 2.6A, 10V 4V @ 1mA 13.3nC @ 10V ±20V 30V에서 657pF - 50W(Tc)
AFT09H310-03SR6 NXP USA Inc. AFT09H310-03SR6 -
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ECAD 8970 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 70V 방역 NI-1230S AFT09 920MHz LDMOS NI-1230S - ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 935324687128 EAR99 8541.29.0075 150 - 680mA 56W 17.9dB - 28V
MRF6V2010NR1 NXP USA Inc. MRF6V2010NR1 -
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ECAD 9055 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 110V 표면 실장 TO-270AA MRF6 220MHz LDMOS TO-270-2 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 500 - 30mA 10W 23.9dB - 50V
PSMN017-80PS,127 NXP USA Inc. PSMN017-80PS,127 -
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ECAD 4106 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PSMN0 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000
BC859C,215 NXP USA Inc. BC859C,215 -
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ECAD 7427 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BC85 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000
PSMN035-150P NXP USA Inc. PSMN035-150P 1.0000
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ECAD 2084 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1
PMZB380XN,315 NXP USA Inc. PMZB380XN,315 0.0900
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ECAD 243 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 MOSFET(금속) DFN1006B-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 30V 930mA(타) 2.5V, 4.5V 460m옴 @ 200mA, 4.5V 250μA에서 1.5V 0.87nC @ 4.5V ±12V 25V에서 56pF - 360mW(Ta), 2.7W(Tc)
BFT92,215 NXP USA Inc. BFT92,215 -
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ECAD 5042 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFT92 300mW SOT-23(TO-236AB) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 - 15V 25mA PNP 20 @ 14mA, 10V 5GHz 2.5dB @ 500MHz
MRFE6VP61K25HSR6 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25HSR6 -
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ECAD 3547 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 133V 방역 NI-1230S MRFE6 230MHz LDMOS NI-1230S 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 150 2개 - 100mA 1250W 24dB - 50V
BUK9516-75B,127 NXP USA Inc. BUK9516-75B,127 -
보상요청
ECAD 4511 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BUK95 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 75V 67A (Tc) 4.5V, 10V 14m옴 @ 25A, 10V 2V @ 1mA 35nC @ 5V ±15V 25V에서 4034pF - 157W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고