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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
BC55-10PAS115 NXP USA Inc. BC55-10PAS115 1.0000
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ECAD 1903년 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 3,000
PDTC123YM,315 NXP USA Inc. PDTC123YM,315 0.0300
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ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTC123 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000
MRF13750HR5 NXP USA Inc. MRF13750HR5 201.2460
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ECAD 3451 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 105V 방역 SOT-979A MRF13750 700MHz ~ 1.3GHz LDMOS NI-1230-4H 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 50 2개 10μA 650W 20.6dB - 50V
PDTA143XE,135 NXP USA Inc. PDTA143XE,135 -
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ECAD 6446 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 PDTA143 150mW SC-75 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 1μA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 10mA 50 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 10kΩ
BLA6H0912-500112 NXP USA Inc. BLA6H0912-500112 568.7800
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ECAD 74 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 100V SOT634A 960MHz ~ 1.22GHz LDMOS CDFM2 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1 54A 100mA 450W 17dB - 50V
BUK6208-40C,118 NXP USA Inc. BUK6208-40C,118 -
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ECAD 5165 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 BUK62 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 90A(Tc) 4.5V, 10V 6.2m옴 @ 15A, 10V 2.8V @ 1mA 67nC @ 10V ±16V 3720pF @ 25V - 128W(Tc)
PDTC114YEF,115 NXP USA Inc. PDTC114YEF,115 -
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ECAD 5024 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-89, SOT-490 PDTC114 250mW SC-89 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 1μA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 100mV, 5mA 100 @ 5mA, 5V 10kΩ 47kΩ
PDTD113EK,115 NXP USA Inc. PDTD113EK,115 -
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ECAD 7770 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTD113 250mW SMT3; MPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 33 @ 50mA, 5V 1kΩ 1kΩ
BUJ100,412 NXP USA Inc. BUJ100,412 -
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ECAD 4524 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BUJ1 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000
BFS17A,235 NXP USA Inc. BFS17A,235 -
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ECAD 8751 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFS17 300mW SOT-23(TO-236AB) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 933750250235 EAR99 8541.21.0075 10,000 - 15V 25mA NPN 25 @ 2mA, 1V 2.8GHz 2.5dB @ 800MHz
BCM857BV,315 NXP USA Inc. BCM857BV,315 -
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ECAD 9091 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 BCM857 300mW SOT-666 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 45V 100mA 15nA(ICBO) 2 PNP(이중)일치쌍 400mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 175MHz
BUK9E4R4-40B,127 NXP USA Inc. BUK9E4R4-40B,127 -
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ECAD 6907 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA BUK9 MOSFET(금속) I2PAK - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 75A(Tc) 4.5V, 10V 4m옴 @ 25A, 10V 2V @ 1mA 64nC @ 5V ±15V 25V에서 7124pF - 254W(Tc)
BC857AW,135 NXP USA Inc. BC857AW,135 0.0200
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ECAD 310 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 BC857 200mW SOT-323 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 45V 100mA 15nA(ICBO) PNP 600mV @ 5mA, 100mA 125 @ 2mA, 5V 100MHz
PSMN023-80LS,115 NXP USA Inc. PSMN023-80LS,115 -
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ECAD 7471 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-VDFN 옆 패드 PSMN0 MOSFET(금속) 8-DFN3333(3.3x3.3) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,400 N채널 80V 34A(티씨) 10V 23m옴 @ 10A, 10V 4V @ 1mA 21nC @ 10V ±20V 40V에서 1295pF - 65W(Tc)
MRF7S38075HSR3 NXP USA Inc. MRF7S38075HSR3 -
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ECAD 8862 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 NI-780S MRF7 3.4GHz ~ 3.6GHz LDMOS NI-780S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 250 - 900mA 12W 14dB - 30V
BUK9520-55,127 NXP USA Inc. BUK9520-55,127 -
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ECAD 9391 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BUK95 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 55V 52A(Tc) 5V 20m옴 @ 25A, 5V 2V @ 1mA ±10V 2400pF @ 25V - 116W(Tc)
PBSS5580PA,115 NXP USA Inc. PBSS5580PA,115 -
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ECAD 2987 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PBSS5 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000
BC807-25W,115 NXP USA Inc. BC807-25W,115 0.0200
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ECAD 133 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BC80 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000
NXP3875Y,215 NXP USA Inc. NXP3875Y,215 -
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ECAD 7474 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PDTC114YE,115 NXP USA Inc. PDTC114YE,115 -
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ECAD 7763 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 PDTC114 150mW SC-75 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 1μA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 100mV, 5mA 100 @ 5mA, 5V 10kΩ 47kΩ
PHE13003C,126 NXP USA Inc. PHE13003C,126 0.0800
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ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 2.1W TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.29.0095 3,963 400V 1.5A 100μA NPN 1.5V @ 500mA, 1.5A 5 @ 1A, 2V -
PBSS4160K,115 NXP USA Inc. PBSS4160K,115 -
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ECAD 4859 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS4 425mW SMT3; MPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 60V 750mA 100nA NPN 280mV @ 100mA, 1A 200 @ 500mA, 5V 220MHz
BC856BW/DG/B3115 NXP USA Inc. BC856BW/DG/B3115 1.0000
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ECAD 9717 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BC856 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 3,000
PDTD123TS,126 NXP USA Inc. PDTD123TS,126 -
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ECAD 7549 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 PDTD123 500mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 100 @ 50mA, 5V 2.2kΩ
BFU520WX NXP USA Inc. BFU520WX 0.4600
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ECAD 461 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 BFU520 450mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 18.5dB 12V 30mA NPN 60 @ 5mA, 8V 10GHz 0.6dB @ 900MHz
PDTC114ET/DG/B2215 NXP USA Inc. PDTC114ET/DG/B2215 0.0200
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ECAD 4438 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 3,000
MRF5S19150HR5 NXP USA Inc. MRF5S19150HR5 -
보상요청
ECAD 9074 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 SOT-957A MRF5 1.93GHz ~ 1.99GHz LDMOS NI-880H-2L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 5A991G 8541.29.0075 50 - 1.4A 32W 14dB - 28V
MRF9045LR5 NXP USA Inc. MRF9045LR5 -
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ECAD 2873 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V NI-360 MRF90 945MHz LDMOS NI-360 짧은 리드 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 50 - 350mA 45W 18.8dB - 28V
BC54-16PAS115 NXP USA Inc. BC54-16PAS115 -
보상요청
ECAD 6087 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 3,000
BUK7Y72-80EX NXP USA Inc. BUK7Y72-80EX -
보상요청
ECAD 3237 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 SC-100, SOT-669 MOSFET(금속) LFPAK56, 전원-SO8 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 80V 16A(티씨) 10V 72m옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA 9.8nC @ 10V ±20V 25V에서 633pF - 45W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고