| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7Y25-80E/GFX | - | ![]() | 6852 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | BUK7 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 80V | 39A(Tc) | 10V | 25m옴 @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 25.9nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1800pF | - | 95W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R9-25YLC | 1.0000 | ![]() | 9589 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7511-55A,127 | - | ![]() | 5183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BUK75 | MOSFET(금속) | TO-220AB | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 11m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | ±20V | 3093pF @ 25V | - | 166W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | ON5258215 | 0.2200 | ![]() | 696 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PD602AS | - | ![]() | 2002년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD113EU115 | - | ![]() | 4055 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9240-100A/C1,11 | - | ![]() | 7675 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | BUK92 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934061623118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 33A(티씨) | 4.5V, 10V | 38.6m옴 @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | ±10V | 3072pF @ 25V | - | 114W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | PMN15UN,115 | - | ![]() | 4782 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | SC-74, SOT-457 | PMN1 | MOSFET(금속) | SC-74 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 8A(TC) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PHD34NQ10T,118 | - | ![]() | 9369 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | PHD34 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 35A(Tc) | 10V | 40m옴 @ 17A, 10V | 4V @ 1mA | 40nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1704pF | - | 136W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R7-30BL,118 | 0.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 436 | N채널 | 30V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 3m옴 @ 25A, 10V | 2.15V @ 1mA | 66nC @ 10V | ±20V | 15V에서 3954pF | - | 170W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BF513,215 | - | ![]() | 8650 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 20V | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BF513 | 100MHz | JFET | SOT-23(TO-236AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 30mA | 5mA | - | - | 1.5dB | 10V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK762R6-60E,118 | - | ![]() | 6607 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 60V | 120A(Tc) | 10V | 2.6m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 140nC @ 10V | ±20V | 10170pF @ 25V | - | 324W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y12-100EX | - | ![]() | 1251 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 85A(Tc) | 10V | 12m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 68nC @ 10V | ±20V | 5067pF @ 25V | - | 238W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF1535FNT1 | - | ![]() | 9304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 40V | 방역 | TO-272BA | MRF15 | 520MHz | LDMOS | TO-272-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | 6A | 500mA | 35W | 13.5dB | - | 12.5V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD114EU135 | 0.0400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144TMB315 | 0.0200 | ![]() | 189 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMP4501Y,115 | - | ![]() | 9797 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMP4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MW7IC2425NBR1,528 | 96.5600 | ![]() | 500 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | MW7IC | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMST3904,135 | - | ![]() | 2685 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMST3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB21N06LT,118 | 0.3700 | ![]() | 978 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N채널 | 55V | 19A(TC) | 5V, 10V | 70m옴 @ 10A, 10V | 2V @ 1mA | 9.4nC @ 5V | ±15V | 25V에서 650pF | - | 56W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123ET,215 | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC123 | 250mW | SOT-23 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 15,000 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 150mV, 10mA | 30 @ 20mA, 5V | 2.2kΩ | 2.2kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9875-100A/CUX | - | ![]() | 9397 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6E2R3-40C,127 | - | ![]() | 7460 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 튜브 | 활동적인 | 북6 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF7G24L-100,112 | 62.7300 | ![]() | 37 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-502A | 2.3GHz ~ 2.4GHz | LDMOS | SOT502A | 다운로드 | ROHS3 준수 | 5A991G | 8541.29.0075 | 20 | 28A | 900mA | 20W | 18dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CQAZ | 0.0300 | ![]() | 84 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XDFN옆패드 | 280mW | DFN1010D-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,947 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| AFT21S140W02GSR3 | - | ![]() | 8192 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | NI-780GS-2L | AFT21 | 2.14GHz | LDMOS | NI-780GS-2L | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935324832128 | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 800mA | 32W | 19.3dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN041-80YL115 | 1.0000 | ![]() | 3638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7108-40AIE,118 | 0.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-5, D²Pak(4 리드 + 탭), TO-263BB | MOSFET(금속) | SOT-426 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 40V | 75A(Tc) | 10V | 8m옴 @ 50A, 10V | 4V @ 1mA | 84nC @ 10V | ±20V | 3140pF @ 25V | 전류가 흐르다 | 221W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7905-40AIE,127 | - | ![]() | 7293 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK79 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1013HR5 | - | ![]() | 6834 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-979A | MMRF1013 | 2.9GHz | LDMOS | NI-1230-4H | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935322103178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 2개 | - | 100mA | 320W | 13.3dB | - | 30V |

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