 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF24301HSR5 | - |  | 7882 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 방역 | NI-780S | MRF24 | 2.4GHz ~ 2.5GHz | LDMOS | NI-780S | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 300W | 13.5dB | - | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | MRF6S21190HSR5 | - |  | 8414 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 68V | 표면 실장 | NI-880S | MRF6 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | LDMOS | NI-880S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.6A | 54W | 16dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||
|  | A2T08VD020NT1 | 7.8000 |  | 5552 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 105V | 표면 실장 | 24-PowerQFN | A2T08 | 728MHz ~ 960MHz | LDMOS | 24-PQFN-EP(8x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935322283528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 10μA | 40mA | 18W | 19.1dB | - | 48V | ||||||||||||||||||||||||
| MRF7S21110HSR3 | - |  | 8260 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-780S | MRF7 | 2.17GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.1A | 33W | 17.3dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
| BC856W,135 | 0.0200 |  | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC856 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 600mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | BUK662R7-55C,118 | - |  | 9034 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 55V | 120A(Tc) | 10V | 2.7m옴 @ 25A, 10V | 2.8V @ 1mA | 258nC @ 10V | ±16V | 15300pF @ 25V | - | 306W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
|  | J3D081YXV/T1AY5E4J | - |  | 2339 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | J3D0 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MRFE6VP61K25HR6 | 225.7800 |  | 188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 133V | 방역 | NI-1230 | MRFE6 | 230MHz | LDMOS | NI-1230 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 2개 | - | 100mA | 1250W | 24dB | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||
| MRF6S9130HSR3 | - |  | 1562 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 68V | 방역 | NI-780S | MRF6 | 880MHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 950mA | 27W | 19.2dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6S9135HR5 | - |  | 4825 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 66V | 방역 | SOT-957A | MRFE6 | 940MHz | LDMOS | NI-880H-2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1A | 39W | 21dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
|  | PBLS6001D,115 | 0.0700 |  | 111 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PBLS60 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PDTD143ET235 | - |  | 9597 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PDTA114YS,126 | - |  | 7644 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PDTA114 | 500mW | TO-92-3 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 100mA | 1μA | PNP - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 100mV, 5mA | 100 @ 5mA, 5V | 10kΩ | 47kΩ | |||||||||||||||||||||||||
|  | AFT27S006N-1000M | 617.8500 |  | 7961 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 568-AFT27S006N-1000M | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PDTD113EU135 | 1.0000 |  | 6401 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BCP54-16,115 | - |  | 6572 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BCP54 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PMST4403,115 | 0.0200 |  | 179 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMST4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PSMN3R4-30BL,118 | 0.6100 |  | 900 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 494 | N채널 | 30V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.3m옴 @ 25A, 10V | 2.15V @ 1mA | 64nC @ 10V | ±20V | 3907pF @ 15V | - | 114W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | BUK654R8-40C,127 | - |  | 9628 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 북65 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.8m옴 @ 25A, 10V | 2.8V @ 1mA | 88nC @ 10V | ±16V | 5200pF @ 25V | - | 158W(Tc) | |||||||||||||||||||||
|  | BUK763R9-60E/GFJ | - |  | 8616 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | BUK76 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PHPT610030PK115 | 1.0000 |  | 9812 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PEMD16115 | - |  | 1061 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | A2T20H330W24NR6 | - |  | 4317 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | OM-1230-4L2L | A2T20 | 1.88GHz ~ 2.025GHz | LDMOS | OM-1230-4L2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935316239528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 10μA | 700mA | 229W | 15.9dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
|  | PDTC143ZU,115 | - |  | 3260 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTC14 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | NMBT3906235 | 0.0200 |  | 609 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | ON5448,518 | - |  | 3568 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | ON5448 | - | - | - | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935288029518 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
|  | BF199,112 | - |  | 4532 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BF199 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25V | 25mA | 100nA(ICBO) | NPN | - | 38 @ 7mA, 10V | 550MHz | |||||||||||||||||||||||||
|  | BC550C,116 | - |  | 2803 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC55 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
|  | PHN210,118 | - |  | 1226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | PHN210 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 2 N채널(듀얼) | 30V | - | 100m옴 @ 2.2A, 10V | 2.8V @ 1mA | 6nC @ 10V | 250pF @ 20V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||
|  | PHB20N06T,118 | 0.3600 |  | 2034년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N채널 | 55V | 20.3A(Tc) | 10V | 75m옴 @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 11nC @ 10V | ±20V | 25V에서 483pF | - | 62W(Tc) | 

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